本申請?zhí)峁┝艘环N雙極性SIC功率器件，包括：集電極，由多個集電極第一摻雜類型區(qū)和多個集電極第二摻雜類型區(qū)交替設(shè)置形成；襯底，由多個襯底第二摻雜類型區(qū)和多個襯底第一摻雜類型區(qū)交替設(shè)置形成；其中，所述襯底位于所述集電極之上；第二摻雜類型的外...

本申請涉及一種測試方法、裝置、計算機(jī)設(shè)備、計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)和計算機(jī)程序產(chǎn)品。所述方法包括：確定待檢測設(shè)備；識別所述待檢測設(shè)備對應(yīng)的通信端點(diǎn)，并生成與所述通信端點(diǎn)對應(yīng)的信息輸入界面；響應(yīng)通過所述信息輸入界面的接收到的輸入指令，獲取測試信...

本申請涉及一種芯片測試板、芯片驗證系統(tǒng)、芯片測試系統(tǒng)以及芯片測試方法，包括：待測芯片；socket插件，待測芯片放置于socket插件；FPGA芯片，并通過所述socket插件與待測芯片相連接；測試主芯片，與測試主機(jī)通信，通過FPGA芯...

本公開涉及一種集成電流采樣電阻的功率器件拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，包括：至少一個功率器件，至少一個功率器件用于形成至少一個單橋臂電路或至少一個單管電路；采樣電阻，采樣電阻形成于至少一個單橋臂電路的第一目標(biāo)位置或至少一個單管電路的第二目標(biāo)位置，并引出至少...

本申請?zhí)峁┝艘环N超級結(jié)IGBT器件，包括：襯底和外延層；多個第二摻雜類型柱區(qū)，在外延層內(nèi)沿橫向方向間隔設(shè)置；多個溝槽柵，每個溝槽柵自外延層的上表面向下形成，且各個溝槽柵在外延層內(nèi)沿橫向方向間隔設(shè)置；多個第二摻雜類型的體區(qū)，自外延層的上表...

本申請實(shí)施例涉及計算機(jī)數(shù)據(jù)處理技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種浮點(diǎn)變量處理方法、裝置、計算機(jī)設(shè)備和存儲介質(zhì)，該浮點(diǎn)變量處理方法包括：基于預(yù)設(shè)浮點(diǎn)指令從協(xié)處理器獲取待處理浮點(diǎn)變量，并將浮點(diǎn)變量轉(zhuǎn)換為定點(diǎn)變量；根據(jù)待處理浮點(diǎn)變量在預(yù)設(shè)坐標(biāo)空間中所處的...

本申請涉及計算機(jī)數(shù)據(jù)技術(shù)領(lǐng)域，具體地，涉及一種浮點(diǎn)數(shù)據(jù)處理方法、裝置、計算機(jī)設(shè)備和存儲介質(zhì)。該浮點(diǎn)數(shù)據(jù)處理方法，應(yīng)用于主處理器，主處理器嵌入有由反三角函數(shù)模塊構(gòu)成的協(xié)處理器，該方法包括：根據(jù)預(yù)設(shè)浮點(diǎn)指令從協(xié)處理器中獲取反三角函數(shù)的待處理...

本申請?zhí)峁┝艘环NGaN?HEMT器件的制備方法及GaN?HEMT器件。制備方法，包括如下步驟：形成第二摻雜類型的SIC材料的襯底；形成單獨(dú)的沿C軸生長的第一摻雜類型的SIC外延片；在SIC外延片的正面形成第一摻雜類型的電場終止層；其中，...

本公開涉及一種比較器芯片的測試設(shè)備及方法，測試設(shè)備包括：測試芯片插接部、數(shù)據(jù)更新模塊及控制器。測試芯片插接部包括芯片插座及芯片測試電路，芯片測試電路與芯片插座電連接，芯片插座用于與待測比較器芯片插接連接；數(shù)據(jù)更新模塊與芯片插座電連接，數(shù)...

本申請涉及一種測試信號處理方法、可編程邏輯器件、計算機(jī)設(shè)備、計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)和計算機(jī)程序產(chǎn)品。應(yīng)用于可編程邏輯器件，所述方法包括：通過至少一個第一接口接收對應(yīng)的第一測試信號；對各第一測試信號進(jìn)行分析，得到目標(biāo)數(shù)據(jù)，并通過第二接口發(fā)送目...

本申請公開了一種隨機(jī)測試方法、裝置及設(shè)備，涉及芯片驗證技術(shù)領(lǐng)域。該隨機(jī)測試方法包括：獲取目標(biāo)隨機(jī)測試變量對應(yīng)的目標(biāo)隊列，所述目標(biāo)隊列中記錄有所述目標(biāo)隨機(jī)測試變量的N個歷史隨機(jī)值，N為非負(fù)整數(shù)；基于所述目標(biāo)隊列，生成所述目標(biāo)隨機(jī)測試變量的...

本申請涉及一種SPI通信方法、裝置、設(shè)備、可讀存儲介質(zhì)和程序產(chǎn)品。可以應(yīng)用于包含多個串行外設(shè)接口的通信電路中，所述方法包括：對應(yīng)用程序編程接口的傳輸需求進(jìn)行解析，得到針對串行外設(shè)接口的配置要求，其中，所述傳輸需求包括：傳輸模式，幀類型，...

本申請?zhí)峁┝艘环NGaN?HEMT器件，包括：N型的低阻的襯底；接地的背面接地金屬，形成在襯底的背側(cè)；P型的SiC材料的外延層，形成在襯底的整個上表面，外延層的上表面分為外延層第一區(qū)域和外延層第二區(qū)域；第一通孔，自外延層第一區(qū)域向下形成，...

本申請實(shí)施例提供一種射頻功放器件及其制造方法，其中，射頻功放器件包括：第一基底；驅(qū)動放大器，形成于第一基底上；末級放大器，形成于第一基底上；電感組件，設(shè)置于第一基底上，分別與驅(qū)動放大器、末級放大器對應(yīng)電連接；所述電感組件包括：第二基底和...

本申請公開了一種散射參數(shù)去嵌方法、裝置及設(shè)備，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：獲取n個去嵌測試結(jié)構(gòu)件；根據(jù)第一導(dǎo)納和第二導(dǎo)納，構(gòu)造得到第一ABCD矩陣和第二ABCD矩陣；根據(jù)第三導(dǎo)納、第四導(dǎo)納和n條傳輸線中各傳輸線的長度，構(gòu)造得到n個第...

本申請?zhí)峁┝艘环NGaN?HEMT器件，包括：低阻的襯底；接地的背面接地金屬，形成在所述襯底的背側(cè)；P型的外延層，形成在所述襯底之上；?GaN?HEMT結(jié)構(gòu)層，所述GaN?HEMT結(jié)構(gòu)層包括有源區(qū)和高阻區(qū)；深孔，自所述高阻區(qū)的上表面向下形...

本申請實(shí)施例提供一種超結(jié)IGBT及其制造方法，其中，超結(jié)IGBT包括：漂移區(qū)；所述漂移區(qū)內(nèi)形成有柱區(qū)，柱區(qū)的導(dǎo)電類型與漂移區(qū)的導(dǎo)電類型相反；柱區(qū)沿漂移區(qū)的厚度方向延伸，多個柱區(qū)在漂移區(qū)內(nèi)并排且間隔設(shè)置；外延層，形成在漂移區(qū)的上表面；超結(jié)...

本公開涉及一種內(nèi)置紋波注入的電壓轉(zhuǎn)換電路、芯片及設(shè)備，電壓轉(zhuǎn)換電路包括：方波生成模塊、紋波生成模塊及比較模塊。方波生成模塊用于將直流電壓轉(zhuǎn)換為電壓方波信號，并向外部穩(wěn)壓單元輸出電壓方波信號；紋波生成模塊包括積分單元及濾波單元；積分單元用...

本申請公開了一種GaN功率放大器內(nèi)匹配設(shè)計方法、裝置、設(shè)備及存儲介質(zhì)，在獲取到GaN功率放大器采用的內(nèi)匹配拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)對應(yīng)的輸入?yún)?shù)的初始值后，利用貝葉斯優(yōu)化算法自動完成對輸入?yún)?shù)的數(shù)據(jù)擴(kuò)充、仿真結(jié)果的輸出以及最優(yōu)參數(shù)確定。根據(jù)本申請實(shí)施例...

本申請?zhí)峁┝艘环N功率模塊的檢測電路、檢測方法及檢測裝置，屬于電子技術(shù)領(lǐng)域；檢測電路包括：電源；第一開關(guān)模塊，第一開關(guān)模塊的第一端與電源的第一極電連接，第一開關(guān)模塊的第二端與待檢測的功率模塊的第一端電連接，功率模塊的第二端與電源的第二極電...