公開了一種實現表面聲波SAW濾波器的裝置，該表面聲波濾波器具有設置在壓電層(132)中的電介質材料(134)。在示例方面，該裝置包括表面聲波濾波器，該表面聲波濾波器具有壓電層(132)、電極結構(306?1,306?2)和電介質材料(1...

公開了一種用于使用電介質部分地懸置壓電層的裝置。在示例方面，該裝置包括具有基底層(126)、壓電層(128)、與該壓電層接觸的電極結構(310)以及電介質(130)的微聲濾波器。該電極結構包括多個指狀物，該多個指狀物跨具有垂直于該多個指...

公開了一種用于橋濾波器的裝置。在示例方面，該裝置包括具有電流平衡?不平衡轉換器(134)和濾波器芯(136)的濾波器電路。該電流平衡?不平衡轉換器包括耦合到該濾波器電路的第一端口(132)的第一端子(404?1)、第二端子(404?2)...

本申請的實施例涉及一種BAW器件，包括第一BAW諧振器和第二BAW諧振器。第一BAW諧振器和第二BAW諧振器分別包括第一電極、第二電極和壓電層，壓電層分別布置在所屬的BAW諧振器的第一與第二電極之間。兩個BAW諧振器的第一、第二電極和壓...

公開了一種用于可重配置濾波器的裝置。在示例方面，該裝置包括濾波器電路，該濾波器電路具有第一濾波器端口(302?1)和第二濾波器端口(302?2)。該濾波器電路包括濾波器網絡(304)、聲學諧振器(402,132)和開關電路(404)。該...

本公開的實施例涉及晶片級封裝件和制造方法。一種晶片級封裝件包括具有第一表面的功能晶片、連接到第一表面上布置的器件焊盤的器件結構。具有內表面和外表面的蓋晶片利用內表面被鍵合到功能晶片的第一表面。圍繞器件結構的框架結構被布置在功能晶片與蓋晶...

公開了一種用于橋型濾波器的裝置。在示例方面，該裝置包括具有第一端口、第二端口和濾波器芯的濾波器電路。該濾波器芯耦合在該第一端口與該第二端口之間。該濾波器芯包括至少一個變換器、第一諧振器布置和第二諧振器布置。該第一諧振器布置耦合到該至少一...

公開了一種用于網格型濾波器的裝置。在示例方面，該裝置包括濾波器電路，該濾波器電路包括單端的第一端口和單端的第二端口。該濾波器電路還包括變換器、第一諧振器、第二諧振器、第三諧振器和第四諧振器。該變換器包括第一端子、第二端子和第三端子，其中...

公開了一種用于使用電介質懸置電極結構的裝置。在示例方面，該裝置包括具有壓電層和電極結構的表面聲波濾波器。該電極結構具有面向該壓電層并且與該壓電層分離一定距離的第一表面。該表面聲波濾波器還包括電介質，該電介質設置在該電極結構的至少一個其他...

公開了一種用于帶有具有浮動電位的電導體的表面聲波濾波器的裝置。在示例方面，該裝置包括表面聲波濾波器，該表面聲波濾波器具有壓電層和設置在該壓電層的表面上的電極結構。該電極結構包括第一梳狀結構和第二梳狀結構。該電極結構還包括至少一個電導體，...

本公開的各方面涉及實現具有位于上阻帶邊緣處的諧振頻率的SAW諧振器(800)的設備、無線通信裝置、方法和電路。一個方面是一種包括電極結構(870)的裝置，該電極結構具有叉指換能器。IDT(880)，該IDT具有第一IDT區域(802a)...

一種堆疊式AW濾波器封裝件(200)包括第一基板(204)，該第一基板堆疊在第二基板上。該第一基板具有位于第一表面(212)上的第一AW濾波器電路(202)和位于第二表面上的金屬層(210)。該第二基板具有第二AW濾波器電路(206)，...

本公開的某些方面提供了一種用于減少的自發熱的具有一個或多個中間層的表面聲波(SAW)器件以及制造這種SAW器件的方法。一個示例SAW器件通常包括壓電層和設置在壓電層上方的叉指換能器(IDT)。IDT通常包括具有第一母線和第一多個指狀物的...

本公開的某些方面提供濾波器電路和用于使用該濾波器電路進行濾波的技術。該濾波器電路通常包括第一濾波器級(401)，該第一濾波器級具有：耦合在該濾波器電路的第一端口(480)與該濾波器電路的第二端口(482)之間的串聯路徑中的第一聲波諧振器...

本公開涉及雜散模式信號被抑制的SAW設備。對于布置在載體基板上的多層SAW設備，提出使用特定的材料作為載體基板。如果具有選定的歐拉角范圍的硅材料被用作載體基板的材料，則可以實現對干擾信號的改進的抑制。

一種封裝件(100)，該封裝件包括：聲學器件、耦合到該聲學器件的框架(105)，以及通過該框架耦合到該聲學器件的蓋基板(104)。該聲學器件包括基板(120)和耦合到該基板的聲學元件(121)。該蓋基板包括電感器。該蓋基板被配置作為用于...

一種多層堆疊式AW濾波器封裝件(200)，其包括第一聲波AW濾波器(208)，第一聲波AW濾波器堆疊在第二AW濾波器(204)上，該封裝件采用半導體制造方法和結構，包括包含用于將接觸表面耦合到第二AW濾波器的互連件的金屬化層。每個AW濾...

公開了一種用于利用濾波進行諧波減少的裝置。在示例性方面，該裝置包括濾波器電路，該濾波器電路具有第一濾波器端口和第二濾波器端口、第一網格濾波器和第二網格濾波器以及第一信號操縱器電路和第二信號操縱器電路。該第一信號操縱器電路包括第一端口、第...

公開了一種器件(100)以及用于制造器件(100)的技術。該器件(100)包括頂部基板(110)，該頂部基板包括耦合到第一頂部金屬層(M1(a))的多個頂部過孔(115)，該第一頂部金屬層形成第一電感器的頂部繞組部分。該器件還包括中間基...

公開了一種用于具有補償層(128)的表面聲波濾波器(402)的裝置，該補償層(128)具有多個密度(130?1至130?N)。在示例方面中，該裝置包括至少一個表面聲波濾波器，該至少一個表面聲波濾波器具有壓電層(304)、襯底層(306)...