本公開涉及集成電路。一種保持觸發器包括第一鎖存器、第二鎖存器和保持鎖存器。第一鎖存器和第二鎖存器由可中斷的主供應電壓供電，而保持鎖存器由不中斷的輔供應電壓供電。保持觸發器接收單個保持控制信號，該信號控制觸發器是處于標準模式還是處于保持模...

本公開涉及采用反向蝕刻的凹陷柵極HEMT處理。一種過程形成具有凹陷柵極而不會損壞高電子遷移率晶體管（HEMT）器件的敏感區域的HEMT器件。該過程利用第一外延生長過程來生長HEMT的第一組層。然后停止外延生長過程并在第一組層上形成鈍化層...

本公開涉及用于同時執行多個獨立操作的采用具有局部存儲器陣列選擇的分段式存儲器體系架構的存儲器內計算系統。存儲器陣列包括布置在矩陣中的存儲器單元，其中單元行耦合到字線并且單元列耦合到輸出位線。控制電路將第一組存儲器單元映射到第一存儲器內計...

本描述涉及垂直功率部件，該垂直功率部件形成在摻雜有第一導電類型的半導體基板中和半導體基板上，并且該半導體基板的上側涂覆有摻雜有第一導電類型的半導體層。該部件包括：有源區域（100A）；以及包圍有源區域的第一組和第二組第一同心場限制環。每...

本公開的實施例涉及復合材料、生產工藝以及包括該復合材料的電子組件。復合材料包括含氟聚合物基質和填料，填料由BZT?αBXT型的陶瓷的納米顆粒形成，其中X選自Ca、Sn和Mn，并且α是在0.10?0.90之間的范圍內的摩爾分數，納米顆粒被...

本公開涉及用于支持帶符號特征數據和帶符號計算權重數據的矩陣向量乘法的具有內置減法模式的存儲器內計算系統。存儲器內計算電路包括存儲器陣列，其中存儲器單元以行和列的形式布置成矩陣。存儲器單元組存儲用于存儲器內計算(IMC)操作的計算權重，該...

本公開涉及對源代碼生成的實況視覺反饋。促進對代碼生成的實況反饋的方法包括基于用戶配置來生成第一源代碼，在實況預覽用戶接口中呈現所生成的第一源代碼，并且獲得所述用戶配置的變化。所述方法還包括響應于所述第一變化的所述獲得：基于所述第一變化來...

本公開涉及通過機器學習進行異常檢測的傳感器設備及相關控制方法。傳感器設備具有微控制器單元和傳感器，傳感器包括換能器和處理電路，換能器可耦合到設備并且生成指示物理量的信號，處理電路包括：轉換級，其生成物理量的樣本；數據生成級，其根據樣本生...

本公開的實施例涉及用于開關電壓調節器的控制裝置和方法。控制環路電路生成控制信號，該控制信號指示開關電路的輸出電壓與標稱電壓之間的差。驅動信號生成器被耦合到控制環路電路，并且接收測量信號，該測量信號指示在開關電路中流動的電流。驅動信號生成...

本技術涉及半導體器件和HEMT器件。HEMT器件包括具有半導體異質結構的半導體本體；包括半導體材料的控制區域，控制區域位于半導體本體上，控制區域具有頂表面和多個橫向側面；導電材料的控制端子，其在控制區域的頂表面上延伸并與控制區域的頂表面...

本公開的實施例涉及飛行時間路徑延遲補償。飛行時間(TOF)傳感器包括生成定時參考的定時生成器、TOF相關組件的第一陣列、以及TOF相關組件的虛擬行，第一陣列包括TOF相關組件的行，其中每個行接收定時參考。TOF傳感器還包括TOF相關組件...

本公開涉及基于靜電感測的土壤水分傳感器。一種土壤傳感器，包括信號生成器和耦合到信號生成器的發射器，發射器被配置為發射來自信號生成器的信號，信號具有固定頻率，發射器包括嵌入在第一介電材料內的發射電極。土壤傳感器包括接收器，接收器被配置為通...

本公開涉及半導體器件。半導體器件包括：在襯底上方的第一導電特征和第二導電特征；在第一導電特征與第二導電特征之間的介電層；在第一導電特征與第二導電特征之間的介電層中的氣隙；在第一導電特征、第二導電特征和介電層上方的保護層；以及穿過保護層的...

本公開涉及一種HEMT晶體管及裝置。HEMT晶體管包括：半導體溝道層；半導體勢壘層，位于所述半導體溝道層之上并與所述半導體溝道層接觸；以及半導體柵極，布置在所述半導體勢壘層的與所述半導體溝道層相反的第一表面的之上并與該第一表面接觸，其中...

本公開涉及電壓調節器。一種裝置包括連接在第一節點和第二節點之間的第一MOS晶體管、連接在第二節點和第三節點之間的可選擇性激活的電流源以及被配置為控制第一晶體管以將第二節點處的電壓調節為第一設定點值的電路。該裝置還包括連接在第一節點和第四...

本公開涉及用于DC?DC模擬電流感測的時間調制。負載在正軌與負軌之間被供電。開關轉換器基于輸入電壓生成負軌電壓，其中功率晶體管涉及負軌電壓的生成。副本生成器產生副本電壓，該副本電壓鏡像功率晶體管的漏極到源極電壓。緩沖器緩沖副本電壓。第一...

本公開涉及覆有碳化硅(SIC)層的基底及其制造方法。一種結構，包括：基部(例如，由基于石墨或基于石墨烯的材料制成)，具有至少一個覆有均質覆層(例如，由碳化硅(SiC)制成)的表面。均質覆層防止污染物(例如，碳)在處理工具被加熱以處理腔體...

本公開涉及非易失性存儲器、相關集成電路、電子系統和方法。非易失性存儲器包括行解碼器，對于每個字線，行解碼器包括連接到第一電源電壓的相應上拉和用于將字線中的一個字線選擇性地連接到地的開關電路。行解碼器包括解復用器，該解復用器連接到小于第一...

本公開涉及用于慣性MEMS傳感器的自動校準方法。傳感器模塊包括被配置為生成變頻自測試信號的圖案發生器。傳感器模塊包括慣性傳感器，慣性傳感器包括接收頻率掃描自測試信號的自測試電極。慣性傳感器基于自測試信號生成模擬傳感器信號。傳感器模塊包括...

本公開涉及NFC解調電路。一種放大電路包括放大要解調的信號的放大器電路(由運算放大器提供)。放大電路的反饋環路具有電阻值，該電阻值被控制為根據放大器電路的輸出節點的電平離散地變化。輸出電平相對于一個或多個閾值的比較驅動電阻值的選擇，其中...