本技術提供了一種噴嘴堵塞檢測裝置。所述噴嘴堵塞檢測裝置包括：氣源箱；第一氣體管路，其第一端與所述氣源箱連接，其第二端耦接至位于機臺工藝腔內的噴嘴的進氣端，以使所述氣源箱內的氣體通過所述第一氣體管路并輸送至所述噴嘴；第二氣體管路，其第一端...

本技術提供了一種薄膜電阻測試設備，包括檢測腔，所述檢測腔包括相對的第一側壁和第二側壁；載臺，置于所述檢測腔內，用于放置待測試晶圓；第一連接桿，與所述第一側壁沿第一方向可移動連接；第二連接桿，與所述第二側壁沿所述第一方向可移動連接；第一四...

本技術提供了一種刻蝕設備?？涛g設備包括晶圓裝載腔；帶風機環境室，包括風機，用于將氣體送入至帶風機環境室內；傳送機構，用于將待刻蝕的晶圓傳送至工藝腔中進行刻蝕；第一電連接回路，包括串聯連接的第一電源、第一開關、風機和繼電器；第二電連接回路...

本技術提供了一種用于輔助安裝蓋環的治具。所述用于輔助安裝蓋環的治具包括：支撐柱，所述支撐柱具有相對的第一端部與第二端部；至少兩個相對設置的支桿，所述支桿具有相對的第一端部與第二端部，所述支桿的第一端部連接至所述支撐柱的第一端部，所述支桿...

本技術提供了一種反應腔結構，所述反應腔結構包括腔體、吸盤以及遮擋板。所述遮擋板環繞所述吸盤的側壁并嵌套設置于所述腔體內，且所述遮擋板的外輪廓與所述腔體的側壁的輪廓相適配、并與所述腔體的側壁具有一間隙，在垂直于所述吸盤的頂面的方向上，所述...

本申請涉及半導體加工技術領域，提供一種修整裝置及應用其的化學機械研磨設備，包括修整器和保濕器，修整器包括呈橢球形結構的懸臂組件，懸臂組件包括懸臂主體部和懸臂蓋合部，懸臂蓋合部能夠蓋合懸臂主體部的第一開口，保濕器包括保濕噴頭和保濕管路，保...

本公開涉及晶體管和半導體裝置。該晶體管包括：襯底，在襯底中設置有具有第一摻雜類型的有源區；設置于有源區上的柵極結構；設置于有源區中的位于柵極結構的相對側的具有第二摻雜類型的源極區和漏極區，其中，源極區與漏極區在與襯底的厚度方向平行的第一...

本技術提供了一種外延裝置，包括反射板以及插塞，所述反射板具有朝向一鐘罩的第一表面，所述反射板的第一表面設置有多根燈管，所述反射板上具有散熱通孔，所述散熱通孔設置在至少一個所述燈管在所述反射板的垂直投影的兩側，并能夠將插塞插入所述散熱通孔...

本申請提供了一種光照裝置，用于向放置于載物臺上的待光照物體進行光照；所述光照裝置包括：透光板，位于所述載物臺上方，所述透光板具有透光窗口；反射鏡組，位于所述透光板上方；聚光模塊，設置于所述反射鏡組與所述透光板之間；至少一光源，用于發射光...

本技術提供了一種晶圓預抽真空裝置，包括：腔體，用于放置待處理晶圓；水汽檢測機構，包括檢測器和控制器，檢測器耦接至腔體、用于檢測腔體內的水汽含量并輸出一檢測結果，控制器用于接收檢測器的檢測結果、并在腔體內的水汽含量超過一設定閾值時輸出一控...

本技術提供一種晶圓吸附裝置。晶圓吸附裝置包括：吸附手臂，用于吸附晶圓，所述吸附手臂內設置有真空通道，所述吸附手臂的第一表面包括至少一吸附孔，所述吸附孔與所述真空通道連通；真空管路，與所述吸附手臂的真空通道連通，用于提供真空環境；清洗管路...

本申請提供了一種用于檢測晶圓殘留的裝置，包括投射部、接收部和調節部；所述投射部，其用于沿預設投射方向投射出檢測光束于待檢測晶圓上；所述調節部，其位于所述檢測光束的預設反射方向上，用于調整接收到的反射光束的角度以使反射光束被所述接收部接收...

本公開涉及一種光芯片結構及其制備方法、電子設備，包括：襯底；介質層，位于襯底上；多層金屬結構，位于介質層上，多層金屬結構的最上層為金屬阻擋層；光反射層，位于金屬阻擋層上；氧化層，位于光反射層上；阻擋層，位于目標通孔的側壁上，目標通孔形成...

本申請涉及一種灰塵清理裝置。灰塵清理裝置包括天車、調節機構、清掃件和吸塵件，天車沿天車軌道的縱長延伸方向可移動地設于天車軌道上，調節機構設于天車上，清掃件與調節機構相連，且朝向天車軌道的內壁設置。調節機構用于驅動清掃件繞平行于第一方向的...

本發明提供一種半導體測試結構及其測試方法。本發明通過模擬靜態隨機存儲器的版圖結構，設計測試單元包括第一組晶體管與第二組晶體管，晶體管中連接至共享接觸結構的有源區與柵極之間具有第一間距，并設計多個所述測試單元的第一間距逐漸增大，通過對測試...

本發明提供一種驗證設計規則檢查文件正確性的方法，包括以下步驟：提供一包括多個端子的測試版圖；提供預設的DRC文件，該文件包括對測試版圖中不同端子的電氣連接性關系的定義；提供一程序語言，將其應用于預設的DRC文件中，并對測試版圖進行DRC...

本發明提供一種IGBT器件及其制備方法，通過在多個金屬層之間的封裝窗口內填充封裝層并顯露元胞區結構的發射極金屬層與柵極金屬層，不僅可以實現元胞區結構中的發射極層及溝槽柵的電性引出，而且增加了器件的密封性，同時可以為器件結構提供支撐作用，...

本申請提供了一種氣體噴淋頭及沉積設備，所述氣體噴淋頭包括：外圈，所述外圈的內部分布有多個沿高度方向延伸的第一氣孔，所述第一氣孔連通所述外圈的頂面和所述外圈的底面；內圈，設于所述外圈的內部，所述內圈的內部分布有多個沿高度方向延伸的第二氣孔...

本申請提供一種去氣泡裝置、濃度測量裝置及半導體清洗機，其中，去氣泡裝置包括主管路、濃度計采樣口、第一液體傳感器、第二液體傳感器和電動閥門。主管路包括下入口和上出口，下入口用于采樣液進入主管路。濃度計采樣口設置在主管路上并朝向下側，用于使...

本申請提供了一種薄膜沉積的方法，在預定溫度下每次沉積在晶舟表面以及爐管表面的第一薄膜都進行650℃的退火處理，使晶舟表面以及爐管表面的第一薄膜的應力趨于0，可有效消除應力累計。重復的沉積與退火處理，直至晶舟表面以及爐管表面的薄膜沉積至第...