本說明書實(shí)施例提供一種TSV刻蝕設(shè)備及清潔方法，TSV刻蝕設(shè)備包括腔體、靜電吸盤和下電極模塊，下電極模塊安裝于腔體內(nèi)，靜電吸盤安裝于下電極模塊頂部，下電極模塊包括下電極和支撐部，支撐部與腔體內(nèi)底壁相連接；隔離網(wǎng)板設(shè)置于靜電吸盤和腔體之間...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種半導(dǎo)體器件工藝方法，包括：于工藝腔體中提供一半導(dǎo)體襯底，半導(dǎo)體襯底上形成有目標(biāo)通孔或目標(biāo)溝槽，以及覆蓋所述目標(biāo)通孔或所述目標(biāo)溝槽的阻擋層；在阻擋層上沉積形成鎢成核層；在鎢成核層上沉積形成第一金屬鎢層，...

本說明書實(shí)施例提供一種晶圓等離子刻蝕設(shè)備，包括：熱臺(tái)，晶圓放置于熱臺(tái)上，熱臺(tái)周向邊緣處開設(shè)有若干氣體饋入孔；管道組件，管道組件用于向若干氣體饋入孔內(nèi)通入氣體；調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)可對(duì)若干氣體饋入孔吹向晶圓的氣體速度和/或氣體量進(jìn)行調(diào)節(jié)，以...

本公開實(shí)施例提供分區(qū)控溫晶圓熱臺(tái)及其應(yīng)用的晶圓加工設(shè)備。分區(qū)控溫晶圓熱臺(tái)包括豎直設(shè)置的熱臺(tái)本體；加熱通道，設(shè)于熱臺(tái)本體內(nèi)；加熱通道包括在水平面呈渦狀的加熱部，以及對(duì)應(yīng)連通于加熱部?jī)啥它c(diǎn)的進(jìn)液通道和出液通道；至少一加熱件，在由所述加熱部與...

本發(fā)明提供微透鏡制作方法及圖像傳感器的制作方法，微透鏡制作方法包括：在硬掩模層上形成圖形化光阻層；以圖形化光阻層為掩?？涛g硬掩模層，同時(shí)使圖形化光阻層被刻蝕去除并露出半導(dǎo)體襯底，得到位于半導(dǎo)體襯底上的圖形化的硬掩模層；以圖形化的硬掩模層...

本申請(qǐng)屬于晶圓加工技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種晶圓傳輸方法、晶圓加工方法及晶圓加工裝置。晶圓傳輸方法包括控制晶圓沿預(yù)設(shè)路徑移動(dòng)，獲取晶圓的邊緣經(jīng)過第一位置傳感器和第二位置傳感器時(shí)的四個(gè)編碼器數(shù)值，以確定晶圓的實(shí)際中心位置；再將實(shí)際中心位置與預(yù)設(shè)...

本公開涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，提供晶圓處理設(shè)備及處理方法、反應(yīng)室、控制器、及存儲(chǔ)介質(zhì)，晶圓處理設(shè)備包括反應(yīng)室、冷卻室、及轉(zhuǎn)移裝置，反應(yīng)室的內(nèi)襯設(shè)有轉(zhuǎn)移避讓結(jié)構(gòu)，冷卻室內(nèi)設(shè)有第一遮蔽環(huán)承載裝置，轉(zhuǎn)移裝置包括轉(zhuǎn)移機(jī)械手。在裝卸遮蔽環(huán)時(shí)，利用轉(zhuǎn)移...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種無定形碳層刻蝕方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。該無定形碳層刻蝕方法包括：通入刻蝕氣體，對(duì)無定形碳層進(jìn)行初始刻蝕，以于無定形碳層的一側(cè)形成溝槽；通入保護(hù)氣體，以于溝槽的內(nèi)壁形成初始保護(hù)層；再次通入刻蝕氣體，基于溝槽進(jìn)...

本公開涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，提供等離子體處理設(shè)備，包括：設(shè)備腔，包括：第一腔體以及位于所述第一腔體下方并與所述第一腔體連通的第二腔體；所述第一腔體供通入氣體；引導(dǎo)件，環(huán)設(shè)于所述第一腔體的底部開口外，形成變徑的引導(dǎo)通道；勻氣件，可升降地設(shè)于...

本發(fā)明提供了一種離子過濾裝置及控制去膠灰化速率均勻性的方法，所述離子過濾裝置及控制去膠灰化速率均勻性的方法應(yīng)用于半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，所述離子過濾裝置包括：第一過濾件、氣體傳輸組件以及第二過濾件；第一過濾件和第二過濾件分別安裝在氣體傳輸組件的...

本說明書實(shí)施例提供一種刻蝕機(jī)用晶圓傳送手指及傳送系統(tǒng)，傳送手指包括手指本體和推動(dòng)機(jī)構(gòu)，推動(dòng)機(jī)構(gòu)推動(dòng)晶圓相對(duì)于手指本體運(yùn)動(dòng)，手指本體上設(shè)置有至少三組不在同一條直線上的滾動(dòng)件，手指本體遠(yuǎn)離推動(dòng)機(jī)構(gòu)的一端設(shè)置有限位感應(yīng)機(jī)構(gòu)，推動(dòng)機(jī)構(gòu)推動(dòng)晶圓向...

本公開涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，提供半導(dǎo)體處理機(jī)臺(tái)包括：至少一個(gè)工藝組件，所述工藝組件包括：傳送腔和若干功能腔；傳送腔相鄰的至少一側(cè)形成多個(gè)工位，功能腔設(shè)于多個(gè)工位；一個(gè)功能腔配置有反應(yīng)處理單元，另一個(gè)配置測(cè)量單元；控制單元，通信連接并控制傳...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種等離子蝕刻裝置及方法。該等離子蝕刻裝置包括：工藝腔體；晶圓加熱裝置，當(dāng)晶圓傳送至工藝腔體內(nèi)時(shí)，晶圓加熱裝置位于晶圓的上方；晶圓加熱裝置被配置為：在進(jìn)行等離子蝕刻之前，對(duì)工藝腔體進(jìn)行抽氣時(shí)，晶圓加熱...

本發(fā)明屬于刻蝕技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種刻蝕方法，刻蝕裝置包括反應(yīng)腔體、晶圓載盤、流體供應(yīng)件以及加熱組件，其中晶圓載盤設(shè)置于反應(yīng)腔體內(nèi)，晶圓載盤內(nèi)設(shè)置有循環(huán)流道，晶圓載盤設(shè)置有與循環(huán)流道連通的進(jìn)液口與出液口；流體供應(yīng)件連接進(jìn)液口與出液口；加熱...

本公開涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域。制作方法包括：提供目標(biāo)層，在目標(biāo)層上形成掩膜層，圖案化掩膜層形成掩膜圖形；根據(jù)掩膜圖形刻蝕目標(biāo)層，在目標(biāo)層形成第一溝槽，第一溝槽的側(cè)壁具有第一傾斜角度；執(zhí)行至少一次以...

本申請(qǐng)公開可降溫的ICP刻蝕設(shè)備，所述可降溫的ICP刻蝕設(shè)備具有冷卻空間和至少一與所述冷卻空間連通的出氣孔，所述可降溫的ICP刻蝕設(shè)備包括刻蝕主體、線圈、匹配器、屏蔽罩和風(fēng)扇，所述刻蝕主體包括等離子體生成部和刻蝕操作部，所述等離子體生成...

本發(fā)明提供一種反應(yīng)腔體內(nèi)部氣流速度檢測(cè)裝置，將氣流檢測(cè)裝置設(shè)置于反應(yīng)腔體內(nèi)的加熱器上，并與氣流速度計(jì)算裝置通信連接；利用氣流檢測(cè)裝置中的導(dǎo)體滑動(dòng)機(jī)構(gòu)在氣體流動(dòng)作用下的移動(dòng)引起電阻變化，進(jìn)而通過氣流檢測(cè)裝置的檢測(cè)電路采集電流變化數(shù)據(jù)，并基...

本發(fā)明提供了一種形成硅通孔的刻蝕方法，所述刻蝕方法包括以下步驟：（1）使用氣態(tài)氟源與惰性氣體的混合氣對(duì)硅片進(jìn)行預(yù)刻蝕處理，得到預(yù)刻蝕硅片；（2）采用第一博世刻蝕工藝刻蝕步驟（1）得到的預(yù)刻蝕硅片，得到一步刻蝕硅片；（3）采用第二博世刻蝕...

本發(fā)明提供一種低溫去除器件中膠結(jié)物的方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，所述方法包括：在第一溫度下，通入清洗氣體進(jìn)行等離子體處理，以去除器件中的膠結(jié)物；其中，所述第一溫度為≤65℃；所述清洗氣體包含有氟基氣體；所述清洗氣體中氟基氣體的體積占比為5...

本申請(qǐng)公開一種等離子刻蝕裝置及等離子刻蝕方法，涉及等離子刻蝕技術(shù)領(lǐng)域，所述等離子刻蝕裝置包括：腔體，所述腔體的頂部設(shè)有允許主刻蝕氣體的等離子體進(jìn)入的開口；第一勻氣柵格，連接所述腔體的內(nèi)頂部并覆蓋所述開口；第二勻氣柵格，位于所述第一勻氣柵...