本申請提供了一種窄線寬半導體激光器及制作方法，屬于半導體激光器技術領域，用于解決窄線寬激光器價格較高，且機械穩定性較差的問題

本發明公開了一種半導體光放大器，在厚度方向上包括：有源層波導，兩側為

本發明公開了一種擴散用石英舟及其擴散方法，屬于光電子技術領域，包括擴散舟本體；擴散舟本體包括舟體和設置在舟體底部的弧形部；弧形部向與石英管內壁接觸面的方向凸起，用以減少舟體底面與石英管內壁之間的距離

本申請實施例公開了一種半導體激光器端面光學薄膜鍍膜方法和半導體激光器，本申請實施例提供的光學薄膜鍍膜方法，采用電子回旋共振濺鍍機微波離子源對激光器的出光腔面和背光腔面進行清洗，能夠有效去除腔面的氧化物殘留，避免后續腔面出現雜質，會直接影...

本申請實施例公開了一種芯片電極制備方法和半導體器件，芯片電極制備方法先在晶圓上形成電極光刻圖形，而后形成金屬膜，而后不剝離的金屬膜之上涂上光刻膠，形成電鍍光刻圖形，之后再通過為金屬膜上電進行電鍍，可以在金屬膜之上電鍍金屬層，進而增加電極...

本申請提供了一種晶圓涂膠裝置及方法，包括盛具、取料部、動力部和加熱部，盛具用于盛放光刻膠，取料部用于固定晶圓，加熱部設置在取料部上，用于加熱晶圓，取料部設置在盛具的上方，動力部與取料部相連接，用于帶動取料部上下移動，以使晶圓接觸光刻膠和...

本申請提供了一種復合鈍化層及其制作方法、光電設備，包括第一BCB鈍化層、SiO2層和第二BCB鈍化層，所述第一BCB鈍化層用于設置在基底上，所述SiO2層設置在所述第一BCB鈍化層遠離所述基底的一側，所述第二BCB鈍化層設置在所述SiO...

本發明公開了一種激光器芯片的老化條件獲取方法、系統及芯片篩選方法。其中激光器芯片的老化條件獲取方法包括：根據不同的設定電流值，對激光器芯片進行分組；對每組激光器芯片進行升溫老化試驗，獲取每個設定電流值下的極限溫度；獲取每個設定電流值下和...

本申請實施例公開了一種薄膜組結構、光電器件和光電器件的調節方法，薄膜組結構包括了多個薄膜層和連接于多個薄膜層中至少一個薄膜層的電極，通過電極的設置可以為多個薄膜層中的至少一個薄膜層施加偏電壓，通過調整施加在某層薄膜上的偏置電壓就可以調控...

本申請提供了一種激光器芯片、制備方法及激光器，屬于激光器技術領域，用于解決電鍍外觀粗糙、各處電鍍厚度不一的問題。本申請的激光器芯片包括：襯底、第一絕緣層及光刻膠層。第一絕緣層覆蓋于襯底的背面上。光刻膠層覆蓋于第一絕緣層上。本申請的激光器...

本申請實施例公開了一種電極制作方法、電極和半導體器件，在晶圓表面沉積金屬層，金屬層通常由若干種金屬分層沉積于晶圓表面，通常選用鈦、鉑、金、鍺、鎳等能夠保護半導體材料和易導電的金屬，在本申請中，金屬層包括金屬鈦、鉑、金層，在晶圓表面的電極...

本申請提供了一種光電探測器和光電設備，包括TO

本發明公開了一種高速激光器及其制作方法，該激光器包括襯底以及位于襯底上方的有源層，有源層包括下限制層、量子阱層和上限制層；有源層兩側分別為P型InP層和N型InP層，共同形成橫向p

本申請實施例公開了一種激光器和激光器的制備方法，其中本激光器包括了襯底和共用一個襯底的光柵波導結構、無源波導結構和DFB激光器結構，在使用過程中，激光器加正向電壓激射產生激光，激光的一部分從光柵波導結構中進入無源波導結構中，無源波導結構...

本申請公開了一種半導體激光器的測試方法、裝置、計算機設備及可讀存儲介質，涉及光通信技術領域，方法包括：響應于半導體激光器的測試指令，在第一預設溫度條件下測試半導體激光器的光譜特性，得到光譜特性數據；根據多個波長的多個第一強度，確定主峰和...

本發明提供了一種脊型波導DFB激光器及其制作方法，所屬芯片制造技術領域，脊型波導DFB激光器包括：外延結構，外延結構上設置有凹槽，外延結構的下方設有N面電極，外延結構的上方沉積有SiO2層，SiO2的上方設有P面電極；外延結構包括：N

本發明公開了一種增透膜及其制作方法，其中增透膜包括：襯底、SiNx薄膜和SiO2薄膜；所述襯底為InP或GaAs；所述SiNx薄膜和所述襯底相接，所述SiO2薄膜和所述SiNx薄膜相接，所述SiO2薄膜設置在所述SiNx薄膜遠離所述襯底...

本申請實施例公開了一種激光器，包括：下限制層；多量子阱層，設置在所述下限制層上，所述多量子阱層的多量子阱對數為3對至6對，所述下限制層的帶隙與所述多量子阱層的帶隙差值為0.12eV至0.24eV；上限制層，設置在所述多量子阱層上，所述上...

本發明公開了一種提高波長分布均勻性的激光器制作方法，該方法包括：在晶圓形成之前，對于同一個波長通道，采用兩種或兩種以上的光柵周期設計；然后利用該晶圓制作激光器。進一步，根據該波長通道的中心波長和波導等效折射率確定光柵周期，同時該波導等效...

本發明公開了一種窄線寬半導體激光器及其制備方法，涉及半導體光芯片技術領域，主要目的是降低窄線寬激光器的制備難度和成本，并提高其結構穩定性。本發明的主要技術方案為：該窄線寬半導體激光器包括DFB增益區、深刻蝕光柵區和無源波導區；DFB增益...