本申請公開了一種結(jié)晶質(zhì)量高的碳化硅襯底，屬于碳化硅生產(chǎn)加工技術(shù)領(lǐng)域。該碳化硅襯底包括第一主表面和第二主表面；所述第一主表面具有中心區(qū)域和圍繞所述中心區(qū)域的環(huán)形區(qū)域，所述環(huán)形區(qū)域自襯底邊緣向內(nèi)延伸的寬度為5～30mm；將所述中心區(qū)域劃分為...

本發(fā)明提供了一種高品質(zhì)碳化硅襯底及其制備方法和半導(dǎo)體器件，涉及碳化硅晶片技術(shù)領(lǐng)域。晶體的制備方法包括晶體穩(wěn)定生長階段，晶體穩(wěn)定生長階段的生長工藝條件包括以下步驟：S1：靠近晶體生長邊緣處存在限定邊，限定邊與晶體生長邊緣處的距離不大于5m...

本發(fā)明提供了一種高均勻性的碳化硅襯底及其制備方法和半導(dǎo)體器件，涉及碳化硅晶片技術(shù)領(lǐng)域。該碳化硅襯底由晶體至少經(jīng)過切割步驟后得到，晶體的制備方法包括晶體穩(wěn)定生長階段，晶體穩(wěn)定生長階段的生長工藝條件包括以下步驟：靠近晶體生長邊緣處存在限定邊...

本申請公開了一種確定3C?SiC晶體晶向的方法及一種確定3C?SiC晶片或3C?SiC薄膜打標(biāo)方向的方法。該方法采用X射線對3C?SiC晶體、3C?SiC晶片或3C?SiC薄膜的(113)晶面進(jìn)行衍射測試，確定最強(qiáng)衍射峰的入射角度和出射...

本發(fā)明提供一種碳化硅晶體循環(huán)生產(chǎn)過程中廢棄物料自動鏟鑿裝置及方法，屬于碳化硅物料生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，所述裝置：鏟鑿刀具設(shè)置在鏟鑿主軸模塊下部；夾具模塊設(shè)置在XY運(yùn)動工作臺上部，坩堝設(shè)置在夾具模塊內(nèi)部；XY運(yùn)動工作臺設(shè)置在機(jī)臺底座的中部，框式立...

本申請公開了一種曲率半徑大且分布均勻的4H碳化硅晶棒及制備方法和應(yīng)用，屬于4H碳化硅晶棒制備技術(shù)領(lǐng)域。該4H碳化硅晶棒在任意位置處的電阻率均大于12mΩ·cm且小于15mΩ·cm，其切割得到的碳化硅晶片的曲率半徑均大于800m，且切割得...

本申請公開了一種大尺寸、低電阻4H碳化硅晶棒、低電阻4H碳化硅晶片及制備方法，屬于N型碳化硅單晶材料制備技術(shù)領(lǐng)域。該4H碳化硅晶棒的厚度為15mm以上，所述4H碳化硅晶棒任意位置處的電阻率大于12mΩ·cm且小于15mΩ·cm，且所述4...

本申請公開了一種降低碳化硅單晶制備成本的液相生長用坩堝及液相制備方法，屬于碳化硅單晶液相生長技術(shù)領(lǐng)域。該坩堝包括：坩堝底和第一坩堝壁，坩堝底由石墨制成，第一坩堝壁由碳化硅多晶制成，第一坩堝壁為具有中心軸的圓柱形，且可拆卸連接在坩堝底的上...

本申請公開了一種3C?SiC晶片或3C?SiC薄膜的打標(biāo)方法及其應(yīng)用，屬于3C?SiC材料加工技術(shù)領(lǐng)域。該打標(biāo)方法包括步驟：(1)將帶有定位邊的3C?SiC晶片或3C?SiC薄膜固定；(2)沿3C?SiC晶片或3C?SiC薄膜的定位邊方...

本申請公開了一種用于生長大尺寸高質(zhì)量外延片的石墨盤及用于外延生長的裝置，屬于外延片生長技術(shù)領(lǐng)域。該石墨盤，包括：石墨盤本體，所述石墨盤本體的上表面向下凹陷形成凹槽，所述凹槽的中心設(shè)置有凸起，所述凸起的高度不高于所述凹槽的高度，所述凸起周...

本技術(shù)為一種大尺寸切片切割工裝，屬于半導(dǎo)體加工領(lǐng)域。其技術(shù)方案為，一種大尺寸切片切割工裝，包括基座，基座上設(shè)有第一固定座和第二固定座，第一固定座中轉(zhuǎn)動安裝有第一頂緊組件，第二固定座中轉(zhuǎn)動安裝有第二頂緊組件；第一頂緊組件和第二頂緊組件用于...

本發(fā)明為一種外延用晶片轉(zhuǎn)運(yùn)裝置及晶片轉(zhuǎn)運(yùn)方法，屬于半導(dǎo)體材料制造領(lǐng)域。其技術(shù)方案為，一種外延用晶片轉(zhuǎn)運(yùn)裝置，包括吸盤主體，所述吸盤主體包括托板和蓋板，托板與蓋板之間間隔一定距離并形成容納腔，容納腔的前端開放，容納腔的后部開設(shè)進(jìn)氣口，進(jìn)氣...

本發(fā)明公開了一種n型碳化硅襯底及碳化硅晶體，屬于半導(dǎo)體材料技術(shù)領(lǐng)域。所述n型碳化硅單晶晶體距離籽晶面≤10mm部分所得的襯底邊緣10mm環(huán)狀范圍內(nèi)貫穿螺型位錯密度＜300cm<supgt;?2</supgt;，中心130mm...

本申請公開了一種用于長晶爐感應(yīng)線圈的升降裝置及其安裝方法，屬于晶體制備輔助設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。該裝置包括：框架，感應(yīng)線圈通過連接件固定在框架上，框架上方設(shè)置有滑槽和定位孔；定滑輪設(shè)置在長晶爐機(jī)架上，牽引繩繞過定滑輪一端與配重塊連接，另一端與牽...

本申請公開了一種用于生長高均一性外延片的石墨盤及用于外延生長的裝置，屬于外延片生長技術(shù)領(lǐng)域。該石墨盤包括：石墨盤本體，所述石墨盤本體的上表面向下凹陷形成凹槽，所述凹槽邊緣至凹槽中心設(shè)置有3?6個臺階，所述臺階的高度小于所述凹槽的高度，且...

本發(fā)明涉及碳化硅表面清洗技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種去除碳化硅表面殘留的清潔劑及其應(yīng)用和清潔方法。清潔劑包括第一成分、pH調(diào)節(jié)劑和水；以占清潔劑質(zhì)量的百分比計(jì)，第一成分包括6%~8%的3?甲氧基?3?甲基丁醇、8%~10%的異構(gòu)醇醚、10%~...

本發(fā)明提供一種長晶爐壓力控制器自動修復(fù)系統(tǒng)及方法，屬于碳化硅生長及外延技術(shù)領(lǐng)域，所述系統(tǒng)包括工控計(jì)算機(jī)、控制擴(kuò)展模塊、截止閥、真空泵和壓力控制器接口；控制擴(kuò)展模塊與工控計(jì)算機(jī)、截止閥、真空泵均連接；工控計(jì)算機(jī)還與壓力控制器接口連接；截止...

本申請公開了一種n型碳化硅襯底的生長裝置，屬于半導(dǎo)體制備裝置技術(shù)領(lǐng)域。所述所述生長裝置包括：坩堝，包括坩堝體和坩堝蓋，所述坩堝蓋設(shè)置于坩堝體頂部，所述坩堝體內(nèi)設(shè)置有生長腔；保溫層結(jié)構(gòu)，所述保溫層結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述坩堝的外側(cè)；加熱線圈，所述加...

本發(fā)明提供了一種高均勻性的碳化硅襯底及其制備方法和半導(dǎo)體器件，涉及碳化硅晶片技術(shù)領(lǐng)域。該碳化硅襯底由晶體至少經(jīng)過切割步驟后得到，晶體的制備方法包括晶體穩(wěn)定生長階段，晶體穩(wěn)定生長階段的生長工藝條件包括以下步驟：靠近晶體生長邊緣處存在限定邊...

本申請公開了一種金剛石用拋光液及金剛石襯底的拋光方法，屬于金剛石拋光技術(shù)領(lǐng)域。該拋光液包括金剛石微粉、三價鐵鹽、雙氧水和水，所述拋光液中金剛石微粉、三價鐵鹽、雙氧水和水的重量比為（0.02~0.1）：（0.02~0.1）：（0.05~0...