本申請實施例提供一種掃描測試電路、方法及芯片。該掃描測試電路包括待測試電路，監測模塊及控制模塊，通過復用待測試電路在進行掃描測試時所必需的第一信號輸入端，將第一信號輸入端與監測模塊的測試信號輸入端連接，使得測試信號輸入待測試電路時可同時...

本申請涉及集成電路技術領域，公開了一種用于測量感應溫度的二極管的電壓的電路。所述二極管的陰極耦合到電壓源，陽極通過偏置電流源耦合到電荷泵電源，所述電路包括：運算放大器，其第一輸入端通過一單位電阻耦合到所述二極管的陽極，第二輸入端耦合到所...

本申請涉及集成電路領域，公開一種模數轉換器，包括：積分器與積分器耦合的子模數轉換結構，其包括：比較器陣列以及電阻網絡，比較器陣列包括2

本申請涉及汽車方向盤領域，公開了一種方向盤離手檢測系統，可以根據電壓的值或值的變化確定是否方向盤離手。該系統包括：交流電流源，被配置為輸出第一頻率的電流大小恒定的交流電流；第一電極層和第二電極層；檢測電路，被配置為檢測第一頻率的電壓，檢...

本申請涉及汽車技術領域，公開了一種方向盤離手檢測裝置、方向盤和車輛，解決現有方向盤離手檢測無法確定是單手離手還是雙手離手以及哪只手離手的問題。該方向盤離手檢測裝置設置于方向盤骨架內部的第一和第二導電體、設置于方向盤骨架外部的第三和第四導...

本申請涉及集成電路領域，公開一種振蕩器結構及包括振蕩器結構的模數轉換系統，該結構包括：比較器，其第一輸入端連接第一電容的一端和第一電源端并通過開關連接地端；參考電壓生成電路，其包括第一電阻，第一電阻的一端連接第二電源端并提供參考電壓；電...

本申請涉及電子技術領域，公開了一種基于秒脈沖的時鐘同步的數據采集裝置、系統及方法，該裝置包括：直接數字式頻率合成器，用于接收外部晶振產生的時鐘源并根據倍頻參數產生基礎時鐘；第一分頻器，用于接收外部輸入的秒脈沖信號并進行分頻產生門閘信號；...

本申請實施例提供一種偏移自校準電路、方法、芯片及系統。其中，電路包括依次連接的檢測端、檢測開關組件、信號處理模塊和校準模塊，以及相互連接的信號發生模塊和校準通路開關組件，校準通路開關組件與信號處理模塊連接；在校準通路開關組件閉合，檢測開...

本申請實施例提供一種薄膜電阻器、半導體器件和芯片。該薄膜電阻器包括：襯底、阱區、第一隔離結構、第一氧化層、第二氧化層、層間介質層和電阻膜層，襯底中摻雜有第一類型的離子，阱區摻雜有第二類型的離子，第一類型的離子與第二類型的離子的極性相反；...

本申請實提供一種模數轉換器非線性修正方法、裝置、設備以及存儲介質，涉及模數轉換器非線性處理方法，上述方法通過獲取模數轉換器的傳遞函數曲線；根據傳遞函數曲線和標準曲線，判斷模數轉換器輸出的轉換結果是否需要修正；若轉換結果需要進行修正，則利...

本申請實施例提供了一種電容器及芯片，涉及芯片設計領域。其中，電容器包括：襯底、阱區、第一有源區、第二有源區、多晶硅以及電容器本體。襯底摻雜有第一類型的離子，阱區形成于襯底的表面，并從襯底的表面延伸至襯底的內部。阱區摻雜有第二類型的離子，...

本申請實施例提供了一種導聯通道的狀態檢測電路、方法及芯片，其中，導聯通道的狀態檢測電路，包括：第一類型導聯通道、第二類型導聯通道、第一檢測模塊、第一狀態輸出模塊和第二狀態輸出模塊。第一類型導聯通道、第一檢測模塊和第一狀態輸出模塊依次連接...

本申請實施例提供了一種電容器及芯片，電容器包括：襯底、阱區、第一有源區、第二有源區、多晶硅第一區域、多晶硅第二區域、多晶硅第三區域以及電容器本體。襯底摻雜有第一類型的離子，阱區形成于襯底的表面，并從襯底的表面延伸至襯底的內部，阱區摻雜有...

本申請實施例涉及一種版圖的生成方法、裝置、電子設備和介質。該方法包括：獲取多個端口各自的第一位置信息和第一連接信息；根據每個端口的所述第一連接信息和多個候選子模塊各自的第二連接信息，確定所述每個端口匹配的目標子模塊，所述目標子模塊為所述...

本申請實施例提供一種觸發器、半導體器件和芯片。該觸發器包括控制電路、時鐘發生電路和至少一個一級鎖存電路；控制電路包括控制連接端、第一連接端、第二連接端、第三連接端、第四連接端、至少一個第五連接端和至少一個第六連接端，第一連接端和第二連接...

本申請實施例提供一種增益誤差的校準方法、裝置、計算機設備和介質，其中，該方法包括：獲取至少兩個增益誤差，每個增益誤差與至少兩個模擬數字轉換器ADC通道中的一個ADC通道對應；根據至少兩個增益誤差與預設的校準參考值，確定每個增益誤差對應的...

本申請實施例提供一種開關電容電路、半導體器件和芯片。該開關電容電路包括：運算單元、控制單元和至少兩個第一開關電容電路單元；每個第一開關電容電路單元的第一端均與信號輸入端電連接，每個第一開關電容電路單元的第二端均通過控制單元與運算單元的輸...

本申請實施例提供一種開關電容電路、半導體器件和芯片。該開關電容電路包括：開關組件、第一電容、第二電容、第三電容、控制開關和運算單元；信號輸入端通過所述開關組件與所述第一電容的第一極板電連接，所述第一電容的第二極板與所述運算單元的輸入端電...

本申請實施例提供一種電容器及芯片，涉及芯片設計領域。其中，電容器包括：襯底、阱區、多晶硅第一區域、多晶硅第二區域、有源區以及電容器本體。其中，襯底摻雜有第一類型的離子，阱區形成于襯底的表面，并從襯底的表面延伸至襯底的內部，阱區摻雜有第二...

本申請實施例提供一種壓擺率調整電路、方法及芯片。其中，電路包括：一級放大器、二級放大器、比較器和跨導放大器，比較器的第一輸入端與第一信號線連接，第二輸入端與第二信號線連接，輸出端與第一開關器件的輸入端連接；跨導放大器的第一輸入端與第一信...