本技術屬于芯片測試領域，尤其是一種芯片測試固定座，針對現有的芯片進行測試時，連接板壓在轉接板和基板上，由于連接不穩定，進而導致電壓不穩定，影響后續測試的問題，現提出如下方案，其包括固定座本體、連接板、轉接板和基板，所述固定座本體的頂部開...

本申請公開單點VCSEL激光器驅動電路，包括充電電路，與電壓源電性連接，該充電電路上具有電容，電壓源的電荷存儲于電容，電容內的電荷輸出給單點VCSEL激光器；放電電路，該放電電路上具有能夠實現納秒級脈寬內開啟和關閉的開關器件，開關器件在...

本申請屬于半導體技術領域，具體為一種電阻式VCSEL激光器，包括多個發光陣列，每個所述發光陣列包括多個按序排列的發光單元，其中所述發光單元包括襯底層，具有頂表面和底表面；第一布拉格反射鏡，位于所述襯底層的頂表面上；有源區，位于所述第一布...

公開了一種VCSEL晶圓及其制造方法。所述VCSEL晶圓包括至少一VCSEL發光點和至少一光電二極管，所述VCSEL發光點和所述光電二極管共基板延伸。

公開了一種VCSEL模組光斑測試系統，包括成像屏、位于成像屏一側的導軌、位于成像屏另一側的工業相機、位于導軌上的測試基座、熱源結構以及熱電溫度控制器，其中，熱源結構位于測試基座上，該熱源結構包括TEC制冷片，具有冷面和熱面，其中熱電溫度...

公開了一種VCSEL集成晶圓及其制造方法，其中，所述VCSEL集成晶圓包括：至少一VCSEL芯片、與所述VCSEL芯片相間隔的至少一光電二極管芯片，以及，在晶圓級別上集成于所述VCSEL芯片的熱電制冷結構，每一VCSEL芯片包括至少一V...

本申請屬于半導體技術領域，具體為一種電流分布均勻的VCSEL激光器，包括發光單元，所述發光單元包括電流限制層，為VCSEL激光器提供光學和電學限制，該電流限制層上具有供電流和激光通過的發光孔；第二布拉格反射鏡，位于所述有源區遠離第一布拉...

公開了一種VCSEL發光點和VCSEL陣列以及光學設備和VCSEL器件的制造方法。所述發光點主體包括：襯底層、底部鏡部分、有源區、主限制層、頂部鏡部分和電極接觸層。底部鏡部分，所述底部鏡部分形成于所述襯底層上，所述底部鏡部分包括底部隧道...

公開了一種VCSEL發光點和VCSEL陣列以及光學設備和VCSEL器件的制造方法。VCSEL發光點包括：發光點主體、VCSEL陽極和VCSEL陰極。發光點主體包括：襯底層、底部鏡部分、有源區、主限制層、頂部鏡部分和電極接觸層；其中底部鏡...

本技術屬于芯片測試領域，尤其是一種用于芯片測試的連接結構，針對現有的LIV測試機臺在對電路板進行測試的過程中，機臺自帶得連接器為共用正極的機臺；由于納秒驅動輸出為非共用正極，因此無法直接使用現有基板的問題，現提出如下方案，其包括基板、轉...

本發明公開一種VCSEL芯片的激光參數測量方法及系統，用于計算能量比例達到預設的目標比例閾值的最小比例時所對應的目標半徑；確定目標半徑的具體方法為：構建趨勢變化函數，所述趨勢變化函數包括圓形區域的半徑和對應的能量比例的關系；基于預設的目...

本申請屬于半導體技術領域，具體為一種超表面dToF投射器，包括基板，具有陽極區和至少兩個陰極區；激光光源，位于所述基板的上表面上，該激光光源底部的陽極電極電性連接到陽極區，該激光光源頂部的多個陰極電極電性連接到所述陰極區；支架，設于所述...

本技術涉及半導體技術領域，具體涉一種雙線形光斑激光投射器及電子設備。包括兩個用于產生激光的激光光源；對應于激光出射路徑上以準直激光光線的激光準直元件；和與激光準直元件相對應以調節至少部分經過準直的激光光線角度的光學元件；對應于激光光線的...

本申請屬于半導體技術領域，具體為一種激光投射器用的測試治具，其包括基座；可翻轉的連接在所述基座上的蓋體，所述蓋體上設置有供激光投射器倒置裝入的安裝位以及與所述安裝位相對應的出光孔；可相對所述蓋體翻轉且與所述蓋體相關聯以托住所述激光投射器...

本申請屬于半導體技術領域，具體為一種線形激光投射器以及電子設備，包括激光光源，用于產生激光的；激光光學器件，供激光光源所產生的激光穿透，對應于所述激光出射路徑上以準直并調整部分經過準直的激光光線角度；激光整形元件，對應于激光光線的傳播路...

本技術公開了一種VCSEL芯片，包括多個發光區，每個所述發光區排列有多個發光點，所述發光點由下至上依次包括襯底層、陰極金屬層、第一布拉格反射鏡、有源區、氧化限制層、第二布拉格反射鏡、陽極金屬層以及絕緣保護層；所述發光區位于所述陽極金屬層...

公開了一種VCSEL器件及其制備方法，其中，所述VCSEL器件包括：VCSEL發光單元和在晶圓級別上成型于所述VCSEL發光單元的熱電制冷結構，所述熱電制冷結構被夾設于所述VCSEL發光單元內，所述熱電制冷結構包括多個熱電偶對，每一熱電...

公開了一種VCSEL器件及其制備方法，其中，所述VCSEL器件包括：VCSEL主體和在晶圓級別上成型于所述VCSEL主體的熱電制冷結構，所述熱電制冷結構包括多個熱電偶對，每一熱電偶對包括相互電連接的P型結構和N型結構。這樣，所述VCSE...

本發明提供了一種TOF模組，用于人臉識別，包括：一投射器模塊；一TOF傳感模塊；一微控制單元；一儲存器；一串行器單元；一信號連接模塊；一電源?？?；其中，所述投射器模塊被可通信地電連接于所述TOF傳感模塊,所述微控制單元被可通信地電連接于...

本申請屬于半導體技術領域，具體為一種多線形光斑激光投射器，包括用于產生激光的激光光源；對應于所述激光出射路徑上以準直激光光線的激光準直元件，和與所述激光準直元件相對應以調節至少部分經過準直的激光光線角度的光學元件；對應于激光光線的傳播路...