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    TCL科技集團股份有限公司專利技術

    TCL科技集團股份有限公司共有1134項專利

    • 本申請公開了一種復合材料、薄膜及其制備方法、發光器件及顯示裝置,所述復合材料包括量子點材料和第一材料,所述量子點材料包括量子點以及連接在所述量子點表面的配體,所述第一材料具有至少兩個交聯基團。本申請旨在改善現有量子點材料長期穩定性差的問題。
    • 本申請公開一種發光器件、發光器件的制備方法以及電子設備,所述發光器件包括:相對設置的陽極和陰極,設置于陽極與陰極之間的發光層,設置于陰極與發光層之間的電子功能層,以及設置于電子功能層與發光層之間的輔助層,輔助層包括連接基團,連接基團包含...
    • 本申請公開了一種復合薄膜、光電器件及顯示裝置,復合薄膜包括第二功能層和第一功能層,所述第一功能層包括功能單元,所述功能單元包括依次層疊的第一N型半導體層、P型半導體層和第二N型半導體層,且所述第一N型半導體層靠近所述第二功能層設置;其中...
    • 本申請實施例提供一種復合材料及其制備方法、薄膜及其制備方法、發光器件、顯示裝置。復合材料包括無機納米材料以及與無機納米材料表面連接的修飾材料,修飾材料包括酯類有機物和具有羧酸基團的有機物中的至少一種。本申請實施例通過采用修飾材料對無機納...
    • 本申請公開了一種薄膜及其制備方法、光電器件及顯示裝置,所述薄膜的材料包括N型半導體材料和第一材料,所述第一材料包括具有如下式(1)所示的結構的第一化合物中的一種或多種。本申請薄膜包括第一材料和N型半導體材料,所述第一材料可以鈍化N型半導...
    • 本申請提供一種發光器件及其制備方法、顯示裝置,其中,所述發光器件包括相對設置的陽極和陰極、設置于所述陽極和所述陰極之間的發光層、設置于所述陰極和所述發光層之間的電子傳輸層,其中,所述電子傳輸層的材料包括N型半導體材料和高折射率材料,所述...
    • 本申請提供了一種摘要生成方法、裝置、終端設備及計算機可讀存儲介質,該方法包括:獲取目標文本;確定所述目標文本中每個子標題對應的子標題標簽;基于各子標題對應的子標題標簽,生成目標文本的摘要。本申請提供的摘要生成方法,獲取到目標文本之后,當...
    • 本申請公開了一種光電器件及其制備方法及顯示裝置,制備方法包括以下步驟:提供預制器件,所述預制器件包括層疊的陰極和金屬層;在所述金屬層背離所述陰極的一側設置氧化鋅層;以及,形成陽極,得到光電器件;其中,所述金屬層的材料包括金、鉑中的一種或...
    • 本申請公開了一種復合材料的其制備方法、復合材料、光電器件和顯示裝置。所述復合材料的制備方法包括:提供前驅體溶液,所述前驅體溶液中包括Mxene、金屬陽離子源和第一溶劑;水熱處理,得到無機半導體粒子/Mxene復合材料溶液;對所述無機半導...
    • 本申請公開了復合材料及其制備方法、發光器件及顯示裝置。本申請的復合材料,包括第一金屬氧化物摻雜的n型金屬氧化物,其中,所述n型金屬氧化物的表面連接有帶負電性的有機基團,所述有機基團配位連接在所述n型金屬氧化物的表面,可以增加n型金屬氧化...
    • 本申請公開一種復合材料及其制備方法、發光器件、顯示裝置,涉及顯示技術領域。制備方法包括:提供PEDOT:PSS和烯烴共聚物,對PEDOT:PSS進行堿性處理,得到復合材料前驅體溶液,復合材料前驅體溶液中包括PSS部分脫落的PEDOT:P...
    • 本申請實施例提供一種復合薄膜及其制備方法、發光器件及其制備方法、顯示裝置。復合薄膜包括層疊設置的無機納米顆粒層和修飾層,修飾層的材料包括鈣鈦礦材料;無機納米顆粒層包括無機納米材料以及與所述無機納米材料表面連接的配體,至少部分所述配體與所...
    • 本申請提供了一種視頻處理方法、裝置、終端設備及計算機可讀存儲介質,該方法包括:獲取待處理視頻中的待屏蔽目標;確定待屏蔽目標在待處理視頻中每個視頻幀的目標位置;對各視頻幀中的目標位置進行屏蔽處理,得到處理后的目標視頻。本申請提供的視頻處理...
    • 本申請提供了一種電致發光器件的時延測量方法、系統、設備與存儲介質,方法包括:控制發光裝置以預設波長的光照射光電探測器;控制信號發生器生成驅動信號;通過光電探測器待測電致發光器件在驅動信號輸入下所產生的目標示波信號;基于驅動信號與目標示波...
    • 本申請公開了一種發光器件及其制備方法、顯示裝置。本申請的發光器件,通過溶膠凝膠法形成所述第一電子傳輸層,以及形成包括所述第一電子傳輸層和所述第二電子傳輸層的電子功能層,能夠提升電子功能層的電子遷移率以及提高界面接觸性,從而提高發光器件的...
    • 本申請公開了一種薄膜及其制備方法、光電器件及顯示裝置。本申請的薄膜的制備方法,包括:提供第一膜層,所述第一膜層包括氧化物顆粒;對所述第一膜層進行氣氛處理,得到薄膜;其中,所述氣氛處理中使用的氣體中包括硫化氫氣體,所述硫化氫氣體的體積分數...
    • 本申請公開了一種發光器件及其制備方法、顯示裝置。本申請的發光器件,通過靠近發光層的所述第一電子傳輸層中的第一無機材料的表面連接有鹵素配體,一方面鹵素配體可以提高第一無機材料的導帶能級的位置,從而增加了發光層與電子功能層之間界面的勢壘,可...
    • 本申請公開了一種文本生成方法、裝置、計算機設備及計算機可讀存儲介質,該方法包括:獲取待處理文本及預先構建的提示信息;基于提示信息對待處理文本進行情節及時間關系提取,得到待處理文本的第一時間情節信息;基于第一時間情節信息和待處理文本,生成...
    • 本申請公開了一種發光器件及其制備方法、顯示裝置。本申請的發光器件,在靠近發光層的所述第一電子傳輸層中包括碳原子數為4~12的長碳鏈配體,而第二電子傳輸層上連接的第二配體包括碳原子數為1~3的短鏈配體或羥基配體中的一種或多種,通過第一電子...
    • 本申請公開了一種發光器件及其制備方法、顯示裝置。本申請的發光器件,所述電子功能層包括第一電子傳輸層和第二電子傳輸層,靠近所述陰極一側的第一電子傳輸層中的材料包括第一摻雜氧化鋅,增加了電子遷移率;而靠近發光層一側的第二電子傳輸層中的氧化鋅...
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