本實(shí)用新型公開(kāi)了一種安全型房屋建筑基坑支護(hù)裝置，涉及到建筑基坑技術(shù)領(lǐng)域，包括頂板和兩個(gè)支撐柱，頂板的底端兩側(cè)均設(shè)置有支撐柱，頂板的頂端兩側(cè)均設(shè)置有移動(dòng)板，且兩個(gè)移動(dòng)板相互遠(yuǎn)離的一端均通過(guò)銷(xiāo)軸活動(dòng)設(shè)置有擋板，頂板的頂端兩側(cè)均開(kāi)設(shè)有滑槽。本...

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種公路施工用的整平設(shè)備，涉及到公路整平設(shè)備領(lǐng)域，包括固定板，固定板的正下方設(shè)置有連接板，連接板的中部正下方設(shè)置有安裝板，安裝板的兩側(cè)均固定連接有震動(dòng)刮板，震動(dòng)刮板遠(yuǎn)離安裝板的一端上表面固定連接有阻尼連接件，兩個(gè)阻尼連接...

本實(shí)用新型公開(kāi)的屬于建筑施工技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種建筑施工用鋼筋定位結(jié)構(gòu)，包括定位架和定位塊，所述定位架上設(shè)置有滑動(dòng)槽，所述定位架表面上設(shè)置有刻度，所述定位架側(cè)壁上設(shè)置有固定孔，所述滑動(dòng)槽上均勻設(shè)置有定位塊，所述定位塊上設(shè)置有固定槽，所述...

一種三五族半導(dǎo)體器件，包括:具有源極區(qū)及漏極區(qū)的襯底、源極，設(shè)置于襯底且對(duì)應(yīng)于源極區(qū)、漏極，設(shè)置于襯底且對(duì)應(yīng)于漏極區(qū)、柵極，設(shè)置于源極及漏極之間、第一保護(hù)層，具有第一凹槽及第二凹槽分別設(shè)置在源極及漏極上，且覆蓋部分襯底，且于柵極及源極與...

一種縮短線寬的半導(dǎo)體器件，包括晶圓、設(shè)置于晶圓上的第一保護(hù)層、第二保護(hù)層、及柵極。第一保護(hù)層設(shè)有多個(gè)孔洞，孔洞的孔徑為300奈米至500奈米；第二保護(hù)層設(shè)置于第一保護(hù)層上及多個(gè)孔洞內(nèi)，第二保護(hù)層設(shè)有多個(gè)開(kāi)口以暴露出晶圓的部分表面，開(kāi)口的...

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種基坑支撐梁和基坑內(nèi)支撐結(jié)構(gòu)，包括基坑，所述基坑的內(nèi)部底端設(shè)置有底梁架，所述基坑的內(nèi)部頂端設(shè)置有頂梁架，所述底梁架與頂梁架之間設(shè)有橫梁桿，所述橫梁桿的兩端均焊接有縱向連接梁，所述縱向連接梁的兩端依次貫穿在底梁架的頂端與...

一種物理氣相沉積設(shè)備，包括除氣室、等離子體室以及反應(yīng)室，其中除氣室用以去除半導(dǎo)體組件上的水分，等離子體室通過(guò)感應(yīng)耦合式等離子體清潔半導(dǎo)體組件的表面以及填補(bǔ)半導(dǎo)體組件的表面懸浮鍵結(jié)，以及反應(yīng)室對(duì)半導(dǎo)體組件實(shí)施鍍膜工藝以在半導(dǎo)體組件的表面形...

一種量測(cè)組件可用于量測(cè)高電子遷移率晶體管的特性，包括探針及探棒，探針具有探針本體及設(shè)置在探針本體一端的尖端，探針本體具有第一導(dǎo)電金屬及披覆于第一導(dǎo)電金屬的絕緣層，尖端為接觸金屬。探棒具有第二導(dǎo)電金屬及披覆于第二導(dǎo)電金屬的第三金屬層；探針...

一種用于超聲波振蕩清洗的載具盒，載具盒是由上蓋、肋部及四個(gè)側(cè)框架所構(gòu)成的立方空心矩形結(jié)構(gòu)，肋部與上蓋相對(duì)設(shè)置，載具盒用以承載零件并設(shè)置于清洗槽中以進(jìn)行超聲波振蕩清洗。其特征在于，上蓋具有窗口，且窗口設(shè)置有多個(gè)不同尺寸的卡合孔和間隔孔，卡...

一種三五族半導(dǎo)體器件，包括襯底、設(shè)置于襯底上的外延層、及設(shè)置于外延層上的多個(gè)接觸區(qū)。其中，外延層包括多個(gè)通道，通道由外延層延伸至部份襯底并暴露出襯底的表面，每?jī)蓚€(gè)通道之間具有主動(dòng)區(qū)，且于主動(dòng)區(qū)內(nèi)至少包含兩個(gè)接觸區(qū)。此三五族半導(dǎo)體器件能以...

一種化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)包括承載臺(tái)、噴灑頭、及網(wǎng)篩。承載臺(tái)用以承載晶圓；噴灑頭具有多個(gè)噴孔且連接等離子體產(chǎn)生部；網(wǎng)篩設(shè)置于噴灑頭與承載臺(tái)之間，并相對(duì)于噴灑頭的噴孔。其中，由射頻電源提供射頻電壓，而于噴灑頭與承載臺(tái)之間產(chǎn)生電場(chǎng)，使得等離子體產(chǎn)...

一種機(jī)器人手臂的校正系統(tǒng)，機(jī)器人葉片用于持住晶圓，透過(guò)機(jī)器人手臂將晶圓傳送至腔室，其特征在于，機(jī)器人手臂的校正系統(tǒng)包括校正治具及對(duì)準(zhǔn)治具。校正治具具有激光模塊及孔道，校正治具的孔道設(shè)置于機(jī)器人葉片的第一凹槽內(nèi)，校正治具的激光模塊設(shè)置于機(jī)...

一種碎片收集裝置，用以自生產(chǎn)設(shè)備腔體收集碎片，其特征在于，包括碎片回收箱、第一管件與第二管件，碎片回收箱具備第一連通孔以及第二連通孔，第一連通孔與所述第二連通孔相對(duì)設(shè)置于碎片回收箱的兩側(cè)板上，而且第一連通孔與第二連通孔之間具備高度差，第...

一種三五器件半導(dǎo)體組件，其特征在于，包括:襯底；外延層，具有源極區(qū)及漏極區(qū)且設(shè)置于襯底上，且于外延層對(duì)應(yīng)漏極區(qū)的位置具有突出的外延結(jié)構(gòu)；源極電極，設(shè)置外延層上且對(duì)應(yīng)源極區(qū)；漏極電極，設(shè)置于突出的外延結(jié)構(gòu)上且對(duì)應(yīng)漏極區(qū)；以及柵極，設(shè)置于外...

一種半導(dǎo)體器件，包括襯底、外延層、源極、漏極及柵極。外延層設(shè)置于襯底上，外延層具有源極區(qū)、漏極區(qū)及設(shè)置于源極區(qū)與漏極區(qū)之間的溝槽。源極設(shè)置于外延層上且對(duì)應(yīng)源極區(qū)的位置。漏極設(shè)置于外延層上且對(duì)應(yīng)漏極區(qū)的位置。柵極設(shè)置于源極與漏極之間且設(shè)置...

一種三五族半導(dǎo)體組件，包括襯底、源極、漏極以及T型柵極，源極、T型柵極、漏極位于襯底上，源極與漏極設(shè)置于T型柵極的兩側(cè)，其特征在于，T型柵極包括頂部與底部，頂部具備第一寬度，底部具備第二寬度，其中第一寬度大于第二寬度，而且第一寬度等于源...

一種半導(dǎo)體外延器件，包括襯底、應(yīng)力中和層以及外延層，其中襯底包括第一表面以及與第一表面相對(duì)的第二表面，應(yīng)力中和層設(shè)置于襯底的第二表面，外延層設(shè)置于襯底的第一表面。本實(shí)用新型披露的半導(dǎo)體外延器件通過(guò)應(yīng)力中和層與外延層之間的應(yīng)力相互抵消，令...

一種具改質(zhì)襯底的半導(dǎo)體外延器件，包含襯底、氧化層、碳化層及氮化鎵外延層，其中，氧化層為設(shè)置在襯底上、碳化層設(shè)置在氧化層上、氮化鎵外延層設(shè)置在碳化層上，據(jù)此具改質(zhì)襯底的半導(dǎo)體外延器件透過(guò)對(duì)成本低廉的襯底改質(zhì)，碳化層可提升氮化鎵外延層的晶格...