本申請的各實施例涉及包括電容元件的集成電路和制造方法。集成電路的電容元件包括第一電極和第二電極。第一電極由位于摻雜有第一導電類型的半導體阱上方的第一導電層形成。第二電極由位于半導體阱的第一導電層上方的第二導電層形成。第二電極還由半導體阱...

本公開的實施例涉及針對基于PMOS的開關的過電壓保護電路。集成電路包括過電壓保護電路。過電壓保護電路檢測集成電路焊盤處的過電壓事件。過電壓保護電路生成最大電壓信號，該最大電壓信號是焊盤處電壓、以及集成電路的供應電壓中的較大項。當過電壓事...

本公開涉及一種電壓調節電路、高壓調節電路以及設備，電壓調節電路被形成在表面覆蓋有氮化鎵層的單片半導體襯底的內部和頂部，包括：第一端子與第二端子之間的第一電阻器和第一d模式型HEMT晶體管；以及第一端子與第三端子之間的第二d模式型HEMT...

本公開涉及近場通信中交易的保護。提供了在近場通信中保護交易的技術。提供了一種電子設備，包括：托管應用的處理器、近場通信模塊和不同于處理器的安全元件。近場通信模塊被配置為通過分析所述通信模塊接收到的、被尋址到所述應用的輪詢幀的類型來識別發...

本公開涉及電子設備的保護。該電子設備包括處理器和一個或多個安全元件。處理器執行第一高級操作系統和第一應用。一個或多個安全元件執行第一低級操作系統，以核實第一高級操作系統的可靠性、真實性或可靠性和真實性，以及執行第二低級操作系統，以執行第...

本公開涉及電子設備的保護。該電子設備包括安全元件和應用編程接口。安全元件在操作中執行第一應用。應用編程接口在操作中核實接收到的針對第一應用的命令的可靠性，并且將該命令和核實的結果傳輸到第一應用。

本公開的實施例涉及錯誤檢測。通過將表示數據和糾錯碼或檢錯碼的二進制字劃分成第一部分和第二部分，而將數據寫入存儲器。第一部分被寫入第一存儲器電路中的邏輯地址。第二部分被寫入第二存儲器電路中的邏輯地址。糾錯碼或檢錯碼取決于數據和邏輯地址。

一種非易失性存儲器包括當前扇區和替代扇區。非易失性存儲器被控制為將數據存儲到扇區中并通過一次擦除存儲在扇區中的一個扇區中的所有數據來擦除存儲在該扇區中的數據。當前扇區包括存儲至少一個第一有效數據元素的第一當前扇區和存儲至少一個第二有效數...

一種片上系統包括：至少一個微處理器域，其包括微處理器和至少一個資源；以及資源隔離系統，其包括針對每個資源的濾波電路，并且被配置為檢測由到達資源的事務針對資源的安全性訪問權限違反、特權訪問權限違反和劃分訪問權限違反。濾波電路被配置為：在事...

本申請涉及集成的熔絲器件。熔絲器件由與集成電路的其他部分電絕緣的PN結半導體區域形成。熔絲器件包括具有P型導電性的第一半導體區以及具有N型導電性的第二半導體區，第一半導體區與第二半導體區在PN結處相接觸。第一和第二導電接觸區分別被提供在...

本公開涉及掩蔽數據的保護。一種設備包括存儲器和耦合到存儲器的密碼處理電路系統。存儲器在操作中存儲一個或多個查找表。密碼處理電路系統在操作中處理掩蔽數據，并且保護掩蔽數據的處理免受側信道攻擊。保護包括使用一個或多個查找表中的查找表將掩蔽二...

本公開涉及一種過溫保護電路，過溫保護電路被形成在表面覆蓋有氮化鎵層的單片半導體襯底的內部和頂部，包括：第一電阻器，具有第一正溫度系數并且被布置在所述氮化鎵層中；以及第二電阻器，具有不同于第一系數的第二溫度系數。

本公開涉及一種電子設備，電子設備被形成在表面覆蓋有氮化鎵層的單片半導體襯底的內部和頂部，包括至少一個e模式型HEMT功率晶體管以及模擬電路，至少一個e模式型HEMT功率晶體管適于接收電子設備的漏極與源極之間的650V的最大電壓，模擬電路...

本公開涉及一種電壓調節電路，電壓調節電路被形成在表面覆蓋有氮化鎵層的單片半導體襯底的內部和頂部，包括：第一端子與第二端子之間的第一電阻器和第一d模式型HEMT晶體管；以及第一端子與第三端子之間的第二d模式型HEMT晶體管；其中第一電阻器...

本公開涉及一種電子設備，具體涉及一種第一e模式型HEMT功率晶體管的驅動器，該驅動器適用于接收第一e模式型HEMT功率晶體管的漏極與源極之間的650V的最大電壓，電路被形成在表面覆蓋有氮化鎵層的單片半導體襯底的內部和頂部，并且包括至少一...

本公開涉及包括至少一個肖特基二極管的半導體器件和電子系統。半導體器件包括襯底上的肖特基二極管。肖特基二極管包括多晶硅層，該多晶硅層被設置在襯底內的電介質層上，電介質層被配置為將多晶硅層與襯底電絕緣。多晶硅層包括與未摻雜的第二陽極區域相鄰...

本公開涉及用于對電子電路通電的方法和電路。本公開涉及一種方法，該方法包括：通過控制電路將由連續的第一電壓脈沖組成的第一脈沖信號施加到為電路的電容性負載供電的功率晶體管的柵極，第一脈沖信號的脈沖彼此分開第一等待時間；進一步對于第一信號的一...

本公開涉及具有以二進制量化的至少一個單位單元的人工神經元網絡。人工神經網絡包括單位單元。單位單元包括第一二進制二維卷積層，其被配置為接收輸入張量并生成第一張量。第一批量歸一化層被配置為接收第一張量并生成第二張量。級聯層被配置為通過級聯輸...

本公開涉及管理存儲器器件的消耗的方法和對應系統。一種用于管理存儲器器件的消耗的方法包括在存儲器器件的第一存儲器區域的第一部分中執行數據的第一讀取。在同一存儲器存取期間，從存儲器器件的第二存儲器區域的第二部分讀取糾錯碼校驗位。糾錯校驗位包...

本公開涉及集成電路和片上系統。一種集成電路，包括：可編程邏輯陣列，具有數據輸入；以及信號調節器，包括：輸入端；邊沿檢測器；以及第一多路復用器，具有與所述邊沿檢測器的輸出耦合的第一輸入和與所述可編程邏輯陣列的所述數據輸入耦合的輸出。利用本...