本發明涉及具有不對稱缺陷區的場效應晶體管，提供用于場效應晶體管的結構以及形成用于場效應晶體管的結構的方法。該結構包括一個或多個半導體層，位于該一個或多個半導體層上的柵極，包括位于該一個或多個半導體層中的第一部分以及位于該一個或多個半導體...

本發明揭示了一種半導體裝置及其形成方法，該半導體裝置可包括具有源極區域和漏極區域的基板，以及設置在該基板上方且位于該源極區域和該漏極區域之間的柵極。第一層間介電(ILD)層可以至少部分地設置在該基板和該柵極上方。導電場板可設置在該第一層...

本發明涉及用于電阻式存儲器元件的層堆疊，揭示包括用于電阻式存儲器元件的層堆疊的結構以及形成包括用于電阻式存儲器元件的層堆疊的結構的方法。該結構包括電阻式存儲器元件，該電阻式存儲器元件包括第一電極、第二電極、以及設于該第二電極與該第一電極...

本發明涉及熔絲鏈下方有氣隙的電子熔絲，提供用于電子熔絲的結構以及形成電子熔絲的方法。該結構包括電子熔絲，該電子熔絲包括第一端子、第二端子，以及從該第一端子延伸至該第二端子的熔絲鏈。該第一端子、該第二端子，以及該熔絲鏈各個包括半導體層及硅...

本發明涉及具有組合的橫向與垂直布置的雪崩光檢測器，提供雪崩光檢測器的結構以及形成雪崩光檢測器的結構的方法。該結構包括具有第一導電類型的襯底、定義該雪崩光檢測器的吸收區的第一半導體層、位于該第一半導體層與該襯底間的介電層、包括具有與該第一...

本發明涉及具有應力降低特征的化合物半導體基裝置，提供包括集成于半導體襯底上的化合物半導體基裝置及硅基裝置的結構以及形成此類結構的方法。該結構包括位于襯底上的層堆疊、沿垂直方向完全穿過該層堆疊延伸至該襯底的導電接觸，以及包括源極歐姆接觸及...

本申請涉及用于靜電放電保護的硅控整流器，提供硅控整流器的結構以及形成硅控整流器的結構的方法。該結構包括位于半導體襯底中的第一阱及第二阱。該第一阱具有第一導電類型，且該第二阱具有與該第一導電類型相反的第二導電類型。該結構還包括第一端子以及...

本申請涉及具有改進的擊穿電壓的高電壓MOSFET器件，根據各種實施例，提供一種MOSFET器件。MOSFET器件可以包括襯底；第一摻雜區域，設置于襯底中；第二摻雜區域，設置于襯底中，其中，第一摻雜區域與第二摻雜區域彼此橫向相鄰；第三摻雜...

本發明涉及用于高壓應用的裝置，披露一種裝置包括設置在襯底上的埋置氧化物層、設置在埋置氧化物層上的第一區域和設置在第一區域中的第一環形區域。第一環形區域包括防護環部分。所述裝置還包括設置在第一環形區域中的第一終端區域、設置在第一區域中的第...

本發明涉及靜電放電保護裝置，提供一種裝置，包括第一區域、設置在第一區域上的第二區域、設置在第二區域中的第三區域和鄰接第三區域的第四區域、設置在第三區域中并耦接設置在上方的集極的第五區域、以及設置在第四區域中且耦接設置在上方的射極的第六區...

本發明涉及無溝槽單光子雪崩二極管，涉及單光子雪崩二極管的結構以及形成單光子雪崩二極管的結構的方法。該結構包括具有頂部表面的半導體襯底，位于該半導體襯底的頂部表面上的半導體層，位于該半導體層的部分上的光吸收層，以及位于該半導體層的部分中的...

本發明涉及用于位單元中非易失性存儲器元件的多級單元配置，揭示了包括非易失性存儲器元件的結構和制造包括非易失性存儲器元件的結構的方法。第一、第二和第三非易失性存儲器元件各自包括第一電極、第二電極、及在第一電極和第二電極之間的切換層。第一位...

本發明涉及磁場傳感器和制造磁場傳感器的方法，該磁場傳感器可包含具有平坦表面的半導體結構以及第一、第二及第三感測裝置。該半導體結構可包含其中具有二維電子氣的半導體構件及設置在該半導體構件上的絕緣體構件。該第一感測裝置可配置為感測沿平行于該...

本發明涉及晶體管和制造晶體管的方法，晶體管可以包括緩沖層、緩沖層上的源極和漏極接觸件、緩沖層上的阻擋層、阻擋層上的導電構件、介電堆疊和柵極金屬。阻擋層可以在源極接觸件和漏極接觸件之間。導電構件可以包括p摻雜的III

本發明涉及二極管裝置及形成二極管裝置的方法，可提供一種二極管裝置，包括半導體襯底，該半導體襯底包括設置在其中的阱區，設置在阱區內的第一摻雜區和第二摻雜區，設置在第一摻雜區內的第一接觸區，以及設置在第一摻雜區內的隔離結構，其中氧化層可內襯...

本發明涉及具有溝槽形選擇柵極的分柵閃存單元，揭示了用于分柵閃存單元的結構和形成用于分柵閃存單元的結構的方法。在半導體基板中形成溝槽。在半導體基板中形成第一和第二源極/漏極區域。第一柵極橫向位于溝槽和第二源極/漏極區域之間，且第二柵極包括...

本發明涉及具有多厚度緩沖介電層的擴展漏極金屬氧化物半導體設備，提供一種擴展漏極金屬氧化物半導體設備的結構和用于形成擴展漏極金屬氧化物半導體設備的結構的方法。在基板中形成第一源極/漏極區域和第二源極/漏極區域，并且在所述基板上方形成柵極電...

本發明涉及具有嵌埋于開關層內的導電島的電阻式存儲器元件，揭示了電阻式存儲器元件的結構以及形成電阻式存儲器元件的結構的方法。該電阻式存儲器元件包括第一開關層、第二開關層、導電間隙壁、第一電極、以及第二電極。該第一開關層包括位于該第一電極與...

本發明涉及具有多個輸入端子的電阻式存儲器元件，揭示了電阻式存儲器元件的結構以及形成電阻式存儲器元件的結構的方法。該電阻式存儲器元件具有第一電極、第二電極、第三電極、以及開關層。該第一電極與該開關層耦接，該第二電極與該開關層的側表面耦接，...

本發明揭示了一種半導體裝置及其形成方法，該半導體裝置可包括具有源極區域和漏極區域的基板，以及設置在該基板上方且位于該源極區域和該漏極區域之間的柵極。第一層間介電(ILD)層可以至少部分地設置在該基板和該柵極上方。導電場板可設置在該第一層...