本技術涉及材料高溫處理設備領域，公開了一種保溫筒及單晶爐，其中保溫筒包括至少兩層互相內外嵌套的筒狀的保溫層，其中最接近加熱器的保溫層的表面均勻涂覆有耐高溫的絕緣涂層。該保溫筒，通過設置內層的保溫層縮小保溫筒內壁與加熱器之間的距離，降低熱...

本發明涉及單晶硅生產技術領域，公開了一種單晶硅圓棒的邊皮電阻分檔方法、裝置及存儲介質，其中方法包括如下步驟：測量單晶硅圓棒切下來的邊皮的第二端面的兩角處的電阻率；依據分凝原理，結合單晶硅圓棒的長度和邊皮的第二端面的兩角處的電阻率推算邊皮...

本申請提供一種刻碼與電阻檢測的集成裝置，包括支撐架、兩個第一導軌、第二導軌、第三導軌、滑塊、第一驅動組件、第二驅動組件和第三驅動組件，兩個第一導軌均沿第一方向取向設置，第一導軌承載于支撐架，第二導軌沿第二方向取向設置且滑動連接于每一第一...

本技術提供一種具備雙螺旋加熱器的單晶爐熱場，包括設置于坩堝底部的雙螺旋加熱器，雙螺旋結構由兩組加熱管自下而上以旋轉半徑遞減的方式盤旋，上部連接有圓形平臺、下部起始端與上部圓形平臺的延伸線與加熱器的中軸線相交形成錐角；石墨電極包括兩組，分...

本技術提供了一種輔助加料裝置。輔助加料裝置包括：車體組件；至少一個夾持組件，夾持組件具有夾持空間，夾持組件的至少一部分活動設置在車體組件上，以調節夾持空間的大小；支撐組件，支撐組件設置在車體組件上，支撐組件的至少一部分能夠相對車體組件沿...

本發明涉及半導體晶體制造領域，具體而言，涉及一種固氈及其制備方法和應用。所述的固氈，包括：基體以及設置在所述基體內部的若干個環形空腔；所述環形空腔的表面設置有固化涂層。所述的固氈具有良好的保溫性能，導電性、穩定性和耐用性表現良好，能夠提...

本技術涉及單晶爐技術領域，公開了一種電極保護套及單晶爐，其中電極保護套包括絕緣護套和支撐護套。絕緣護套為由耐高溫的絕緣材料制成的筒狀結構。支撐護套也為筒狀結構，設置有可容納絕緣護套的夾層，夾層的下端封閉，用于套設在石墨電極上，絕緣護套插...

本技術公開了一種頂部保溫結構和單晶爐。所述的頂部保溫結構包括頂部保溫主體，所述頂部保溫主體的上端具有向上延伸的拱起部，所述頂部保溫主體上自下而上開有開口和掛壁口，所述掛壁口連通于所述開口的側端；所述的單晶爐包括爐體和所述的頂部保溫結構，...

本技術提供一種用于單晶爐降耗的保溫筒，包括保溫筒，保溫筒內設有環形空腔，環形空腔的中心軸線與保溫筒的中心軸線相同，所述環形空腔填充有氣體。本技術通過在保溫筒設置環形空腔并填充氣體，以填充氣體替代傳統的石墨軟氈作為保溫材質，保溫效果更佳，...

本技術公開了一種用于處理高溫氣體的過濾清理裝置，包括：過濾罐和洗滌器，過濾罐包括過濾袋和廢水區，過濾袋設置在過濾罐上部，廢水區設置在過濾罐底部；過濾罐還包括進氣口、出氣口和出水口，進氣口位于過濾袋的下方和廢水區的上方，出氣口位于過濾袋上...

本技術涉及廢水回用處理技術領域，具體而言，涉及一種硅料清洗廢水回用裝置。包括第一處理單元和第二處理單元，所述第一處理單元的廢水入口與清洗機的快排槽的出水口連通，所述第一處理單元的出水口與預清洗機的進水口連通，所述第二處理單元的廢水入口與...

本技術涉及涂層涂刷技術領域，尤其涉及一種石英坩堝涂層刷，包括：手柄；兩根滾筒支撐桿，對稱設置在所述手柄的一端；兩個滾筒刷頭，可自轉地對應安裝于所述兩根所述滾筒支撐桿上，兩個所述滾筒刷頭可卡入坩堝上沿，并對坩堝上沿的內外壁涂刷涂層；兩個刮...

本發明提供了一種隔熱涂料及其應用。該隔熱涂料包括：10～15份的硅鋁基陶瓷空心微珠、5～15份的氮化硅、5～15份的六鈦酸鉀晶須、5～15份的二氧化鈦、5～15份的三氧化二鋁、30～40份的成膜乳液以及5～10份的水。本發明以水作為分散...

本技術公開了一種氧化物抽吸管道以及用于管道清理的噴嘴結構，其中，噴嘴結構包括安裝于管道本體內的固定塊，固定塊開設有依次連通的第一進氣口、氣體通道和噴氣口，噴氣口朝向管道本體內氧化物的流動方向，第一進氣口用于連接外部氣體供應設備。外部氣體...

本發明涉及晶棒切割技術領域，具體而言，涉及一種晶棒反切固定結構及晶棒切割機，包括：基座、伸縮單元和抵接件；所述基座設置于所述切割臺面，所述伸縮單元的一端安裝于所述基座、另一端設置所述抵接件，所述抵接件的端面為抵接面，且所述抵接面為平面，...

本技術涉及單晶爐領域，提供了一種單晶爐降功耗裝置及單晶爐，通過增設單晶爐降功耗裝置，并通過單晶爐降功耗裝置將爐底固氈與爐底隔離開來，同時由于底部支撐的存在，單晶爐降功耗裝置與爐底的接觸面積大大減少，降低了爐底固氈的熱量散失，保溫效果更好...

本申請提供一種單晶爐臺復投監控方法、裝置、電子設備和存儲介質；該方法包括：獲取單晶爐臺的料筒的工作數據，所述工作數據包括時間信息、晶體位置信息和晶體重量信息中的至少一個；在任一工作階段的工作數據滿足所述工作階段對應的預警觸發條件時，輸出...

本技術提供了一種單晶爐開閉式復合冷卻系統，包括冷卻塔、水池、循環水泵以及冷卻循環管路，所述冷卻循環管路包括進水管路、第一出水管路、第二出水管路、第三出水管路以及補水管路，所述進水管路的一端連接所述冷卻塔的出水口，所述進水管路的另一端連接...

本申請提供一種摻鎵單晶的摻雜量計算方法、裝置、電子設備和存儲介質。該方法包括：根據摻鎵單晶的目標電阻值和加料量，計算初始摻雜量；根據坩堝的揮發面積、目標電阻值和調溫時長，預測所述摻鎵單晶生長過程中的預測揮發量；根據所述初始摻雜量和所述預...

本技術涉及單晶爐結構技術領域，尤其涉及一種底部反射板及單晶爐，包括采用等靜壓石墨一體成型制成的板狀本體，所述板狀本體上設置有托桿通孔，所述板狀本體的反射面為凹弧面；本技術采用反射面為凹弧面的板狀本體可以有效回收由底部加熱器向下擴散的熱量...