本發明涉及聲波諧振領域，特別是涉及一種西沙瓦波聲表面波諧振器、裸芯片及通信組件，從下到上依次包括襯底、第一壓電層、圖形化的第二壓電層及叉指電極；所述第一壓電層和/或所述第二壓電層包括鉭酸鋰層、鈮酸鋰層、氮化鋁層、摻鈧氮化鋁層、氧化鋅層及...

本發明涉及聲波諧振領域，特別是涉及一種西沙瓦波聲表面波諧振器、裸芯片及通信組件，從下到上依次包括襯底、定向導能結構、第一壓電層、圖形化的第二壓電層及叉指電極；所述第一壓電層和/或所述第二壓電層包括鉭酸鋰層、鈮酸鋰層、氮化鋁層、摻鈧氮化鋁...

本申請提供一種稀疏天線陣列的目標測角方法、車載毫米波雷達及產品，稀疏天線陣列包括n個單元天線組重復排列，單元天線組內包括m個單元天線，單元天線組之間的間距與單元天線組內相鄰單元天線之間的間距不相等，所述方法，包括：基于稀疏天線陣列中各單...

本申請提供一種前前車檢測方法、車載毫米波雷達、產品及車輛，所述方法包括：接收回波信號，對所述回波信號進行處理得到點云數據；對所述點云數據進行目標聚類，確定前向目標信息；所述前向目標信息包括前向目標數量、位置及遮擋狀態；根據所述前向目標信...

本申請提供一種數字延遲移相電路及相控陣系統，該數字延遲移相電路包括：模數轉換器，接收目標頻段信號并將其轉換為數字信號；數字本振，生成正交下變頻需要的本振信號；小數延遲濾波支路，將所述數字信號基于所述本振信號下變頻處理為基帶信號，基于小數...

本申請公開了一種半導體器件及制備方法，屬于半導體技術領域，該器件包括：歐姆接觸電極，以及沿厚度方向依次設置的襯底、溝道層和勢壘層；溝道層和勢壘層的界面處形成有二維電子氣；勢壘層和至少部分溝道層形成有離子注入區，離子注入區和二維電子氣接觸...

本申請實施例提供一種有Doherty功率放大器的源動態偏置電路Doherty功放電路及模組，所述有源動態偏置電路包括：第一控制電壓；偏置切換電路，包括與第一控制電壓連接的分壓電路，分壓電路包括串聯連接的開關元件和分壓元件；第二控制電壓，...

本發明公開了一種實現電磁屏蔽的封裝方法及封裝結構，應用于半導體封裝領域，該方法包括：提供封裝預制件；封裝預制件包括封裝體和至少一顆封裝芯片；循環執行在每個封裝芯片的側部的封裝體中，均制備沿周向包圍封裝芯片的子屏蔽層凹槽，并利用電鍍工藝在...

本發明公開了一種絕緣體上硅器件及絕緣體上硅器件制備方法，應用于半導體器件領域，包括：依次層疊設置的高阻襯底、第一互連層、有源器件層、隱埋氧化物層和第二互連層；第一互連層包括至少一層導電層，以及設置在第一互連層中的導電層與高阻襯底間的介質...

本發明公開了一種輸出匹配電路、功率放大器及功放芯片，涉及放大器領域，為解決共用輸出匹配網絡很難同時滿足兩種不同頻率的阻抗匹配要求，該輸出匹配電路包括具有第一微帶線的基波匹配組件，用于將放大器輸出端的基波阻抗匹配到晶體管的漏極的最優基波阻...

本發明公開了一種放大電路、放大器芯片及無線通信設備，涉及無線通信領域，該放大電路包括輸入匹配電路、輸出匹配電路、放大模塊和模式切換模塊，模式切換模塊，用于響應切換指令，控制放大模塊按切換指令對應的放大模式對輸入匹配電路接入的射頻信號進行...

本申請公開了一種雙模式功率放大器、控制方法及發射機，功率放大器包括：第一模式支路和第二模式支路；第一模式支路的至少一個晶體管串聯后的第一端通過第一模式輸入預匹配網絡連接第一模式支路的輸入端，第一模式支路的至少一個晶體管串聯后的第一二端通...

本發明公開了一種超寬帶多路空間功率合成器，包括：輸入擴展同軸結構、輸出擴展同軸結構、連接軸、楔形托盤、平衡式鰭線PCB和饋電PCB，連接軸的兩端分別與輸入擴展同軸結構和輸出擴展同軸結構連接，多個楔形托盤構成同軸介質傳輸線，多個楔形托盤的...

本發明公開了一種半導體器件及其制備方法，應用于半導體器件技術領域，包括：襯底；位于襯底一側表面的功能層；功能層形成有至少一個主晶體管和至少一個輔助晶體管；主晶體管的源端與輔助晶體管的漏端連接；輔助晶體管的源端接地，輔助晶體管的柵端空置或...

本發明公開了一種功率放大器及電子設備，涉及半導體器件技術領域，包括主晶體管、輔助晶體管、偏置電路、輸入匹配電路和輸出匹配電路；主晶體管的柵端與輸入匹配電路連接，主晶體管的漏端與輸出匹配電路連接，主晶體管的柵端與主晶體管的漏端分別連接有對...

本發明公開了一種多芯片堆疊封裝結構及多芯片堆疊封裝結構制備方法，應用于半導體領域，包括：多層芯片結構；沿多層芯片結構的層疊方向的一側連接有第一基板，多層芯片結構背向第一基板的一側，連接有第二基板；第一基板與第二基板之間，沿多層芯片結構周...

本發明公開了一種半導體晶圓中緩沖層電導率測試結構及其制備方法，應用于半導體領域，該半導體晶圓中緩沖層電導率測試結構包括：襯底，以及沿遠離襯底的方向依次生長的緩沖層、溝道層和勢壘層；溝道層和勢壘層形成的異質結界面處形成有經隔斷區分隔的二維...

本發明公開了一種門限電路、關閉電路和偏置電路，涉及集成電路技術領域。分壓電路的輸出端和第一開關管的控制端連接；第一開關管的第一端連接電源，第二端接地。通過分壓電路提供控制電壓，根據實際輸入電壓和控制電壓導通或者截止第一開關管。通過控制電...

本申請提供一種Lange定向耦合器，包括：微帶耦合線，包括端口及由端口延伸形成的微帶支路，微帶支路包括第一微帶線層和第二微帶線層；耦合區，包括順沿所述微帶耦合線的延伸方向排列的弱耦合區和強耦合區，所述弱耦合區在相對所述強耦合區更靠近所述...

本發明公開了一種用于控制射頻電路的關閉裝置以及偏置電路，涉及集成電路技術領域。電壓比較裝置與分壓電路的分壓端連接，且與第一開關管的控制端和第一端連接；第一開關管的第二端接地，且連接射頻電路的射頻輸入端；實現門限電路的門限電壓在第一開關管...