本公開(kāi)提供一種廢水處理系統(tǒng)、方法、存儲(chǔ)介質(zhì)及程序，其中，廢水處理系統(tǒng)包括：混凝裝置，所述混凝裝置包括：混凝槽，所述混凝槽的第一端與廠務(wù)端連接；混凝管，所述混凝管與所述混凝槽的第二端連接；混凝閥，所述混凝閥設(shè)置于所述混凝管；沉積裝置，所述...

一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法、反相器電路，其中方法包括：形成漏摻雜層，漏摻雜層包括第一漏摻雜區(qū)、隔離結(jié)構(gòu)和第二漏摻雜區(qū)，隔離結(jié)構(gòu)位于第一漏摻雜區(qū)和第二漏摻雜區(qū)之間，第一漏摻雜區(qū)和第二漏摻雜區(qū)的導(dǎo)電類(lèi)型不同；在第一漏摻雜區(qū)上形成第一體區(qū)，在...

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種缺陷檢測(cè)裝置、方法、光刻機(jī)、設(shè)備、介質(zhì)及程序產(chǎn)品，缺陷檢測(cè)裝置用于對(duì)設(shè)置于光罩上的薄膜的缺陷進(jìn)行檢測(cè)，缺陷檢測(cè)裝置包括：探測(cè)模塊，用于承載所述光罩并對(duì)所述光罩上的薄膜進(jìn)行掃描，以獲取所述薄膜上的缺陷信息，所述缺陷信...

本發(fā)明實(shí)施例提供一種制造方法及光刻機(jī)設(shè)備，制造方法包括：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底被劃分為第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域包含多個(gè)完整曝光區(qū)域，所述第二區(qū)域包含多個(gè)非完整曝光區(qū)域；在所述第一區(qū)域以及第二區(qū)域的半導(dǎo)體襯底上形成前層對(duì)準(zhǔn)...

一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中形成方法包括：提供襯底；在所述襯底上形成電荷存儲(chǔ)層；在所述電荷存儲(chǔ)層上形成柵極結(jié)構(gòu)；在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的所述襯底內(nèi)形成源極和漏極；對(duì)所述電荷存儲(chǔ)層進(jìn)行熱載流子注入處理，使電子或空穴進(jìn)入所述電荷存儲(chǔ)層內(nèi)。本...

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中，形成方法包括：提供基底，所述基底包括襯底，以及位于所述襯底上的溝道層；在所述溝道層上形成控制柵極和極性柵極，所述控制柵極位于所述極性柵極的一側(cè)；采用離子注入的方式，在所述極性柵極另一側(cè)露出的溝...

本發(fā)明實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)應(yīng)用于閃存器件，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成第一氧化層；在所述第一氧化層上形成種子層；在所述種子層上形成氮化層；在所述氮化層上形成第二氧化層。采用上述技術(shù)方案，...

本發(fā)明一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供襯底，所述襯底包括NMOS區(qū)和PMOS區(qū)，所述NMOS區(qū)和所述PMOS區(qū)的所述襯底表面分別具有柵極層和形成于所述柵極層兩側(cè)的所述襯底內(nèi)的源漏區(qū)；在所述襯底的表面以及所述柵極層的側(cè)壁和頂部表面形成...

一種半導(dǎo)體LDD擴(kuò)展寬度測(cè)試結(jié)構(gòu)及其形成方法、計(jì)算方法，包括：確定測(cè)試結(jié)構(gòu)的寬度，所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的寬度基于所述第一阱的寬度和/或第一LDD的寬度確定；測(cè)試所述第一阱得到第一阱的實(shí)測(cè)電阻；測(cè)試所述第一LDD得到第一LDD的實(shí)測(cè)電阻；測(cè)試所述...

一種OPC模型的建立方法和裝置、光學(xué)臨近修正方法和設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)，所述建立方法包括：形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)具有圖形化層；獲得所述圖形化層中圖形的輪廓；根據(jù)所獲得圖形的輪廓，對(duì)所述圖形化層的量測(cè)數(shù)據(jù)進(jìn)行篩選。基于所獲得所述圖形化層...

本發(fā)明實(shí)施例提供一種檢測(cè)電路及電壓轉(zhuǎn)換電路，檢測(cè)電路與電壓轉(zhuǎn)換器耦接，檢測(cè)電路包括：第一檢測(cè)模塊，被配置為根據(jù)第一反饋電壓，以及預(yù)設(shè)的第一參考電壓，生成第一檢測(cè)信號(hào)，第一反饋電壓基于電壓轉(zhuǎn)換器的輸出端的輸出電壓生成；第二檢測(cè)模塊，被配置...

一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成柵極結(jié)構(gòu)；形成刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)和所述基底；采用多輪工藝，形成覆蓋所述刻蝕阻擋層的填充層，每輪工藝至少包含：采用沉積工藝，形成填充子層，自第二層填充子層...

一種圖形修正方法、存儲(chǔ)介質(zhì)和存儲(chǔ)終端，方法包括：提供測(cè)試版圖，包括若干測(cè)試圖形；基于測(cè)試版圖，獲取卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型，包括：若干第一線段在測(cè)試版圖上的周?chē)牡谝画h(huán)境分布矩陣，以及測(cè)試版圖經(jīng)過(guò)光學(xué)鄰近效應(yīng)修正后的若干第一線段的第一偏移量，若...

一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中方法包括：采用第一低壓化學(xué)氣相沉積工藝，在襯底表面形成第一初始柵材料層，第一初始柵材料層的材料為多晶硅；采用第二低壓化學(xué)氣相沉積工藝，在第一初始柵材料層表面形成第二初始柵材料層，第二初始柵材料層的材料為多...

一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中形成方法包括：提供襯底；在襯底上形成具有第一摻雜類(lèi)型的第一外延層；在第一外延層內(nèi)形成若干對(duì)超結(jié)結(jié)構(gòu)，所述超結(jié)結(jié)構(gòu)包括具有第二摻雜類(lèi)型的第一柱和具有第一摻雜類(lèi)型的第二柱，第一柱和第二柱沿水平方向交替連接設(shè)置...

一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：提供襯底；在襯底上沉積形成第一絕緣層；在第一絕緣層上沉積形成柵極層；在柵極層上形成具有柵極層圖案的第一光刻膠層；以第一光刻膠層為掩膜，在第一絕緣層上以及柵極層的側(cè)壁表面沉積形成第二絕緣層，...

一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供襯底；采用濕氧氧化工藝對(duì)所述襯底進(jìn)行第一氧化處理，在所述襯底表面形成第一氧化層，所述濕氧氧化工藝具有第一工藝溫度和第一氧化速率；在所述濕氧氧化工藝之后，采用干氧氧化工藝對(duì)所述襯底進(jìn)行第二氧化處理，在所...

一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法、存儲(chǔ)陣列，其中形成方法包括：提供襯底；對(duì)襯底進(jìn)行離子注入，形成阱區(qū)以及位于阱區(qū)上的摻雜區(qū)；在摻雜區(qū)上形成具有控制柵圖案的第一光刻膠層；以第一光刻膠層為掩膜，依次刻蝕摻雜區(qū)以及阱區(qū)，在襯底內(nèi)形成第一開(kāi)口、以及位...

本發(fā)明公開(kāi)一種靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的讀取靜態(tài)噪聲容限測(cè)量方法、計(jì)算設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)。本發(fā)明獲取靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的測(cè)試數(shù)據(jù)，提取各芯片的測(cè)試電壓；然后對(duì)測(cè)試電壓進(jìn)行格式轉(zhuǎn)換；對(duì)格式轉(zhuǎn)換后測(cè)試電壓利用曲線擬合插值獲取第一擬合曲線和第二擬合曲線...

一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中方法包括：形成襯底結(jié)構(gòu)，襯底結(jié)構(gòu)包括漏摻雜區(qū)和位于漏摻雜區(qū)上的漂移區(qū)，襯底結(jié)構(gòu)包括相鄰的第一區(qū)和第二區(qū)，第一區(qū)和第二區(qū)沿平行于第一面或第二面的方向排布；在第一區(qū)的漂移區(qū)內(nèi)形成第一體區(qū)，第一體區(qū)自第一面向第...