本實用新型公開了一種數字式光纖隔離示波器探頭，包括探針、高速AD采樣、第一光模塊和第二光模塊，第一光模塊與第二光模塊之間通過光纖數據傳輸線進行連接；探針本體內設置有高速AD采樣模塊和第一光模塊，第二光模塊與示波器連接，待處理的模擬信號進...

本實用新型公開了一種新型MOS功率模塊，包括四個功率MOS管和功率電容，四個功率MOS管分成兩組，每組兩個功率MOS管串聯(lián)，每組和功率電容并聯(lián)；本實用新型提供設計簡單合理、提高整體效率、破壞內部諧振的一種新型MOS功率模塊。塊。塊。

本申請涉及一種小型整流橋半成品結構及其成品結構，該小型整流橋半成品結構包括上框架、中框架、下框架和整流器本體，整流器本體上設置有四個連接腳、且兩兩分別設于兩側，其中，一側的兩個連接腳與中框架連接，另一側的兩連接腳分別與上框架和下框架連接...

本實用新型公開了一種低電容隔離電源模塊，包括高頻開關電源芯片、采樣電路、半橋驅動電路、隔離變壓器和整流電路，整流電路采用倍壓整流或全波整流；高頻開關電路與采樣電路、半橋驅動電路、隔離變壓器電性連接，采樣電路、半橋驅動電路和隔離變壓器電性...

本發(fā)明公開了一種消防通道智能監(jiān)管系統(tǒng)，包括傳感器、低功耗省電管理模式、無線傳感網通訊協(xié)議模塊、云平臺；傳感器采用如金屬傳感、距離傳感等技術研制專用傳感模塊來實現對傳感器位置上方是否停有車輛進行識別；并利用低功耗單片機技術對每一臺傳感集成...

本實用新型公開了一種復合MOS管封裝結構，包括封裝在一個模組內的場效應管芯片，第二三極管芯片和第三三極管芯片，場效應管芯片的柵極和第二三極管發(fā)射極和第三三極管的基極、發(fā)射極連接，場效應管的源極與第二三極管的集電極連接并引出至少一個源極管...

本申請公開了一種三層整流橋堆框架，包括從下至上依次疊放的下層框架、中層框架和上層框架，采用三層框架的結構設計，使得在生產時將下層框架放好后，在下次框架的每個下層焊盤上均放置錫膏和芯片后，將中層框架放置上去使中層焊盤與芯片位置一一對應，然...

本發(fā)明公開了一種新型半導體芯片、制備方法及應用電路，其中一種新型半導體芯片，包括：N型襯底，電阻率為0.2?0.3Ω/cm；設置在N型襯底兩側的N型擴散層，結深為60～100μm，方塊電阻為800～1500Ω/□；設置在N型擴散層中的P...

本發(fā)明公開了一種新型過壓保護器件的測試設備，用于測試一種新型過壓保護器件，包括功率瞬時開關模塊、MCU控制器模塊、電流電壓檢測電路和人機交互模塊，工作時在輸入端接浪涌信號源，輸出端連接待測新型半導體器件，通過人機交互模塊設定好導通時間后...

本實用新型公開了一種多芯片串聯(lián)封裝結構，包括芯片、封裝殼體和兩銅框架，所述芯片至少設置為兩個，所述銅框架位于封裝殼體外形成引出腳；兩所述銅框架位于封裝殼體內的部分分別呈一上、一下折彎形成上框架和下框架，所述上框架和下框架間平行設置，多個...

本實用新型公開了一種微型橋式整流器，包括：封裝殼體；所述封裝殼體用于封裝橋式整流電路，所述橋式整流電路進一步包括四個二極管芯片，其中第一二極管芯片的陰極和第三二極管芯片的陽極連接作為第一交流輸入端，第二二極管芯片的陰極和第四二極管芯片的...

本實用新型公開了一種超低寄生電感二極管封裝體，包括具有外端面殼體的第一金屬體、具有外端面殼體的第二金屬體、二極管芯片和塑封體，第一金屬端體的另一端面與二極管芯片一面釬焊，第二金屬端體的另一端面與二極管芯片的另一面釬焊，釬焊完成后通過加注...

本實用新型公開了一種電容封裝，包括封裝殼體、電容素子和引出腳，所述封裝殼體呈一端開口設置，所述引出腳包括位于封裝殼體外并與封裝殼體外側壁抵接的引腳、以及位于封裝殼體內用于與電容素子連接的連接部，所述引腳與連接部間一體設置，兩所述引腳至少...

本實用新型公開了一種貼片電容封裝，包括封裝殼體、電容素子和兩引出腳，所述封裝殼體呈一端開口設置，所述引出腳包括插于封裝殼體內用于與電容素子連接的連接片、以及于連接片一端折彎形成的引腳，所述連接片的寬度大于所述開口與連接片平行內壁的寬度的...

本發(fā)明公開了一種低功耗的復合SJ?MOS管的制備方法，包括以下步驟：增加柵極控制回路，在原有的SJ?MOSFET管的柵極控制電路中放置具有單向導通性的復合元件或符合單向導通的外部電路；增加源極信號回路，在原有的SJ?MOSFET管上設置...

本實用新型公開一種單向TVS芯片，包括均勻摻雜的基片，從所述基片的兩面分別摻入與基片導電類型相反的雜質而形成的第一異型雜質擴散區(qū)和第二異型雜質擴散區(qū)，所述基片與第一異型雜質擴散區(qū)之間形成第一PN結，所述基片與第二異型雜質擴散區(qū)之間形成第...

本發(fā)明公開一種單向TVS芯片，包括均勻摻雜的基片，從所述基片的兩面分別摻入與基片導電類型相反的雜質而形成的第一異型雜質擴散區(qū)和第二異型雜質擴散區(qū)，所述基片與第一異型雜質擴散區(qū)之間形成第一PN結，所述基片與第二異型雜質擴散區(qū)之間形成第二P...

本實用新型涉及一種表面貼裝高壓硅堆，屬于半導體器件技術領域。包括整流芯片、引線端子和塑封體，所述整流芯片由若干玻璃鈍化整流芯片通過引線框架串聯(lián)而成，若干玻璃鈍化整流芯片在塑封體內部共面設置或采用多層疊放設置；所述引線端子包括分別伸出塑封...

本實用新型涉及一種芯片結構，特別是一種可以有效增加PN結結面積的芯片結構，屬于半導體技術領域。包括芯片本體，芯片本體包括襯底層以及在襯底層其中一面或兩面同時摻雜形成與襯底層導電類型相反的重摻雜層，重摻雜層與襯底層相交處形成PN結，PN結...

本實用新型涉及一種自帶散熱片的表面貼裝整流器件，包括塑封體和引線端子，塑封體相對的兩個側面分別從中部對稱伸出鷗翅型引線端子，兩側對稱的引線端子在塑封體內部彼此連接，且與塑封體內部的芯片其中一個電極連接；塑封體另外兩個相對的側面分別從底部...