本申請公開了一種超結MOSFET器件，涉及半導體功率器件技術領域，能夠改善器件使用過程中產生的應力和震蕩。該器件包括：襯底、襯底上的柱結構、位于柱結構上的柵極結構、以及形成于柱結構中的源極區；柵極結構包括：柵極引線和柵極區，柵極區包括：...

本申請公開一種超結MOSFET器件，涉及半導體功率器件技術領域，能夠改善超結MOSFET器件的抗干擾能力和動態特性。該超結MOSFET器件包括：晶圓襯底、位于晶圓襯底上的柱結構、位于柱結構上的多晶硅柵極層以及形成于柱結構中的源極區，多晶...

本申請公開了一種新型功率器件的制備方法及功率器件，涉及功率半導體器件技術領域，能夠解決SGT?MOSFET器件快關斷下Vds的應力過大的問題，進而可以提高器件的穩定性。所述方法包括：在第一襯底的第一表面形成外延層；在所述外延層上形成多個...

本申請公開了一種新型功率器件的制備方法及功率器件，涉及功率半導體器件技術領域，能夠解決熱插拔電路中功率器件因熱不穩定燒壞的問題。方法用于制備功率器件，功率器件中包括多個不同閾值電壓單元，功率器件開啟時按照閾值電壓由低到高的順序進行開啟，...

本申請公開了一種新型功率器件的制備方法及功率器件，涉及功率半導體器件技術領域，能夠解決SGT?MOSFET器件快關斷下Vds的應力過大的問題，進而可以提高器件的穩定性。所述方法包括：獲取第一襯底，所述第一襯底包括相對的第一表面和第二表面...

本申請公開了一種新型功率器件的制備方法及功率器件，涉及功率半導體器件技術領域，能夠解決SGT?MOSFET器件快關斷下Vds的應力過大的問題，進而可以提高器件的穩定性。所述方法包括：在第一襯底的第一表面刻蝕形成多個第一溝槽后，得到第一溝...

本發明公開一種基于PMOS管的IGBT器件及其制備方法，IGBT器件包括P+注入層、N型襯底、第一絕緣層、第一導電層、第二絕緣層以及第二導電層，N型襯底上形成有N?漂移區，N?漂移區上形成有P型阱和N型阱，P型阱上和N型阱上各自形成有兩...

本發明公開一種基于PMOS管的IGBT器件及其制備方法，方法包括以下步驟：提供一封裝框架；將IGBT芯片通過DAF工藝復合到所述封裝框架上；S3.在IGBT芯片表面涂膠；將PMOS晶圓通過DAF工藝復合到IGBT芯片上；將PMOS漏極與...

本發明公開一種基于PNP三級管的IGBT器件及其制備方法，方法包括以下步驟：提供一封裝框架；將IGBT芯片通過DAF工藝復合到封裝框架上；在IGBT芯片表面涂膠；將PNP三級管晶圓通過DAF工藝復合到IGBT芯片上；將PNP三極管集電極...

本發明公開一種基于PNP三級管的IGBT器件及其制備方法，IGBT器件包括P+注入層、N型襯底、第一絕緣層、第一導電層、第二絕緣層及第二導電層，P+注入層上構造有IGBT集電極，N型襯底上形成有N?漂移區，N?漂移區上形成有兩個P型阱，...

本申請實施例公開了一種智能功率模塊，涉及功率模塊技術領域，包括：引線框架，所述引線框架上設有加長管腳組；第一基島組和第二基島組，所述第一基島組和第二基島組均設于所述引線框架上；驅動芯片組，所述驅動芯片組設于所述第一基島組上并通過導線與所...

本發明涉及一種IGBT器件結構及其制備方法。IGBT器件結構包括：IGBT器件；PMOS管；PMOS管的漏極與所述IGBT發射極電連接，所述PMOS管的柵極與所述IGBT柵極電連接。本發明的IGBT器件結構中，通過在IGBT器件的IGB...

本發明涉及一種IGBT器件結構及其制備方法。IGBT器件結構包括：電路板；第一芯片，位于電路板上；第一芯片內具有IGBT器件；第二芯片，位于第一芯片的上方；第二芯片包括PMOS管；PMOS管的漏極經由電路板與IGBT發射極電連接，PMO...

本發明涉及半導體技術領域

本發明涉及半導體技術領域

本發明涉及半導體技術領域

本發明提供一種屏蔽柵溝槽

本發明提供一種多功能屏蔽柵溝槽型功率器件及其制作方法，該器件具有調節焊盤

本發明提供一種反并聯二極管的

本發明提供一種具有結溫檢測二極管的溝槽型