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    浙江巨磁智能技術有限公司專利技術

    浙江巨磁智能技術有限公司共有154項專利

    • 本發明涉及用于隔離開關驅動控制領域,它涉及一種用于隔離開關驅動控制的解調裝置及其驅動方法,對輸入的調制信號進行波形整形,將其轉換為高頻方波信號,通過低通濾波器濾除高頻成分,得到穩定的數字信號,對包含邏輯跳變的調制信號進行延時處理,以確保...
    • 本發明公開了一種高速單通道數字隔離芯片,涉及數字隔離器,旨在提供一種抗電磁干擾能力強、輸出信號穩定的高速單通道數字隔離芯片,包括接收端RX電路包括OSC振蕩器和至少兩個電容,其中,OSC振蕩器用于控制接收端RX電路內掛載的電容數目,產生...
    • 本發明屬于電子電路技術領域,尤其涉及一種模擬光耦的實現方法,包括模擬光耦仿真器電路,模擬光耦仿真器電路上設有LC振蕩器、TX端的boost電路、隔離變壓器、RX的boost電路、耐高壓開漏NMOS輸出電路和壓控三角波發生電路,先通過LC...
    • 本發明涉及光耦合器的技術領域,它涉及一種光耦仿真器,包括發送模塊、隔離變壓器和接收模塊,發送模塊用于接收輸入信號并生成高頻載波信號,對輸入信號進行OOK調制,隔離變壓器連接于發送端電路與接收端電路之間,且通過絕緣介質實現電氣隔離和信號傳...
    • 本申請涉及電流檢測的領域,尤其是涉及一種CMOS磁通門傳感器,包括依據待測電流通過的電纜所產生的的磁場以產生相應的磁場以使得磁通量趨向為零的電感線圈,電感線圈兩端一一對應連接有將電壓放大的驅動管和將調換后電壓傳輸至驅動管的傳輸管,驅動管...
    • 本發明涉及升壓電路的技術領域,它涉及一種可層疊的整流升壓電路結構,包括輸入信號源和升壓電路單元,升壓電路單元由至少兩個層疊的升壓單元組成,每個升壓單元包括二極管、儲能電容、MOS器件和限流電阻,每層升壓單元的輸出端與下一層升壓單元的輸入...
    • 本發明屬于信號處理電路領域,尤其涉及一種消除閉環傳感器電路的失調及失調漂移的方法,包括帶旋轉開關的霍爾盤、放大器、開關電容積分器、濾波器、儀表放大器、功率放大器、補償線圈和檢測電阻,不需要考慮環路中任何環節對失調和失調漂移的貢獻,只需要...
    • 本發明屬于電子測試測量系統技術領域,它涉及一種基于低電容放大器的溫補晶振穩定性優化系統,其校準對象為溫度補償晶體振蕩器;系統包括電源、低電容放大器、通用測量儀器系統、工控機;電源,用于對整個系統的供能;通用測量儀器系統,具有檢測測量、信...
    • 本發明屬于數據輸出領域,尤其涉及一種串行輸出的OTP及其工作機制,包括讀寫模塊和轉換模塊,讀寫模塊和轉換模塊耦合,讀寫模塊包括Write_cmd和Read_cmd,轉換模塊包括CTRL_LOGIC、OTP_ARRAY、CMP_CURRE...
    • 本發明屬于電流檢測技術領域,尤其涉及一種可調節閾值的過流檢測電路,包括電壓跟隨模塊S、比較器A2、電流源產生模塊A、電流復制模塊B、電流鏡C、邏輯控制模塊D、電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電阻R5、電阻R6、電阻R7、二極管D...
    • 本發明屬于放大器技術領域,尤其涉及一種低失調、增益可調的全差分電流負反饋放大器,包括電源管理芯片LDO、斬波器CH1、斬波器CH2、跨導gm1、跨導gm2、可變增益放大器Ux、射級跟隨器B1、射級跟隨器B2、可變電阻R1、可變電阻R2、...
    • 本發明屬于傳感器信號處理技術領域,尤其涉及一種用于提高傳感器測量精度的方法,該傳感器包括運算放大器、電阻、基準電壓源、MCU模塊、低壓差穩壓器LDO、熱敏電阻NTC及電流信號采集模塊,MCU模塊包括相互電性連接的ADC單元和MUX單元;...
    • 本發明屬于半導體技術領域,尤其涉及一種用于溫補低頻振蕩器的低電容放大器處理系統,包括輸入電壓正端(Vin+)、輸入電壓負端(Vin?)、輸入電容(Cin)、輸入電阻(Rin)、輸出電阻(Rout)、輸入電壓(Vout)和系統單元,通過系...
    • 本發明屬于霍爾傳感器技術領域,尤其涉及一種可重復編程霍爾電流傳感器及其通信實現方法,包括霍爾感應器、基準參考源單元、運算放大輸出單元、可編程單元及微控制處理單元,霍爾感應器與運算放大輸出單元相連,并用于將外部電流信號通過磁電轉換形成電信...
    • 本發明屬于數字隔離器領域,尤其涉及一種電容耦合數字隔離器測試用的高頻信號發生器系統,包括振蕩器電路、緩沖器電路、無源波形整形網絡、放大電路和待測隔離芯片,緩沖器電路包括電阻模塊和電容模塊,電阻模塊和電容模塊耦合連接,通過此系統中的振蕩器...
    • 本發明屬于電子電路技術領域,尤其涉及一種低溫漂、高PSRR的無運放帶隙基準電路,包括MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5、MOS管M6、MOS管M7、MOS管M8、MOS管M9、MOS管M10、MOS管M...
    • 本發明屬于電力電子領域,尤其涉及一種寬范圍閉環磁通門電流檢測的信號處理系統,包括電流信號轉數字信號模塊、電流信號轉電壓信號模塊和占空比檢測的數字信號轉電流信號模塊,電流信號轉數字信號模塊包括磁通門傳感器和H橋一,電流信號轉電壓信號模塊上...
    • 本發明屬于電子電路技術領域,尤其涉及一種適用于電源電壓監控的UVLO電路,包括電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電阻R5、電阻R6、PNP三極管Q1、PNP三極管Q2及NPN三極管Q3;與現有技術相比,本發明采用電阻和三極管實現,...
    • 本發明屬于電子電路技術領域,尤其涉及一種應用于GaN級聯Si?MOS的驅動與快速保護電路,包括GaN器件、Si?MOSFET、MOS管MNH1、MOS管MNH2、MOS管MNH3、MOS管MNH4、MOS管MP1、MOS管MP2、MOS...
    • 本發明屬于電子電路技術領域,尤其涉及一種低成本雙通道輸入單信道傳輸隔離芯片的傳輸方法,包括編碼模塊、模擬信道傳輸模塊及解碼模塊,其中雙通道輸入信號為in0和in1,雙通到信號經過編碼模塊之后變為串行信號tx_data,串行信號tx_da...
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