本發明公開了一種半導體發光二極管的結構及其制作方法，其結構以及采用該制作方法制作的半導體發光二極管能夠提升光提取效應，提升發光效率；本發明公開的一種半導體發光二極管的結構在第一、第二有源層的V形坑連接界面具有第一納米錐；第二有源層的每對...

本發明公開了一種半導體發光二極管及其制作方法，其公開的結構以及采用該制作方法制作的半導體發光二極管能夠提升發光效率和發光強度。為了達到上述目的，本發明公開的一種半導體發光二極管包括襯底，緩沖層，第一導電型的第一半導體層，多量子阱具有V形...