本發明提供了太陽能電池及其制備方法、光伏組件，涉及太陽能技術領域。太陽能電池包括：P型半導體層，以及位于P型半導體層的至少一側的表面上的鈍化層；鈍化層包括至少三層氧化鋁層形成的疊層結構；至少三層氧化鋁層包括：由含氫的氧化劑為氧源進行原子...

本發明公開一種堿性含氟廢水處理方法、系統及光伏堿性含氟廢水處理系統，涉及廢水處理技術領域，使得堿性含氟廢水被有效利用，避免造成資源的浪費。堿性含氟廢水處理方法包括對堿性含氟廢水進行堿性處理，得到處理液；對處理液進行固液分離處理，獲得可外...

本發明公開了一種太陽能電池的制造方法、上料工裝及絲網印刷設備，涉及光伏技術領域，用于降低半導體基片由腐蝕溶液內取出后，半導體基片的帶液概率。所述太陽能電池的制造方法包括：提供一半導體基片。該半導體基片具有的相對的第一面和第二面中的至少一...

本發明公開了一種太陽能電池的制作方法和太陽能電池，涉及太陽能電池技術領域，以解決在形成重摻雜區的過程中，會影響輕摻雜區，進而降低太陽能電池性能的問題。該太陽能電池的制作方法包括：對半導體基底的第一面進行處理以形成摻雜源層。采用激光照射工...

本申請公開一種廢氣監測自動控制系統和方法，涉及自動化控制技術領域。控制平臺以及與所述控制平臺通信連接的廢水處理結構，所述廢水處理結構包括依次連接的多級噴淋塔組件、分別和每級所述噴淋塔組件連接的加藥組件，以及與最后一級所述噴淋塔組件連接的...

本發明公開了一種太陽能電池的制作方法、太陽能電池和電池串，涉及太陽能電池技術領域，以解決主柵與硅基底接觸，破壞鈍化層，導致開路電壓降低，影響光電轉換效率的問題。所述太陽能電池的制作方法包括：在半導體基底的一面形成發射極層，半導體基底和發...

本發明公開了一種太陽能電池和太陽能電池的制作方法，涉及太陽能電池技術領域，以解決Poly層厚度較厚，導致載流子傳輸路徑較長，光寄生吸收嚴重，進而影響TOPCon電池的電池效率的問題。所述太陽能電池包括：半導體基底、超薄介質層、鈍化層、第...

本技術公開一種選擇性發射極電池及光伏組件，涉及光伏技術領域。以提高橫截面為矩形的SE電池中電極結構對載流子的收集能力。選擇性發射極電池包括半導體基底和多個集電電極。半導體基底具有的第一面和第二面的輪廓包括交替分布的第一邊和第二邊。第一邊...

本發明公開了一種太陽能電池的制造方法，涉及太陽能電池技術領域，以在太陽能電池的第二面具有絨面結構的情況下，提高該太陽能電池的光電轉換效率。所述太陽能電池的制造方法包括：在基底的第一面上依次形成至少經第一導電粒子摻雜獲得的第一摻雜半導體層...

本申請涉及一種硅晶片加工用擴散爐，包括：爐管，其用于放置待擴散件；進氣管，包括進氣口和出氣口，所述進氣口位于所述爐管外，所述出氣口伸入所述爐管內，用于向爐管通入攜源氣體；多個加熱件，設置于所述爐管的外側表面，且所述多個加熱件繞所述爐管周...

本申請涉及一種硅晶片加工用擴散爐，包括：爐管，其用于放置待擴散件；進氣管，包括進氣口和出氣口，所述進氣口位于所述爐管外，所述出氣口伸入所述爐管內，用于向爐管通入攜源氣體；多個加熱件，設置于所述爐管的外側表面，且所述多個加熱件繞所述爐管周...

本發明提供了一種太陽能電池的制備方法及太陽能電池，涉及太陽能電池技術領域。方法包括：在電池基體的第一表面上設置掩膜層；在掩膜層中開設槽體，使得電池基體的第一表面上待設置金屬電極的區域裸露；在剩余的掩膜層上，以及電池基體的第一表面上待設置...

本申請公開了一種太陽能電池鍍膜舟片和鍍膜舟，太陽能電池鍍膜舟片包括多個舟片本體以及緊固件；多個舟片本體沿其長度方向依次排布，舟片本體沿其厚度方向具有相對設置的頂部和底部，其中，相鄰兩個舟片本體中，其中之一舟片本體由頂部向其中另一舟片本體...

本發明提供一種太陽能電池的制備方法，所述制備方法包括以下步驟：在透明導電氧化物層上制備第一金屬氧化物層，所述第一金屬氧化層具有納米多孔陣列結構；刻蝕所述第一金屬氧化物層和透明導電氧化物層，并在所述透明導電氧化物層上形成多個納米孔；在所述...

本實用新型提供了一種中央真空設備，其中，包括：抽真空裝置，其包括至少兩個并聯設置的抽真空部件；負壓裝置，其與所述抽真空裝置通過第一連接組件連接，所述負壓裝置包括至少兩個并聯設置的負壓部件；吸附裝置，其與所述負壓裝置通過第二連接組件連接，...

本發明提供了一種硅片切割面的鈍化方法及硅片，涉及半導體制備技術領域。鈍化方法包括：僅將硅片的切割面裸露；先采用一氧化二氮對硅片的切割面進行化學鈍化；再采用一氧化二氮和三甲基鋁對硅片的切割面進行場鈍化。對硅片的切割面進行了化學鈍化和場鈍化...

本發明提供了一種背接觸太陽電池及生產方法、電池組件，涉及太陽能電池技術領域。背接觸太陽電池包括：電池基體；電池基體包括：硅基底，位于硅基底的背光面的第一區域的第一半導體層，層疊在第一半導體層的端部區域的阻擋層，層疊在阻擋層以及硅基底的背...

本申請實施例提供了一種太陽能電池片、電池串、光伏組件及光伏器件制備方法。該太陽能電池片包括：柵線電極和非金屬阻隔層，柵線電極連接有接電點，柵線電極的鄰近接電點至少一部分以及柵線電極的至少一部分被非金屬阻隔層覆蓋。層覆蓋。層覆蓋。

本申請公開了一種太陽能電池片電鍍裝置，涉及太陽能光伏技術領域。太陽能電池片電鍍裝置的電鍍腔相對的兩側設置有供太陽能電池片進出的開口，電鍍腔內設置有與電鍍電源的正極電連接的陽極；電鍍腔外設置有與所述電鍍電源的負極電連接的導電機構，導電機構...

本申請提供一種降低光寄生吸收的晶硅電池，其包括晶硅基底，所述晶硅基底的受光面依次層疊設置有氧化硅層、第一摻雜多晶碳化硅層和鈍化減反射層，所述晶硅基底的背光面依次層疊設置有氧化硅層、第二摻雜多晶碳化硅層和鈍化減反射層，其中，在所述第一摻雜...