本發(fā)明提供了一種用于用戶線接口電路的高壓驅動電路及系統(tǒng)，包括：上驅動電路I11和下驅動電路I22；所述上驅動電路I11和下驅動電路I22形成推挽輸出結構。本發(fā)明使用差分對放大方案，而調整管采用了CASCODE(套筒)結構，CASCODE...

本發(fā)明提供了一種應用于X射線探測器的低噪聲圖像讀取電路和裝置，模塊M3工作過程包括：第一步，在每一次工作前對上一次結果進行復位；第二步，為電容C1抓取電壓，此時模塊M2是復位狀態(tài)；第三步，為電容C2抓取電壓，此時模塊M2設置成正常狀態(tài)；...

本發(fā)明提供了一種用于TFT顯示系統(tǒng)的電荷補償方法及電路，所述方法包括：在信號輸入階段，通過TFT開關接收電荷信號，并在開關狀態(tài)切換時記錄由TFT開關引入的誤差電荷量；配置成比例的補償電容陣列，每個補償電容的下極板連接到高參考電壓或低參考...

本發(fā)明提供了一種自適應環(huán)境光補償電路，針對光電測量系統(tǒng)中環(huán)境光干擾問題，通過集成模擬電路實現(xiàn)高精度環(huán)境光補償。該電路采用PMOS、NMOS晶體管及多種放大器、電阻、電容和開關元件，構建了一種能夠自適應調節(jié)并消除環(huán)境光電流影響的系統(tǒng)。與現(xiàn)...

本發(fā)明提供了一種低壓工作條件下實現(xiàn)低導通電阻的模擬開關電路及電子設備，PMOS晶體管MP1和NMOS晶體管MN1源漏相連，MP1的襯底接肖特基二極管D1的負端，MN1的襯底接地；通過第一反相器INV1和第二反相器INV2產生兩個相反的控...

本發(fā)明提供了一種檢測時間可調的時鐘檢測電路、方法及設備，包括：緩沖器單元的輸入端連接CLK信號端，緩沖器單元的正極連接VDD端緩沖器單元的負極接地，緩沖器單元的輸出端連接儲能單元能的輸入端，儲能單元的輸出端分別連接水平鉗位單元的一端和比...

本發(fā)明提供了一種高、低邊高壓采樣接口電路，包括：LDO電路、高壓比較器電路、非交疊時鐘電路和采樣開關；所述LDO電路與高壓比較器電路相連接，所述高壓比較器電路與非交疊時鐘電路相連接，所述非交疊時鐘電路與采樣開關相連接。本發(fā)明的一個目的是...

本技術提供了一種基于SOI工藝的雙埋層懸浮電極Vertical?PNP結構，包括：絕緣體上硅結構，在絕緣體上硅結構中的一片硅片中依次堆疊設置有P型埋層BP和濃N型埋層DBN，且濃N型埋層DBN的面積大于P型埋層的面積，P型埋層作為Ver...

本發(fā)明提供了一種芯片上電自動申請主機配置ROMID的方法和系統(tǒng)，在芯片上電后，把電擦寫只讀存儲器中的數據加載到讀數據池中，如果器件是否編寫過的標志位為1，即ROMID_Ready寄存器為1時，表示此芯片已經獲取器件編號ROMID，無需再...

本發(fā)明提供了一種襯底電壓調節(jié)系統(tǒng)及方法，涉及襯底電位調節(jié)技術領域，包括：電流鏡單元、襯底電壓產生單元、谷值電壓充電單元；利用電流鏡單元鏡像輸入的偏置電流Ibias，為襯底電壓產生單元提供一個從VPP到VNN的偏置電流，該電流流經襯底電壓...

本發(fā)明提供了一種適用于超聲醫(yī)療設備的高壓模擬開關電路,包括：電位平移電路、主開關柵極驅動電路、高壓MOS管HN1、高壓MOS管HN2；電位平移模塊的輸入端連接LOGIC_INPUT端，電位平移電路的輸出端連接主開關柵極驅動電路的輸入端；...

本發(fā)明提供了一種無器件編號的單總線裝置及其操作方法，包括：單總線DQ：用于數據通訊，支持通訊復位命令、串行輸出命令、廣播通知命令、溫度轉換命令和讀取溫度命令；第一通訊接口：連接至單總線DQ，用于主機與單總線上的器件進行數據通訊；第二通訊...

本發(fā)明提供了一種數字溫度傳感器的溫度誤差曲線修正方法及系統(tǒng)，包括：利用數字溫度傳感器獲取實際數字溫度輸出；利用數字溫度傳感器中內嵌的一階delta?sigma?ADC曲線修正參數表對實際溫度輸出進行溫度誤差曲線修正；所述利用數字溫度傳感...

本發(fā)明提供了一種脈寬調制高分辨率平滑的專用集成電路實現(xiàn)方法和系統(tǒng)，包括：步驟1：源時鐘通過分頻電路產生N分頻的PWM波形，N為分頻系數；步驟2：配置當前占空比的值M，則PWM的占空比為M/N，其中M<＝N；步驟3：配置目標占空比的...

本發(fā)明提供一種SLIC通信總線方法及系統(tǒng)，包括：步驟S1：上位機編碼器MasterEncoder提取所需數據并保存；同時記錄中斷的信息并保存；將保存的SPI數據、PCM數據進行編碼；步驟S2：判斷SPI數據和PCM數據獨立編碼或交織編碼...

本技術提供了一種引線上固定芯片的封裝結構，包括COL引線框架、載體假片、假片焊接劑、芯片焊接劑以及芯片，所述載體假片通過所述假片焊接劑與所述COL引線框架焊接連接，所述芯片通過所述芯片焊接劑焊接在所述載體假片的頂部。本技術通過預先焊接載...

本發(fā)明提供了一種基于SOI工藝的雙埋層懸浮電極Vertical?PNP結構及加工方法，包括：絕緣體上硅結構，在絕緣體上硅結構中的一片硅片中依次堆疊設置有P型埋層BP和濃N型埋層DBN，且濃N型埋層DBN的面積大于P型埋層BP的面積，P型...

本發(fā)明提供一種TX電路，包括：運算放大器U，運算放大器U的正相輸入端與外接電壓VREF連接，運算放大器U的反相輸入端連接有第二開關K2和第三開關K3，運算放大器U的輸出端連接有第一開關K1、第四開關K4及第五開關K5；第二開關K2的另一...

本發(fā)明提供了一種基于時序和電路的溫度轉換精度優(yōu)化方法和系統(tǒng)，包括：步驟1：引入一個溫度系數符合預設條件的電阻，串聯(lián)接在PNP的PTAT的電流通路，改變PNP管的負溫度特性；步驟2：通過正負溫度系數的PNP曲線，綜合得到溫度轉換的關鍵參數...

本發(fā)明提供了一種數字域校正溫度傳感器的電路優(yōu)化方法和系統(tǒng)，包括：將負溫度系數的電壓Vbep和Vben通過開關時序控制，產生對應的負溫度系數Vbep電壓和正溫度系數Dvbe電壓輸出到Sigam?Delt?ADC的核心電路OTA的輸入；通過...