本申請提供一種結勢壘肖特基二極管及其制備方法，結勢壘肖特基二極管包括：位于半導體襯底層一側的漂移層；位于漂移層中的多個沿第一方向排布的凹槽，第一方向平行于半導體襯底層的表面；第一P型摻雜區，位于凹槽沿第一方向一側的漂移層中以及凹槽朝向半...

本申請提供一種半導體功率器件及其制備方法，半導體功率器件包括：半導體襯底層；位于半導體襯底層上的漂移層；位于漂移層中沿第一方向延伸的柵極結構；阱區，分別位于柵極結構沿第二方向兩側的漂移層中，第二方向與第一方向垂直；位于阱區朝向半導體襯底...

本發明提供一種半導體功率器件的終端結構及其制備方法，半導體功率器件的終端結構包括：襯底層；位于襯底層上的外延層，外延層包括有源區和包圍有源區的終端區；位于外延層的終端區中的多個間隔設置的場限環，多個場限環沿有源區至終端區的方向上依次排布...

本發明涉及半導體器件技術領域，具體涉及一種功率器件。本發明的功率器件包括：柵極區，位于阱區之中；柵氧化層，全包圍柵極區；溝槽區，包圍柵氧化層的至少部分底部和部分側部；溝槽區的頂部和側部被阱區包圍，且阱區自溝槽區的側部底角邊向溝槽區底面中...

本發明提供一種半導體功率器件及其制備方法，半導體功率器件包括：柵極結構，位于部分漂移層中；阱區，位于柵極結構側部的漂移層中；第一摻雜層，第一摻雜層位于阱區朝向半導體襯底層一側的漂移層中且位于相鄰的柵極結構之間，第一摻雜層與阱區間隔且與柵...

本發明提供一種半導體功率器件及其制備方法，半導體功率器件包括：多個間隔的第一摻雜層，所述第一摻雜層位于所述柵極結構沿第一方向兩側的所述漂移層中且位于所述阱區朝向所述半導體襯底層一側，所述第一摻雜層與所述阱區接觸且與所述柵極結構間隔，所述...

一種半導體功率器件及其制備方法，半導體功率器件包括：位于漂移層中沿柵極結構的延伸方向排布的若干間隔設置的第一柱區；相鄰的第一柱區之間的漂移層作為第二柱區；第一柱區和第二柱區均自柵極結構一側的阱區的下方延伸至柵極結構另一側的阱區的下方；第...

本發明提供一種半導體功率器件及其制備方法，半導體功率器件包括：半導體襯底層；位于所述半導體襯底層一側的漂移層；位于所述漂移層中的柵極結構；阱區，分別位于所述柵極結構兩側的漂移層中；在所述漂移層中圍繞所述柵極結構的底面和部分側壁的保護單元...

本申請提供一種半導體功率器件及其制備方法，半導體功率器件包括：位于阱區底部的漂移層中沿第一方向延伸的第一柱區，第一柱區的導電類型和漂移層的導電類型相同；位于漂移層中的若干個間隔設置的第二摻雜區，每個第二摻雜區包圍柵極結構的部分側壁和部分...

本申請提供一種半導體功率器件及其制備方法，半導體功率器件包括：位于半導體襯底層一側的漂移層；位于部分漂移層背離半導體襯底層一側的柵極結構；阱區，分別位于柵極結構兩側的漂移層中且延伸至柵極結構部分底部的漂移層中；位于阱區中的第一源區；位于...

本發明提供一種半導體功率器件及其制備方法，半導體功率器件包括：位于漂移層中保護單元，包括：第一外延保護層，包圍柵極結構的側壁和底面；以及第二摻雜保護層，位于第一外延保護層朝向半導體襯底層的一側且與第一外延保護層接觸，第二摻雜保護層的導電...

本發明提供一種半導體功率器件及其制備方法，半導體功率器件包括：位于漂移層中間隔設置的若干主阱區；位于主阱區中的源區；主阱區的頂部區域中具有溝道區，溝道區與源區的側壁鄰接；位于相鄰的主阱區之間的漂移層中的輔助阱區和JFET區，輔助阱區與主...

一種SiC基半導體功率器件及其制備方法，SiC基半導體功率器件包括：位于任一個阱區底部的漂移層中的多個第一柱區，多個第一柱區沿溝道長度方向和柵極結構的長度方向陣列排布；位于漂移層中包圍第一柱區的摻雜區，摻雜區包括：位于阱區底部的第二柱區...

一種半導體功率器件及其制備方法，半導體功率器件包括：位于相鄰的阱區之間的漂移層中的JFET區，JFET區包括第一JFET區和位于第一JFET區和阱區之間的第二JFET區，第一JFET區兩側的第二JFET區相互間隔設置，第二JFET區的摻...

一種半導體功率器件及其制備方法，半導體功率器件包括：半導體襯底層；位于所述半導體襯底層上的漂移層；柵極結構，位于部分漂移層中或覆蓋漂移層的部分上表面；位于所述柵極結構在寬度方向上的兩側的所述漂移層中的阱區；源區，位于所述阱區的部分區域中...

一種功率半導體器件及其制備方法，功率半導體器件包括：位于漂移層背離半導體襯底層一側表面的第一橫向電流擴展層，第一橫向電流擴展層的導電類型與漂移層的導電類型相同，第一橫向電流擴展層的摻雜濃度大于漂移層的摻雜濃度；位于第一橫向電流擴展層背離...

一種半導體器件及其制備方法，其中，半導體器件包括：襯底層；位于所述襯底層上的外延層，所述外延層包括有源區和包圍所述有源區的終端區；位于所述外延層的終端區中的若干個間隔設置的場限環；位于所述終端區中的若干相互間隔的結終端擴展區，所述結終端...

一種半導體MOSFET器件及其制備方法，器件包括：漂移層，漂移層的頂部區域包括沿第一方向排布的若干間隔的第一漂移區和沿第二方向排布的若干間隔的第二漂移區；阱區，阱區位于第一漂移區和第二漂移區的側部周圍；阱區包括特征交叉阱區；源極注入區，...