公開了一種具有光子晶體結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管（LED）及其制造方法。所述LED包括：支撐基底；下半導(dǎo)體層，位于支撐基底上；上半導(dǎo)體層，位于下半導(dǎo)體層之上；活性區(qū)域，位于下半導(dǎo)體層和上半導(dǎo)體層之間；光子晶體結(jié)構(gòu)，嵌入在下半導(dǎo)體層中。光子晶體結(jié)構(gòu)...

公開晶片級(jí)發(fā)光二極管封裝件及制造此的方法。該方法包括：在第一基板上形成多個(gè)半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體；準(zhǔn)備第二基板，該第二基板具有對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體而排列的第一電極和第二電極；將所述多個(gè)半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體結(jié)合到所述第二基板；在進(jìn)行所述結(jié)...

這里公開了一種高效發(fā)光二極管。所述發(fā)光二極管包括：半導(dǎo)體堆疊，位于支撐基底上方；反射金屬層，位于支撐基底和半導(dǎo)體堆疊之間以歐姆接觸半導(dǎo)體堆疊的p型化合物半導(dǎo)體層，并且具有暴露半導(dǎo)體堆疊的凹槽；第一電極焊盤，位于半導(dǎo)體堆疊的n型化合物半導(dǎo)...

本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供了發(fā)光二極管（LED）芯片和一種制造該發(fā)光二極管芯片的方法。根據(jù)示例性實(shí)施例的LED芯片包括：基底；發(fā)光結(jié)構(gòu)，布置在基底上；以及布置在基底下方的交替層壓底部結(jié)構(gòu)。交替層壓底部結(jié)構(gòu)包括多個(gè)電介質(zhì)對(duì)，每個(gè)電介質(zhì)對(duì)包括...

本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管（LED）組件及其制造方法。根據(jù)本發(fā)明，提供了一種LED組件，所述LED組件包括：LED，至少包括N型半導(dǎo)體層和P型半導(dǎo)體層；以及凸塊，設(shè)置在LED上并且電連接到半導(dǎo)體層，其中，凸塊包括由包含錫（Sn）的金化合物...

一種發(fā)光裝置包括：金屬背層；反射電極層，形成在金屬背層上方；多個(gè)納米棒，按矩陣布置形成在反射電極層上方。每個(gè)納米棒包括順序地堆疊在反射電極層上方的p半導(dǎo)體層、活性層和n半導(dǎo)體層?？狗瓷潆姌O層形成在納米棒上方，量子點(diǎn)設(shè)置在納米棒之間。所述...

一種發(fā)光二極管（LED）封裝件和一種制造該發(fā)光二極管（LED）封裝件的方法。LED封裝件包括基底。基底限定基底中的具有錐形形狀的腔、形成在腔的上端上的階梯部分和形成在腔的底部中的通孔。導(dǎo)電膜填充通孔并且形成在腔的側(cè)表面和底部上。LED具...

這里公開了一種包括電極焊盤的LED芯片。該LED芯片包括：半導(dǎo)體堆疊，包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上的第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層以及設(shè)置在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層與第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層之間的活性層；第一電極焊盤，位于第二導(dǎo)電類...

本發(fā)明提供了一種制造發(fā)光二極管的方法，該方法包括：在第一基底上形成具有至少第一半導(dǎo)體層的多個(gè)化合物半導(dǎo)體層；在化合物半導(dǎo)體層上設(shè)置第二基底；使化合物半導(dǎo)體層與所述第一基底分離，其中，形成所述多個(gè)化合物半導(dǎo)體層的步驟包括在所述第一半導(dǎo)體層...

本發(fā)明的示例性實(shí)施例公開了一種晶片級(jí)發(fā)光二極管封裝件，所述晶片級(jí)發(fā)光二極管封裝件包括：第一基板，具有導(dǎo)電通孔以及布置在第一基板的表面上的絕緣反射層和電極圖案；端子，第一基板布置在端子；第二基板，布置在第一基板上，第二基板包括形成空腔的開...

本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供了一種使用重復(fù)利用的基底制造發(fā)光裝置的方法，所述方法包括：在重復(fù)利用的基底上生長(zhǎng)化合物半導(dǎo)體層的步驟；通過(guò)化合物半導(dǎo)體層分離重復(fù)利用的基底的步驟；在半導(dǎo)體中形成多個(gè)腔的步驟；通過(guò)利用HF、KOH或NaOH中之一的...

提供了一種氮化鎵基III-V族化合物半導(dǎo)體發(fā)光裝置及其制造方法。所述氮化鎵基III-V族化合物半導(dǎo)體發(fā)光裝置包括：基板；形成在基板上的p型歐姆電極層；形成在p型歐姆電極層上的p型氮化鎵基III-V族化合物半導(dǎo)體層；形成在p型氮化鎵基II...

一種高效LED具有反光結(jié)構(gòu)以改善基板的內(nèi)反射效率并將由電極焊盤吸收的光的量最小化，由此改善發(fā)光效率。所述高效LED包括基板、n-半導(dǎo)體層、活性層、p-半導(dǎo)體層以及透明電極層。所述基板在其下側(cè)中具有多個(gè)錐形的凹陷，所述凹陷填充有反光填料。...

公開了一種發(fā)光二極管(LED)，該LED包括發(fā)光堆疊結(jié)構(gòu)以及在發(fā)光堆疊結(jié)構(gòu)上形成為具有圖案的電極結(jié)構(gòu)。該LED的電極結(jié)構(gòu)包括：反射體的集群，在發(fā)光堆疊結(jié)構(gòu)上沿所述圖案設(shè)置；以及焊盤材料層，形成為完全地覆蓋反射體。

所公開的是一種光提取效率提高的發(fā)光二極管(LED)。該LED包括位于基底上并具有第一半導(dǎo)體層、活性層和第二半導(dǎo)體層上的發(fā)光結(jié)構(gòu)。第一電極焊盤電連接到第一半導(dǎo)體層。第二電極焊盤位于基底上。絕緣反射層覆蓋發(fā)光結(jié)構(gòu)的一部分并位于第二電極焊盤的...

本發(fā)明公開一種具有歐姆電極結(jié)構(gòu)體的半導(dǎo)體發(fā)光元件及制造此的方法。根據(jù)本發(fā)明的一方面的半導(dǎo)體發(fā)光元件包括上部表面為N-面的發(fā)光結(jié)構(gòu)體和位于所述發(fā)光結(jié)構(gòu)體之上的歐姆電極結(jié)構(gòu)體。在此，所述歐姆電極結(jié)構(gòu)體從所述發(fā)光結(jié)構(gòu)體的N-面開始包括下部防擴(kuò)...

本發(fā)明提供了一種UV發(fā)光二極管及其制造方法。UV發(fā)光二極管包括：第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、有源層和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層，順序地形成在基底上；電極，形成在第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上；以及開口，通過(guò)去除第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、有源層、第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)...

公開了一種具有分布式布拉格反射器的發(fā)光二極管。該發(fā)光二級(jí)管包括布置在基底的第一表面上發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層和置于第一層和第二層之間的活性層。第一分布式布拉格反射器(DBR)布置在基底的與第一表面相對(duì)的第二表...

本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及包括位于基底上且適合用于AC驅(qū)動(dòng)的多個(gè)發(fā)光單元的發(fā)光二極管。發(fā)光二極管包括基底和形成在基底上的多個(gè)發(fā)光單元。每個(gè)發(fā)光單元包括處于發(fā)光單元的邊界處的第一區(qū)域和與第一區(qū)域相對(duì)的第二區(qū)域。第一電極焊盤形成在發(fā)光單元的第...

提供了一種發(fā)光裝置。該發(fā)光裝置包括：第一類型的半導(dǎo)體層，包括被粗化的表面；第二類型的半導(dǎo)體層；有源層，布置在第一類型的半導(dǎo)體層與第二類型的半導(dǎo)體層之間；第一電極，第二類型的半導(dǎo)體層的第一部分布置在第一電極上；蝕刻停止層，與第一電極隔開，...