本發明提供了測量殘余靜電吸附力的裝置和方法。該裝置包括周向分布的多個頂針支撐座、多個壓力傳感器、多個真空貫通件、固定底板及數據處理模塊。每個所述頂針支撐座的上端部設置一個所述壓力傳感器；每個所述頂針支撐座的下端部固定在所述固定底板上；每...

本發明提供了晶圓升降機構、半導體器件的加工裝置、調平方法及存儲介質。所述晶圓升降機構包括支撐座、至少三根頂桿及控制器。所述支撐座設于加熱盤的下方，其上設有至少三個傳感器。所述至少三根頂桿的第一端向上穿過所述加熱盤的頂桿過孔，并被位于所述...

本發明公開了一種半導體背面沉積基座，其包括：面板、中間基板和底部基板，所述面板、所述中間基板和所述底部基板依次層疊設置，所述面板與所述中間基板之間共同圍合成進氣腔室，所述面板上設有若干連通所述進氣腔室的噴淋孔；所述底部基板與所述中間基板...

本發明提供了晶圓升降機構、半導體器件的加工裝置、加工方法及存儲介質。所述晶圓升降機構包括支撐座、多根頂桿及控制器。所述支撐座設于加熱盤的下方，其上設有多個支撐件。所述支撐件中設有沿多個水平方向設置的橫向壓控驅動器。所述多根頂桿的第一端向...

本發明提供了一種等離子體生產組件及薄膜沉積設備，所述等離子體生產組件包括罩設件、射頻件和至少一個磁性件，所述罩設件圍合形成反應腔；所述射頻件沿所述罩設件的周向固設在所述罩設件的外表面，用于在所述反應腔內產生等離子體區域；所述磁性件可移動...

本發明公開了一種半導體背面沉積基座，其包括：噴淋面板組件，連接于所述噴淋面板組件底部中心的基柄，嵌設于所述基柄內的進氣管；其中，所述噴淋面板組件內設有進氣腔室，所述進氣腔室內還設有擋板，所述進氣管連通于所述進氣腔室，且所述進氣管的上端部...

本發明公開了一種應急加熱裝置及半導體設備，加熱目標由加熱源直接加熱或應急加熱裝置輔助加熱，應急加熱裝置包括加熱包和電磁裝置，加熱包與加熱源或加熱目標表面接觸，加熱包中包含加熱物質，加熱物質接觸氧氣會產生熱量，電磁裝置被安裝于加熱包的一側...

本發明提供了一種薄膜沉積工藝的氣體緩沖罐及半導體器件的加工裝置。所述薄膜沉積工藝的氣體緩沖罐，位于氣源與工藝腔室之間，其特征在于，所述氣體緩沖罐中包括：罐體，包括進氣口及出氣口，用于預存目標氣壓的混合氣體，以定量、恒壓地向所述工藝腔室提...

本技術提供了一種改善晶圓冷卻效果的晶圓固化設備，包括：工藝腔室以及氣路系統。所述氣路系統連接至所述工藝腔室，并與所述工藝腔室內的氣體分配裝置密封連通；所述氣路系統包括氣體管路、包裹在氣體管路外的制冷裝置；所述氣路系統為所述工藝腔室提供溫...

本發明公開了一種進氣系統，半導體器件的工藝設備和工藝方法。進氣系統包括：第一混氣部，向反應腔下方的晶圓中心通入沉積氣體或保護氣體；第二混氣部，圍繞第一混氣部，向晶圓邊緣周向通入保護氣體或刻蝕氣體；以及控制器，被配置為：控制第一混氣部通入...

本技術提供了一種氣相反應物的供給系統及一種薄膜沉積設備。所述氣相反應物的供給系統包括第一供給模塊及第一吹掃模塊。所述第一供給模塊用于向工藝腔室提供氣相的第一反應物。所述第一吹掃模塊包括第一吹掃氣源、第一儲存罐及至少一個第二儲存罐。所述第...

本技術公開了一種用于沉積工藝的導流塊、上蓋板結構和沉積設備。導流塊包括：第一導流部，包括上窄下寬的梯形圓柱體，用于使從上端接收的工藝氣體沿所述梯形圓柱體的斜面向下導流；以及第二導流部，設于所述第一導流部之下，并包括向所述導流塊的中心延伸...

本發明提供了一種用于測量晶圓偏心的裝置及方法。該裝置包括：周向分布的多個頂針支撐座、多個壓力傳感器、多個真空貫通件、固定底板及數據處理模塊；每個所述頂針支撐座的上端部設置一個所述壓力傳感器；每個所述頂針支撐座的下端部固定在所述固定底板上...

本技術涉及半導體制造設備技術領域，更具體的說，涉及一種抽氣環組件及半導體反應腔體。本技術提供了一種抽氣環組件，至少包含一個抽氣環與一個限制環：所述抽氣環，設置在腔室側部，用于將腔室內的氣體抽出；所述抽氣環，側面開設有若干抽氣孔；所述限制...

本發明公開了一種晶圓載盤的校準機構，其包括：載盤，連接于所述載盤的底部中心的支撐件以及校準組件，所述支撐件內沿長度方向設有通腔，所述校準組件包括定位柱以及用于檢測所述定位柱的位移檢測傳感器單元；所述定位柱穿設于所述通腔，且頂部固定連接于...

本發明公開了一種螺栓、半導體設備及螺栓的制作方法，螺栓包括螺栓本體、彈性件以及密封件，彈性件的一端插入螺栓本體內，另一端與密封件配合；密封件具有與螺栓本體的凹槽間隙配合的第一狀態以及與螺栓本體的凹槽緊密配合的第二狀態。在本發明中，密封件...

本發明公開了一種雙層噴淋板結構，包括：噴淋上板、噴淋下板以及密封結構，噴淋上板與噴淋下板可拆卸式連接；噴淋上板與噴淋下板之間連接有密封結構。通過實施本發明的結構可實現避免傳統焊接工藝導致的噴淋板平面度變形、小孔圓度和孔徑不精確等問題，同...

本發明公開了一種薄膜沉積設備的前驅體容器的打液控制方法，包括以下步驟：向薄膜沉積腔室通入反應氣體；向薄膜沉積腔體通入化學源；判斷前驅體容器是否需要補液；若是則向前驅體容器中補充化學源；若否則起射頻進行薄膜沉積工藝。本發明的薄膜沉積設備的...

本發明公開了一種閥門設備、半導體器件的加工設備和加工方法。閥門設備的輸出端連接反應腔，所述閥門設備包括：閥體，其內部設有氣道，且在所述閥體的內壁上設有出氣口，以供氣體輸出；閥板，可活動地設于所述閥體中，通過調整所述閥板的位姿，以調節所述...

本發明提供了一種工藝腔室包括：加熱盤，用于承載待加工的晶圓，并對其進行薄膜沉積工藝；第一襯套，包括搭接部和第一彎折部，其中，所述搭接部搭接于所述加熱盤的邊緣，所述第一彎折部位于所述搭接部的外圍，其外端伸入一第二襯套的第二彎折部；以及所述...