本發(fā)明涉及發(fā)光元件和發(fā)光元件的制造方法，目的在于得到保護膜與半導(dǎo)體層的密合性優(yōu)異的發(fā)光元件。本發(fā)明的發(fā)光元件為倒裝芯片型的發(fā)光元件，具備：形成在基板的主面上的緩沖層；形成在緩沖層上的n型AlGaN層；以及在至少一部分n型AlGaN層上依...

本發(fā)明涉及的鈣鈦礦型復(fù)合氧化物粉末包含La并且還包含選自由Sr、Ca、Co、Ni、Mn、Fe組成的組中的至少1種元素，所述鈣鈦礦型復(fù)合氧化物粉末的BET比表面積小于6.0m2/g，并且滿足下述式(1)。1≤{(D90B?D10B)/D5...

本發(fā)明提供在用于導(dǎo)電性糊劑等時能夠帶來優(yōu)異的細線印刷性的球狀銀粉。一種球狀銀粉，其基于激光衍射法的體積基準的累積10％直徑D<subgt;10</subgt;、累積50％直徑D<subgt;50</subgt;和...

本發(fā)明提供一種銀粉的制造方法和該銀粉，其能夠制備可以獲得具有期望的線寬和高度的布線圖案的導(dǎo)電性糊劑。銀粉的制造方法包括：利用氣流粉碎機(2)將聚集銀粉破碎的破碎工序；和利用風力分級機(3)將破碎工序后的銀粉分級的分級工序，聚集銀粉的含水...

本發(fā)明提供在用于導(dǎo)電性糊劑等時能夠帶來優(yōu)異的印刷性和低溫燒結(jié)性的球狀銀粉。一種球狀銀粉，其基于激光衍射法的體積基準的累積50％直徑D<subgt;50</subgt;相對于BET直徑D<subgt;BET</su...

本發(fā)明提供一種塊狀銀粉，其BET比表面積為0.5m<supgt;2</supgt;/g以下，觀察100個以上銀顆粒截面時的、長寬比的平均值為1.2以上且小于2.0、并且下述(式1)所示的銀顆粒的周長相對于外接長方形的周長之比...

本發(fā)明提供一種能夠降低線電阻的銀粉及其制造方法。一種銀粉，其中，在通過激光衍射散射式粒度分布測定裝置測定的體積基準的粒度分布中，累積50％粒徑為3μm以上，并且10μm以上的顆粒的比率為10％以下，關(guān)于通過基于SEM圖像的圖像分析觀察到...

提供發(fā)光中心波長大于320nm且小于350nm的、可得到大的發(fā)光功率輸出的紫外發(fā)光元件及其制造方法。發(fā)光元件(100)依次具備：由具有Al組成比x的Al<subgt;x</subgt;Ga<subgt;1?x</...

提供具有高的發(fā)光輸出和發(fā)光效率的發(fā)光元件和其制造方法。本發(fā)明的發(fā)光元件具有：n型半導(dǎo)體層；InAsSbP活性層，其在前述n型半導(dǎo)體層上、且至少包含In、As；p型半導(dǎo)體層，其在前述InAsSbP活性層上、且與前述InAsSbP活性層晶格...

本發(fā)明提供不僅抑制載流子濃度且為低位錯密度、而且位錯密度為零的區(qū)域的面積在GaAs晶圓面中所占的比例較大的GaAs晶圓。一種GaAs晶圓，其特征在于，所述GaAs晶圓具有：1.0×10<supgt;17</supgt;cm&...

本發(fā)明提供作為導(dǎo)電性糊劑使用時，即使使線寬變細也不易引起斷線、與以往相比體積電阻率小的銀粉、以導(dǎo)電性填料的形式包含銀粉的導(dǎo)電性糊劑和銀粉的制造方法。銀粉是作為銀顆粒的聚集體的銀粉，其表觀密度為8.2g/cm<supgt;3<...

提供一種適合于可低溫焙燒的導(dǎo)電性糊劑的導(dǎo)電性填料的銀粉及其制造方法。銀粉的制造方法包括：在銀氨絡(luò)合物水溶液中添加唑類而得到第一液體的唑添加工序；在第一液體中添加還原劑而得到第二液體的還原劑添加工序；以及在第二液體中添加脂肪酸而得到第三液...

本發(fā)明的鈣鈦礦型復(fù)合氧化物粉末如下：對用掃描型電子顯微鏡取得的SEM圖像進行圖像解析而算出的鈣鈦礦型復(fù)合氧化物粉末的最大弗雷特直徑的幾何標準偏差值為1.01以上且低于1.60，根據(jù)圖像解析而直接算出的面積值B與假定前述鈣鈦礦型復(fù)合氧化物...

提供在沒有改變表面處理劑的種類的情況下將該銀粉糊劑化進行電極形成時成為低電阻的銀粉的制造方法。在銀粉的制造工序中，在銀粉的漿料中添加包含采用激光衍射式粒度分布測定法得到的體積基準的累計50％粒徑D<subgt;50</sub...

本發(fā)明所述的載體芯材由鐵氧體顆粒構(gòu)成，含有CaSiO<subgt;3</subgt;，真密度為3.5g/cm<supgt;3</supgt;以上且4.5g/cm<supgt;3</supgt;以下的范...

提供適于用于將鋰離子二次電池的正極活性物質(zhì)粒子的表面用作為固體電解質(zhì)的鈮酸鋰被覆的鈮酸鋰的前體溶液的制備的

本發(fā)明提供一種銀粉及其制造方法

本發(fā)明提供在具有偏離角的

本發(fā)明提供一種具有能夠降低焙燒后的體積電阻率的粉體物性的銀粉及其制造方法。銀粉的振實密度為4.8g/mL以上，該振實密度(g/mL)除以體積基準的中值粒徑(μm)而得到的值即TAP/D50值為7以上且15以下，比表面積為0.75m2/g...

提供一種振實密度為0.8～1.9g/mL，基于激光衍射散射式粒度分布測定的累積50％粒徑(D