本申請屬于半導體制造技術領域，提供了一種冷卻水金屬污染檢測裝置及冷卻設備，冷卻水金屬污染檢測裝置包括容納冷卻水的冷卻水箱、容納反應溶液的工藝槽、設于冷卻水箱內的金屬冷卻源以及控制冷卻水流出和回流的出水管和回水管，通過在出水管與所述冷卻水...

本申請屬于半導體技術領域，提供了一種藥液控制裝置、去膠設備，通過在第一儲液罐、第二儲液罐以及第二回流罐之間設置第一三通閥門，在第二儲液罐、第三儲液罐以及第三回流罐之間設置第二三通閥門，并由主控模塊監測第一儲液罐、第二儲液罐以及第三儲液罐...

本申請屬于半導體技術領域，提供了一種芯片打標方法及芯片，通過在芯片襯底上形成光刻膠層，然后在芯片襯底的指定區域進行激光打標，采用濕法工藝去除芯片襯底上的光刻膠層，最后采用洗滌塔工藝洗刷芯片襯底的表面，從而帶走隱藏在打標后的孔內以及飄散在...

本申請屬于半導體集成電路技術領域，尤其涉及一種TiN膜層形貌的刻蝕方法及TiN膜層。該方法包括：對待刻蝕膜層，首先以光刻膠為掩膜，對待刻蝕膜層中的氧化硅膜層進行刻蝕，使氧化硅膜層呈正八字形態；然后以呈正八字形態的氧化硅膜為掩膜，對待刻蝕...

本申請涉及一種濕刻裝置。該濕刻裝置包括酸槽、循環組件和夾具。酸槽用于盛裝腐蝕液，循環組件用于驅動腐蝕液在酸槽內循環流動夾具位于酸槽內，具有用于承裝晶片的安裝腔，夾具被構造為受控在酸槽內移動。本申請的濕刻裝置能夠避免因反應副產物附著于晶片...

本發明涉及一種濕法蝕刻機臺輔助補藥系統，包括：補藥控制器；換藥信號獲取單元，用于在獲取到濕法蝕刻機臺的換藥信號時，使補藥控制器停止動作；傳感器，與補藥控制器連接，并設于量杯中，用于檢測量杯的液位；其中，補藥控制器用于定時向濕法蝕刻機臺的...

本發明公開了一種金屬氧化物半導體場效應晶體管及其制備方法和應用。該金屬氧化物半導體場效應晶體管包括N型基體，N型基體的一側設有溝槽，N型基體內設有P

本發明公開了一種金屬氧化物半導體晶體管及其制備方法。該金屬氧化物半導體晶體管包括襯底層、外延層、體區、源區、第一柵介質層、柵極、并排依次緊靠的多個阻擋部和與多個所述阻擋部相對應的多個終端區；所述外延層設置于所述襯底層上，所述第一柵介質層...

本發明公開了一種垂直雙擴散金屬氧化物半導體晶體管及其制備方法和應用。該垂直雙擴散金屬氧化物半導體晶體管包括N型基體，N型基體的一側設有溝槽，N型基體內設有P

本發明公開了一種金屬氧化物半導體場效應晶體管及其制備方法和應用。該金屬氧化物半導體場效應晶體管包括N型基體，N型基體的一側設有溝槽，N型基體內設有P

本發明提供了一種去除半導體器件制造中的多晶硅殘留的方法，所述方法包括如下步驟：提供含有多晶硅殘留的半導體半成品，對所述半導體半成品進行預刻處理得到第一半導體半成品；其中，所述預刻處理的過程采用HBr和SF6的混合氣體進行處理；對所述第一...

本發明公開了一種場效應晶體管及其制備方法。該場效應晶體管包括外延層、柵極介質層、柵極場板、源極和漏極，外延層包括襯底和在襯底上依次層疊設置的溝道層、勢壘層和鈍化層，柵極介質層設置于鈍化層上，源極和漏極設置于柵極介質層的相對兩側；柵極介質...

本發明公開了一種具有場效應管及其制備方法。該場效應管包括外延層、柵介質層、柵極場板、源極和漏極，外延層包括襯底和在襯底上依次層疊設置的溝道層、勢壘層和鈍化層，柵介質層設置于鈍化層上，源極和漏極設置于柵介質層的相對兩側；柵介質層中設有暴露...

本發明涉及一種半導體結構、增強型高電子遷移率晶體管及其制備方法，包括：形成GaN外延結構，所述GaN外延結構包括：疊層結構及P?GaN層，所述P?GaN層形成于所述疊層結構的上表面；刻蝕所述P?GaN層，以形成柵極區域以及位于所述柵極區...

本發明涉及一種半導體器件及其制造方法：第一導電類型襯底；第一導電類型外延層，位于所述第一導電類型襯底上方；溝槽，位于所述第一導電類型外延層內；第一導電類型擴散區，位于所述第一導電類型外延層內，且位于所述溝槽外圍；第二導電類型外延層，位于...

本發明公開了一種檢測金屬層脫落的方法，包括：提供假片；于所述假片背面淀積金屬層；于所述金屬層上選定若干個測試區域；于所述金屬層表面形成拉力測試結構，所述拉力測試結構覆蓋所述測試區域；基于所述拉力測試結構檢測所述金屬層的脫落情況。本發明的...

本發明公開了一種深溝槽刻蝕方法，包括：提供襯底；在襯底上形成圖形化掩膜層，所述圖形化掩膜層內具有開口圖形，所述開口圖形定義出深溝槽的形狀及位置；使用包含NF

本發明涉及一種碳化硅晶圓減薄方法，其包括：在碳化硅晶圓背面淀積鋁；將所述碳化硅晶圓在高溫的反應氣體環境中進行熱退火，以使所述碳化硅晶圓背面的硅與所述鋁互溶，并使得碳析出；去除所述碳化硅晶圓背面的所述鋁、互溶的所述鋁、互溶的所述硅以及析出...

本發明涉及一種半導體器件制備方法，具體包括以下步驟：提供襯底；于包含第一元素的第一氣氛下對襯底進行第一次退火，以于襯底表面摻入第一元素；于第二氣氛下對襯底進行第二次退火，第二次退火的退火溫度低于第一次退火的退火溫度；于第三氣氛下對襯底進...

本發明屬于半導體技術領域，尤其涉及一種碳化硅絕緣柵場效應晶體管柵氧化層的制備方法。本發明提供的碳化硅絕緣柵場效應晶體管柵氧化層的制備方法，包括：在碳化硅外延片的表面生長多晶硅膜層，氧化多晶硅膜層，使得多晶硅膜層完全氧化形成二氧化硅柵氧化...