本發明提供一種晶圓減薄裝置及其減薄方法，涉及晶圓減薄技術領域，包括第一電動轉臺、第二電動轉臺、真空吸盤座和承載塊，承載塊的底面對稱安裝有電動伸縮桿，電動伸縮桿的輸出軸與第一電動轉臺固定連接，還包括兩個承載塊之間設置有第一安置箱和第二安置...

本技術公開了一種多結疊層砷化鎵太陽能電池，若干個砷化鎵電池并排間隔設置在散熱器的上表面，且散熱器的上表面凸設在聚光罩其底端開設的開口內；散熱器的左右兩端均設有導風罩，散熱器遠離砷化鎵電池的一側設有多個散熱翅片，且散熱翅片位于兩個導風罩設...

本發明公開一種太陽能電池的金屬電極剝離方法及裝置，在光刻工藝中只涂敷一層光刻膠，無需二次曝光，通過調整光刻膠層的厚度、曝光強度和顯影時間即可實現預期的倒梯形圖形界面，然后蒸鍍上厚度小于光刻膠層的金屬電極，達到所需金屬電極和光刻膠層，以及...

本發明公開一種紅光Vcsel結構及其制造方法，紅光Vcsel結構包括襯底、緩沖層、N型DBR反射層、諧振腔層和P型DBR反射層；諧振腔層包括由下至上依次層疊的Al<subgt;0.5</subgt;In<subgt;0...

本發明公開一種柔性太陽能電池及其制備方法，采用柔性襯底代替現有技術的剛性襯底與兩片臨時襯底鍵合制備雙光面太陽能電池，既減小了太陽能電池的體積和重量，大幅提高重量比功率，又增加了空間的伸縮性，適用范圍廣，還引入了帶固定支架的熱剝離膜，帶固...

本發明提供了一種低串聯電阻的Vcse?l結構及其制備方法，包括依序GaAs襯底、GaAs緩沖層、第一N型DBR反射層、諧振腔層、第二N型DBR反射層，其中，所述第二N型DBR反射層遠離GaAs的表面層生長高參雜的帽層形成金屬歐姆接觸層，...

本發明公開了一種含DBR結構的空間三結太陽能電池及制備方法，包括按序設于Ge襯底上的緩沖層、第一隧穿結、DBR結構、InGaAs中電池、第二隧穿結、GaInP頂電池和帽層，所述DBR結構包括交替疊設的若干對Al<subgt;x&l...

本申請提供了一種較大溫度范圍內獲得較高增益的VCSEL結構，包括在2

本發明公開了一種多結垂直腔面發射激光器結構及其制備方法，其結果由下至上包括襯底、緩沖層、第一DBR反射層、諧振腔和第二DBR反射層，諧振腔包括垂直堆疊的多組多量子阱層，相鄰兩組多量子阱層中間通過隧穿結相連接；每組多量子阱層頂部分別設有氧...

本申請提供了一種具有高溫特性的大氧化孔徑垂直腔面發射激光器，其采用金屬有機化學氣相外延沉積方法在GaAs襯底上生長而成，自下至上依次包括GaAs緩沖層、第一N型DBR反射層、第二N型DBR反射層、第三N型DBR反射層、諧振腔層、P型DB...

本實用新型提供了一種MOCVD中外延生長的石墨盤，包括石墨柱、載片槽和緩沖層，所述載片槽設于石墨柱的中心，所述緩沖層為載片槽外圍的石墨柱，所述載片槽的邊沿高于緩沖層。本產品通過將載片槽與邊緣的石墨柱在平面上設置高度差，相當于在生產加工時...

本申請提供了一種具有高溫特性的大氧化孔徑垂直腔面發射激光器，其采用金屬有機化學氣相外延沉積方法在GaAs襯底上生長而成，自下至上依次包括GaAs緩沖層、第一N型DBR反射層、第二N型DBR反射層、第三N型DBR反射層、諧振腔層、P型DB...

本實用新型涉及晶圓片電極測量技術領域，公開了一種測量晶圓片電極厚度的臺階儀，包括儀器底座、外殼及密封門，外殼固定于儀器底座的上端，且外殼的前側通過鉸鏈安裝有密封門，儀器底座的頂端安裝有水平移動組件和拱形架，水平移動組件的頂端電動旋轉安裝...

本申請提供了一種高性能倒裝紅外LED外延結構及其生長方法，采用金屬有機化學氣相外延沉積(MOCVD)方法在GaAs襯底上自下而上依次生長包括Ga0.5InP腐蝕截止層、n型GaAs歐姆接觸層、n型Al0.1GaAs電流拓展層、n型Al0...

本實用新型涉及芯片清洗技術領域，公開了一種防止清洗液帶出的石英缸，包括缸體，所述缸體的外壁四周一體成型有環形回收槽，所述環形回收槽的內底面由斜面依次相連而成，且所述環形回收槽的前、后對角位置均為斜面高處，所述環形回收槽的左、右對角位置均...

一種DFB激光器外延結構，從下至上依次包括InP襯底、InP緩沖層、N型InGaAsP分別限制異質結、MQW、P型InGaAsP分別限制異質結、P型InP腐蝕阻擋層、P型InGaAsP光柵層、P型InP波導層和InGaAs歐姆接觸層，其...