本發明涉及一種半導體側面泵浦激光模塊的均勻泵浦裝置及其使用方法，屬于固體激光器技術領域。泵浦裝置包括激光二極管、激光晶體、導光板和玻璃導流管，其中，玻璃導流管為中空柱形管，玻璃導流管內設置有激光晶體，導光板一側設置于玻璃導流管外壁，導光...

本申請提供的一種半導體激光器外延結構及制備方法涉及半導體激光器技術領域。該半導體激光器外延結構從下往上依次包括襯底、N型限制層、N型波導層、有源層、P型波導層、P型限制層和歐姆接觸層。所述的歐姆接觸層上設置有兩條波導槽，兩條波導槽之間形...

本發明涉及一種小型半導體激光器及其封裝方法，屬于半導體激光器技術領域。激光器包括外殼、PCB電路板、COS單元和熱沉底座，其中，熱沉底座為L型底座，熱沉底座上側設置有PCB電路板和COS單元，PCB電路板連接有COS單元，熱沉底座外側設...

本發明涉及半導體激光器檢測的技術領域，尤其是涉及一種半導體激光器巴條檢測裝置及方法。本發明包括檢測支架和檢測夾具，所述檢測夾具活動安裝在檢測支架上，所述檢測支架和檢測夾具上活動安裝有檢測探頭，所述檢測夾具包括背板和定位塊，所述背板水平放...

本發明涉及一種傳導冷卻的半導體激光器模塊及其封裝方法，屬于半導體激光器技術領域。激光器模塊包括巴條陣列、絕緣導熱基板、散熱熱沉、絕緣基板和導電電極板，其中，散熱熱沉上側設置有絕緣導熱基板，絕緣導熱基板上側設置有巴條陣列，散熱熱沉兩側分別...

本發明提供一種基于鈣鈦礦結構的紅光激光器及其制備方法，屬于半導體量子點激光器領域。本發明紅光激光器由下至上依次包括：反射層、P面電極、空穴傳輸層、鈣鈦礦有源層、電子傳輸層和N面電極；反射層是由HfO<subgt;2</sub...

本發明涉及一種具有異質波導的量子級聯激光器及其制備方法，屬于光電子技術領域，激光器包括層疊結構、脊波導和電注入區，所述層疊結構自下而上包括N型InP襯底、N型InP緩沖層、N型InP下波導層、N型GaInAs下限制層、多周期有源區結構、...

本發明涉及一種新型半導體激光器側面泵浦結構，屬于半導體激光器疊陣封裝領域，側面泵浦模塊A包括子模塊熱沉A，側面泵浦模塊B包括子模塊熱沉B，子模塊熱沉A/B中部均設置有用于放置晶體的半圓凹槽，半圓凹槽貫穿子模塊熱沉A/子模塊熱沉B的長度方...

本發明涉及一種測量側泵固體激光放大器熱退偏率的裝置及測試方法，屬于固體激光器技術領域，旨在解決現有技術中熱退偏效應對激光器性能影響的測試難題，包括沿軸線依次設置的種子光源、擴束系統、第一半波片、第一PBS、待測放大器、第二半波片、第二P...

本發明涉及一種利用量子隧穿能力提高光增益的半導體激光器件及其制備方法，由下至上依次包括襯底、緩沖層、下過渡層、下限制層、下波導層、Ga<subgt;x2</subgt;In<subgt;1?x2</subgt;P...

本發明涉及一種手動測試全bar的裝置及使用方法，屬于半導體激光器測試技術領域。裝置包括測試臺、機械手、供料倉、工作臺、積分球、載臺、龍門式發散角測試系統和加電控制系統，其中，工作臺上設置有測試臺、機械手、供料倉和積分球，測試臺上設置有載...

本發明涉及一種具有全新空穴載流子提供方式的GaAs大功率激光器外延片及其制備方法，屬于光電子領域，包括GaAs襯底，在襯底上由下至上依次包括GaAs緩沖層、Al<subgt;x1</subgt;Ga<subgt;1?x...

本發明涉及一種用于快速熱處理的工裝及使用方法，屬于半導體激光器退火技術領域。工裝包括石英架、載盤、取放治具、熱電偶和定位夾，其中，石英架上設置有載盤，載盤上側中心位置設置有圓形的凸臺，凸臺周側設置有若干定位夾，載盤下側設置有熱電偶。本發...

本發明涉及一種大功率半導體激光器晶圓P面電鍍金的方法，屬于大功率半導體激光器電鍍金電極技術領域。本發明的大功率半導體激光器的待鍍金區域為薄金種子層，非鍍金區域保留部分光刻膠絕緣層，去除光刻膠部分設計有TiPtAu導電橋，有利于晶圓電鍍時...

本發明涉及一種具有電子減速作用的VCSEL器件及其制備方法，屬于半導體激光器技術領域。沿外延生長方向依次包括襯底、緩沖層、底部氮化物DBR、電子減速層、多量子阱層、P?EBL、P?型半導體材料層、電流限制層、電流擴展層；電子減速層由三層...

本發明涉及一種大功率半導體激光器的制備方法，屬于半導體金屬電極技術領域，和傳統工藝相比，本發明無需使用刻蝕液刻蝕種子層和金導電層，只需一次濕法剝離薄層種子層，無需二次剝離金導電層，避免了剝離產生的金導電層粗糙度大，形貌不規則等問題，有利...

本發明涉及一種高斯漸變波導結構的AlGaInP半導體激光器及其制備方法，屬于半導體激光器技術領域。激光器由下至上依次包括襯底、緩沖層、(Al<subgt;x1</subgt;Ga<subgt;1?x1</subg...

本發明涉及一種異型結構激光器的多級嵌套燒結方法，燒結方法步驟如下：(1)激光巴條通過焊料A燒結成激光陣列；(2)在激光陣列與絕緣片之間放置焊料B，燒結成激光單元；(3)在夾具A上放置子熱沉，子熱沉上側放置有若干激光單元，激光單元與子熱沉...

本申請提供的一種半導體激光器面陣泵浦源涉及半導體激光器技術領域。具體包括底座，底座上設置有若干個陣列布置的疊陣單元組，疊陣單元組包括若干個陣列布置疊陣單元，疊陣單元組的陣列方向與疊陣單元組中疊陣單元的陣列方向垂直。疊陣單元包括二級熱沉和...

本申請提供的一種可替換子模塊高功率半導體激光器及其封裝方法涉及半導體激光器技術領域。該半導體激光器包括三級熱沉，三級熱沉包括上橫板、下橫板和豎板，三級熱沉的上橫板上位于豎板的兩側分別設置有兩個子模塊。子模塊包括二級熱沉、多巴陣列和電極熱...