本發明提供一種溝槽型超結場效應晶體管及其制備方法，通過設置導電柱的下部導電柱區域內部存在氣隙，且設置下部導電柱的摻雜濃度比上部導電柱的摻雜濃度小，使得導電柱的下部導電柱電阻比上部導電柱大，可以使得在器件關斷時，即多數載流子復合抽離時在下...

本發明提供一種半導體器件及其制備方法，半導體器件中，第一導電類型外延層包括兩個間隔設置的源極溝槽，源極溝槽底面覆蓋有第三氧化層，源極溝槽側壁從下到上依次覆蓋第一氧化層、高k絕緣介質層和第二氧化層，源極多晶硅層填充于源極溝槽內氧化層和高k...

本發明提供一種基于三角構型的數字陣列麥克風及數字麥克風系統，本方案將三個壓電傳感模塊以三角陣列形式集成在一個數字麥克風中，且將預先設計的波束形成和定向算法集成到麥克風內部，該設計不僅保留了數字麥克風的高清晰度、低功耗和強兼容性，還通過三...

本發明提供一種快恢復二極管及其制作方法，包括：提供一襯底，襯底包括相對的第一主面和第二主面，自襯底的第一主面向內部依次形成有陽極區和漂移區，漂移區具有與所述陽極區相反的導電類型；覆蓋陽極區形成陽極金屬層；形成自襯底的第二主面向內部延伸的...

本發明提供一種溝槽柵器件及其制備方法，該溝槽柵器件包括襯底、溝槽柵結構、摻雜區、阱區、源區、層間介質層、連通區、接觸區、上/下電極及柵極，其中，溝槽柵結構位于襯底上表層；摻雜區位于相鄰兩溝槽柵結構之間的襯底中且底面低于溝槽柵結構的底面；...

本申請屬于半導體技術領域，提供一種封裝體，包括第一主體和第一引腳，第一主體具有相對設置的第一表面、第二表面，第一主體包括第一基島、第一芯片和塑封體，塑封體包覆第一基島和第一芯片，并于第二表面暴露第一基島，第一引腳沿第二表面至第一表面的方...

本發明提供一種死區配置電路包括：第一控制模塊通過設置芯片的配置端口，使第一控制模塊輸出對應的第一控制信號；第一比較模塊通過對比參考信號與第一控制信號輸出對應的第一比較信號；第二控制模塊基于第一比較信號及第一控制信號的調節操作，輸出對應的...

本發明提供一種超結場效應晶體管結構及其制作方法，包括以下步驟：提供一襯底；形成摻雜層于襯底上，摻雜層包括第一導電類型外延層，外延層包括有源區及位于有源區外圍的終端區，摻雜層還包括多個第二導電類型有源區摻雜柱及終端區摻雜柱，多個有源區摻雜...

本發明提供一種雙柵控制型RC?IGBT器件及其制備方法，器件包括：依次層疊的金屬集電極、集電區、N型漂移區、P阱、N型載流子阻擋層、P型基區、N型發射區和金屬發射極；主控制柵極結構，自P型基區延伸至N型漂移區中；發射柵極結構，自P型基區...

本發明提供一種半導體器件的復合終端結構及其制備方法，復合終端結構包括：漂移區；場限環，設置于半導體器件終端區域的漂移區內，場限環的區域表面設置有溝槽；場介質層，設置于漂移區表面及填充在溝槽內；場板層，覆蓋于場限環上方的場介質層上并延伸覆...

本發明提供一種結型場效應管控制型RC?IGBT器件及其制備方法，器件包括：依次層疊的金屬集電極、集電區、N型漂移區、P阱、N型載流子阻擋層、P型基區、N型發射區和金屬發射極；主控制柵極結構，自P型基區延伸至N型漂移區中；發射柵極結構，自...

本申請提供了一種半導體器件結構及其制造方法，包括提供襯底，以及在襯底上形成第一導類型的外延層，然后，對外延層遠離襯底的一側進行刻蝕以形成溝槽，最后再于溝槽內依次形成柵氧化層和多晶硅柵。柵氧化層被設置為由第一氧化層和第二氧化層組成層疊結構...

本發明提供一種電荷泵電路及MEMS麥克風系統，電荷泵電路包括：參考電壓產生模塊，基于基準電壓產生至少兩個參考電壓；選擇模塊，將參考電壓擇一輸出；非交疊時鐘產生模塊，電源端連接選擇模塊的輸出端，輸入端接收工作時鐘信號，產生非交疊的第一時鐘...

本申請提供本具有音頻加密功能的數字麥克風、主控芯片、方法和系統，通過將加密模塊設置于數字麥克風內部，以實現在數字麥克風內部對音頻流進行即時加密，然后在用戶的主控芯片中進行解密的方式，利用數字麥克風內部即時加密音頻流，解決了音頻數據傳輸易...

本發明提供一種具有屏蔽柵的溝槽型功率器件的制備方法，包括：提供一襯底，形成位于襯底上的第一摻雜類型外延層；自外延層的表面向內部延伸形成位于元胞區內的柵溝槽，以及位于終端區的終端溝槽；于柵溝槽和終端溝槽內依次形成場氧化層及第一多晶硅，第一...

本發明提供一種具有主動降噪功能的數字麥克風、電子終端及數字麥克風系統，在數字麥克風內部的主動降噪模塊對音頻信號進行反向噪聲估計，并將處理完的反向噪聲信號通過接口模塊傳輸到主處理器與下行碼流疊加運算，并通過播放設備播放。本發明通過將主動降...

本發明提供一種具有回聲消除功能的數字麥克風、電子終端及數字麥克風系統，在數字麥克風內部的回聲消除模塊對聲音信號進行回聲消除處理，并將輸出信號通過信號傳輸模塊發送至所述主控芯片后，通過主控芯片發送到遠端設備，再由播放器件播放。本發明通過將...

本發明提供一種屏蔽柵溝槽型MOS器件及其制備方法，該屏蔽柵溝槽型MOS器件包括：半導體層、溝槽柵結構、體區、源區、層間介質層及源極，其中溝槽柵結構包括溝槽、第一介電層、第一屏蔽柵層、隔離層、柵介質層、柵導電層、第二介電層及第二屏蔽柵層，...

本發明提供一種超級結MOS器件及其制作方法，包括以下步驟：提供一襯底并于襯底上方形成外延層；于外延層中形成多個間隔排列且底部與外延層下表面間隔預設距離的深溝槽；于深溝槽中形成填充柱，填充柱至少包括覆蓋深溝槽內壁及底面的第一填充層、覆蓋所...

本申請提供具有自動增益控制功能的音頻編解碼裝置、方法和系統，本申請創新性地將環境噪聲監測與AGC功能在音頻編解碼器內部進行集成，令AGC模塊能夠根據實時環境噪聲數據對音頻增益參數進行動態調整的同時，保證了音頻輸出在各種環境條件下的一致性...