本發(fā)明提供一種研磨墊溝槽深度的檢測方法，包括如下步驟：控制研磨盤旋轉(zhuǎn)至初始位置，控制拋光頭移動(dòng)至預(yù)設(shè)位置，拋光頭上的探測器可向研磨墊發(fā)射檢測光；控制拋光頭帶動(dòng)探測器按照預(yù)設(shè)運(yùn)動(dòng)軌跡運(yùn)動(dòng)；獲取拋光頭運(yùn)動(dòng)軌跡下方的第一系列值并計(jì)算研磨墊的研...

本發(fā)明提供了一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)及發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制備方法。該發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)包括：基板；多個(gè)發(fā)光單元，間隔設(shè)置于基板的一側(cè)，相鄰兩個(gè)發(fā)光單元之間具有第一間隙；第一絕緣介質(zhì)層，位于基板具有發(fā)光單元的一側(cè)，第一絕緣介質(zhì)層覆蓋每個(gè)發(fā)光單元的側(cè)壁...

本申請?zhí)峁┝艘环N晶圓鍵合對準(zhǔn)方法、晶圓鍵合方法和晶圓鍵合對準(zhǔn)設(shè)備。該晶圓鍵合對準(zhǔn)方法包括：測量相對間隔設(shè)置的第一測距元件和第二測距元件之間在第一方向上的間距S<subgt;0</subgt;；控制第二測距元件測量第一晶圓的鍵...

本技術(shù)公開了一種晶圓承載盤及晶圓承載裝置，應(yīng)用于晶圓承載領(lǐng)域，晶圓承載盤包括晶圓承載盤主體；晶圓承載盤主體中開設(shè)有多個(gè)晶圓承載凹槽；多個(gè)晶圓承載凹槽沿預(yù)設(shè)方向依次排列設(shè)置，且多個(gè)晶圓承載凹槽之間的尺寸沿預(yù)設(shè)方向減小；多個(gè)晶圓承載凹槽的底...

本申請涉及一種半導(dǎo)體生產(chǎn)系統(tǒng)，半導(dǎo)體生產(chǎn)系統(tǒng)包括傳送盒、承載臺和氣體循環(huán)啟閉裝置。其中，傳送盒包括傳送盒進(jìn)氣口和傳送盒排氣口。承載臺包括承載臺進(jìn)氣口和承載臺排氣口。氣體循環(huán)啟閉裝置包括第一控制組件和第二控制組件。通過第一控制組件與第二控...

本發(fā)明提供一種研磨壓力檢測方法，包括研磨盤、研磨墊和拋光頭，研磨墊設(shè)置在研磨盤上并能跟隨研磨盤旋轉(zhuǎn)，拋光頭設(shè)置在研磨墊的上方，研磨壓力檢測方法包括如下步驟：設(shè)定研磨盤的檢測位置，檢測位置到研磨盤旋轉(zhuǎn)中心之間具有第一預(yù)設(shè)距離，檢測位置內(nèi)設(shè)...

本發(fā)明提供了一種微型發(fā)光二極管器件及微型發(fā)光二極管器件的制備方法。該微型發(fā)光二極管器件包括：驅(qū)動(dòng)基板，具有第一表面，第一表面的第一區(qū)域分布有間隔設(shè)置的多個(gè)第一對準(zhǔn)標(biāo)記；發(fā)光單元，位于驅(qū)動(dòng)基板具有第一表面的一側(cè)，發(fā)光單元在第一表面上的正投...

本申請?zhí)峁┝艘环N晶圓鍵合裝置，包括鍵合腔室以及位于所述鍵合腔室內(nèi)的第一載臺、第二載臺、晶圓固定組件和驅(qū)動(dòng)組件。所述第一載臺和第二載臺相對設(shè)置，所述第一載臺設(shè)有載盤，所述載盤包括用于固定晶圓的第一固定面，所述晶圓固定組件設(shè)置于所述第一載臺...

本發(fā)明提供一種拋光頭、拋光系統(tǒng)及其控制方法；拋光頭包括保持環(huán)和背膜，保持環(huán)和背膜均安裝在主體上，保持環(huán)環(huán)繞在背膜的外周，其中，拋光頭還包括形狀補(bǔ)償板，形狀補(bǔ)償板安裝在背膜的底面上，形狀補(bǔ)償板包括多個(gè)控制點(diǎn)位，形狀補(bǔ)償板與保持環(huán)之間形成晶...

本實(shí)用涉及半導(dǎo)體加工領(lǐng)域，特別是涉及一種新型拋光墊及晶圓拋光機(jī)臺，包括多個(gè)互相嵌套的研磨區(qū)域；各個(gè)所述研磨區(qū)域的粗糙程度不同。本技術(shù)提供的新型拋光墊包括多個(gè)互相嵌套的研磨區(qū)域，在實(shí)際使用中，晶圓拋光機(jī)臺可驅(qū)動(dòng)待處理晶圓在不同的研磨區(qū)域之...

本技術(shù)提供一種噴淋盤和CVD設(shè)備，該噴淋盤包括主體，所述主體內(nèi)設(shè)置有腔體，所述主體上可拆卸地連接有至少一個(gè)噴淋頭，噴淋頭內(nèi)設(shè)置有噴淋孔，噴淋孔與腔體連通；該CVD設(shè)備包括一反應(yīng)腔室和噴淋盤，噴淋盤設(shè)置在反應(yīng)腔室內(nèi)；當(dāng)噴淋盤中的某一或某些...

本發(fā)明提供了一種晶圓鍵合對準(zhǔn)方法及裝置。晶圓鍵合對準(zhǔn)方法包括：移動(dòng)上晶圓載盤和/或下晶圓載盤，使其上的上晶圓和下晶圓在豎直方向上大致重疊；將位于上晶圓載盤上方或下晶圓載盤下方的對準(zhǔn)模塊分別對準(zhǔn)上晶圓和下晶圓上間隔設(shè)置的V形缺口和邊緣對準(zhǔn)...

本申請?zhí)峁┝艘环N晶圓鍵合裝置，包括鍵合腔室以及位于鍵合腔室內(nèi)的第一載盤、第二載盤、驅(qū)動(dòng)組件、濺射組件和晶圓對準(zhǔn)組件。第一載盤包括用于固定晶圓的第一承載面，第二載盤包括用于固定晶圓的第二承載面，第一承載面與第二承載面相對設(shè)置，驅(qū)動(dòng)組件包括...

本申請?zhí)峁┝艘环N晶圓鍵合裝置。晶圓鍵合裝置包括鍵合腔室及位于鍵合腔室內(nèi)的第一載盤、第二載盤和驅(qū)動(dòng)組件。第一載盤包括第一吸附面，第二載盤包括第二吸附面。第一吸附面包括至少一個(gè)第一吸附區(qū)，第一吸附區(qū)設(shè)有至少一個(gè)第一吸附結(jié)構(gòu)，第一吸附區(qū)為第一...

本技術(shù)涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別是涉及一種新型拋光盤及晶圓拋光機(jī)臺，包括多個(gè)互相套嵌的旋轉(zhuǎn)區(qū)域；不同的旋轉(zhuǎn)區(qū)域的轉(zhuǎn)速由內(nèi)至外逐漸降低。本技術(shù)將拋光盤分區(qū)，設(shè)置為嵌套的旋轉(zhuǎn)區(qū)域，越靠外的旋轉(zhuǎn)區(qū)域的轉(zhuǎn)速越低，以便與更大的旋轉(zhuǎn)半徑抵消，最終將不...

本技術(shù)涉及晶圓鍵合領(lǐng)域，公開了一種晶圓鍵合定位組件以及晶圓鍵合設(shè)備，該晶圓鍵合定位組件包括：包括外環(huán)托盤和內(nèi)環(huán)托盤的托盤；承載晶圓的卡盤；卡盤的表面設(shè)置有定位標(biāo)識；識別晶圓上的晶圓標(biāo)識的第一識別裝置；識別定位標(biāo)識在平行于卡盤所在平面內(nèi)，...

本技術(shù)公開了一種收集裝置，應(yīng)用于尾氣處理技術(shù)領(lǐng)域，包括：上部組件和下部組件；上部組件和下部組件沿氣流方向依次排布，使尾氣經(jīng)過上部組件內(nèi)部和下部組件內(nèi)部進(jìn)入尾端管路；上部組件與下部組件沿周向方向采用嵌合形式連接；上部組件上與下部組件嵌合的...

本技術(shù)公開了一種改善鍵合精度的鍵合裝置，涉及晶圓鍵合技術(shù)領(lǐng)域，包括：上晶圓；上卡盤，其底部承載有上晶圓；下晶圓；下卡盤，其頂部承載有下晶圓；充氣裝置，其用于向上卡盤和下卡盤的中心孔充氣，以使上晶圓和下晶圓形變；檢測裝置，其用于分別檢測上...

本技術(shù)公開了一種過濾裝置，應(yīng)用于尾氣處理技術(shù)領(lǐng)域，該過濾裝置包括進(jìn)氣管路、多層網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)水冷盤和出氣管路；通過所述進(jìn)氣管路通入的尾氣，經(jīng)過多層所述網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)水冷盤降溫后，通過所述出氣管路排出；所述網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)水冷盤是通過多個(gè)水管拼接形成的水冷盤...

本技術(shù)涉及硅基二極管技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種檢測平臺包括輸送組件、夾持組件、連通組件及檢測組件；夾持組件包括固定座、活動(dòng)座及動(dòng)力件；動(dòng)力件驅(qū)動(dòng)活動(dòng)座向靠近固定座方向移動(dòng)，以使得活動(dòng)座與固定座夾持固定待測件；連通組件包括升降件及探針；檢測組件...