本申請關于一種遠程廣域網絡的優化網絡涵蓋與功耗方法及使用其的系統，此方法包括：提供一遠程廣域網絡節點；步驟A：在所述遠程廣域網絡節點進行聯機授權時，以一接收窗口進行接收一授權成功信息；當接收所述授權成功信息失敗時，擴大接收窗口的時間，作...

本申請實施例提供一種半導體結構及其形成方法，所述半導體結構包括基板、外延層、柵極電極、源極電極與漏極電極、鈍化層、浮置導電層及有機材料層。外延層設置于基板上。柵極電極設置于外延層上。源極電極與漏極電極設置于外延層上，且位于柵極電極的兩側...

本申請提供一種保護處理器的裝置、處理器及保護處理器的方法，保護處理器的裝置包括輸入接口，配置為監控處理器所處理的程序碼指令，其中程序碼指令的一或多者包括一或多個錯誤檢測位元；以及保護電路，配置為使用錯誤檢測位元來檢測程序碼中的一或多個錯...

本發明提供了一種半導體結構，包括第一阱區、第二阱區、第一摻雜區、第二摻雜區、場氧化層、第三阱區以及第四阱區。第一阱區具有N型摻雜。第二阱區具有P型摻雜。第二阱區與第一阱區相鄰且于界面與第一阱區相接觸。第一摻雜區具有N型摻雜，且形成于第一...

本發明提供了一種高電壓結終端結構，用以劃分分別位于第一區域以及第二區域的半導體元件。高電壓結終端結構包括第一阱區、第二阱區、第一摻雜區、第二摻雜區、第三摻雜區、第四摻雜區以及第五摻雜區。第二阱區與第一阱區相鄰且接觸于界面。第一摻雜區形成...

本發明提供了一種半導體裝置，包括：襯底；化合物半導體層，設置于襯底上；以及源極電極和漏極電極，設置于化合物半導體層上。源極電極包括多個源極指部彼此平行排列。漏極電極包括多個漏極指部彼此平行排列，其中源極指部與漏極指部交叉排列。半導體裝置...

本發明提供了一種微控制器、安全系統及保護方法，微控制器包括一非安全區、一安全區以及一處理電路。非安全區儲存一神經網絡模型。神經網絡模型包括一加密運算子以及一未加密運算子。安全區儲存一密鑰并包括一解密電路。在一非安全模式下，處理電路解譯未...

一種微控制器、安全系統及保護方法，其中微控制器包括一安全區、一非安全區以及一處理電路。安全區包括一密鑰管理裝置、一解密電路以及一第一存儲器。密鑰管理裝置儲存一密鑰。解密電路利用密鑰，對一加密模型進行解密，用以產生一解密模型。第一存儲器儲...

一種控制芯片及控制方法，控制芯片包括一檢測電路、一管理電路以及一主核心電路。在一特定事件發生時，檢測電路使能一第一喚醒信號。當第一喚醒信號被使能時，管理電路判斷是否滿足一喚醒條件。當滿足喚醒條件時，管理電路使能一第二喚醒信號。主核心電路...

本發明提供了一種封裝結構。一導電襯底設置在一支架之上。多個接合墊設置在支架之上且分離于導電襯底。一晶片設置在導電襯底之上。晶片包括第一和第二橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管以及第一和第二柵極驅動器。第一空乏型III?V族晶體管設置在導電襯...

本申請關于一種屏蔽槽式柵極金屬氧化物半場效晶體管及其柵極制作方法，此晶體管包括一漏極基底、一外延層以及一溝槽。外延層配置于漏極基底上。溝槽內壁覆蓋有一第一氧化層，且在溝槽內，配置一源極多晶硅，在源極多晶硅上，配置一柵極氧化層，且在柵極氧...

一種半導體裝置及其半導體結構，其中，半導體裝置具有第一節點以及第二節點且包括晶體管以及二極管。晶體管包括漏極端、柵極端、源極端以及基極端。基極端電浮接，未接其他端點，漏極端電連接至第二節點。二極管包括陽極端以及陰極端。陽極端電連接至第一...

本申請實施例提供一種控制芯片及開發板，包括一第一存儲器、一第二存儲器、一存取電路以及一處理電路。第一存儲器具有一第一存儲區域以及一第二存儲區域。第一存儲區域用以存儲一感測數據。第二存儲區域用以存儲多個處理參數。存取電路讀取第一存儲區域的...

一種位于微處理器中的存儲器裝置，其中微處理器耦接至主機，包括易失性存儲器單元、非易失性存儲器陣列以及控制器。對應主機發出的寫入指令而將寫入數據寫入非易失性存儲器陣列的第一存儲器頁面，控制器將第一存儲器頁面的數據載入至易失性存儲器單元，并...

本發明提供一種封裝結構。該封裝結構的導電襯底設置在支架上。第一、第二和第三接合墊設置在支架上，且第一和第二接合墊分離于導電襯底，而第三接合墊連接至導電襯底。橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管設置在導電襯底上，并包括第一漏極、第一柵極與第一源...

本申請關于一種真隨機數生成器及其熵值維持方法。此真隨機數生成器包括多個第一環形振蕩輸出電路，此真隨機數生成器的熵值維持方法包括：在真隨機數生成器中，提供至少一第二環形振蕩輸出電路，其中，上述至少一第二環形振蕩輸出電路在初始運作時不被啟用...

本申請提供一種半導體裝置，包括：襯底，具有第一導電類型；外延層，設置于襯底上，其中外延層具有與第一導電類型不同的第二導電類型；埋層，設置于襯底內；第一阱區，設置于外延層中且具有第二導電類型；以及第二阱區，設置于外延層中且具有第一導電類型...

提供感測裝置。所述感測裝置包括基板、感測電極及半導體感測層。感測電極設置在基板上且包括金屬電極層及自組裝層。金屬電極層設置在基板上。自組裝層設置在金屬電極層上。半導體感測層設置在感測電極上。其中，感測電極與半導體感測層的能量差值小于或等...

一種延遲校準電路及其延遲校準方法，其中，延遲校準電路包括第一延遲鏈、第二延遲鏈以及校準電路。第一延遲鏈包括多個第一延遲單元，且將時脈信號延遲第一延遲時間而產生第一延遲信號。每一個第一延遲單元的供應電流為第一電流。第二延遲鏈包括多個第二延...

本發明提供了一種補償電路、補償方法及控制電路，補償電路用以補償一信號產生電路所產生的一輸出信號，并包括一檢測電路、一判斷電路、一邏輯電路以及一調整電路。檢測電路檢測輸出信號，用以產生一檢測結果。判斷電路判斷檢測結果是否符合一預設條件。當...