本發(fā)明涉及傳感器技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種多源壓力傳感器量程校準(zhǔn)方法，采用多源壓力傳感器進(jìn)行測量，多源壓力傳感器中至少包括兩個(gè)量程范圍的敏感結(jié)構(gòu)且每個(gè)敏感結(jié)構(gòu)與其對應(yīng)的檢測電路連接，用戶根據(jù)所需量程選擇一種敏感結(jié)構(gòu)進(jìn)行測量對敏感結(jié)構(gòu)的測量值...

本發(fā)明屬于微機(jī)電傳感器領(lǐng)域，具體涉及一種低溫漂MEMS諧振壓力傳感器敏感芯片及其制備方法；包括：從上至下依次鍵合連接的蓋帽層、諧振層、感壓層和隔離基座；蓋帽層上設(shè)有電極通孔和真空腔凹槽，真空腔凹槽中濺射有吸氣劑；諧振層上設(shè)有兩個(gè)Si?S...

本發(fā)明涉及氣體檢測技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種基于熱泳效應(yīng)的氣體檢測結(jié)構(gòu)及方法，包括：熱泳吸附單元、智能控制系統(tǒng)；其中，熱泳吸附單元包括：進(jìn)樣口、富集管、出氣閥、加熱元件、溫度傳感器、SAW諧振器、氣腔；智能控制系統(tǒng)包括：微處理器、信號處理板...

本發(fā)明涉及一種基于改進(jìn)YOLOv9的微電子器件表面缺陷檢測方法，該方法包括：采集微電子器件表面圖像，經(jīng)缺陷分類、標(biāo)注后形成微電子器件表面圖像樣本集，再經(jīng)數(shù)據(jù)增強(qiáng)得到擴(kuò)充數(shù)據(jù)集，將其劃分為訓(xùn)練集、驗(yàn)證集和測試集；在YOLOv9模型的主干網(wǎng)...

本發(fā)明屬于光封裝領(lǐng)域，涉及一種半導(dǎo)體收發(fā)一體式封裝用裝置及其制造方法；所述裝置包括管座，所述管座上設(shè)置有連接引腳；管帽，所述管帽設(shè)于所述管座上，與所述管座配合形成密閉空間，所述管帽上設(shè)置有準(zhǔn)直透鏡和平窗玻璃；半導(dǎo)體芯片，設(shè)置于所述密閉空...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種硅基MEMS三軸加速度傳感器及制作方法，包括：第一敏感單元、第二敏感單元、第三敏感單元、器件層、錨點(diǎn)、下蓋板以及上蓋板；第一敏感單元、第二敏感單元、第三敏感單元均設(shè)置在器件層，第二軸敏感單元...

本發(fā)明涉及電子核心產(chǎn)業(yè)中敏感元件及傳感器制造領(lǐng)域，具體涉及一種壓電MEMS聲學(xué)器件及其制造方法；該器件結(jié)構(gòu)從下至上依次為：襯底、絕緣層、硅基板、多層復(fù)合膜結(jié)構(gòu)、保護(hù)層；其中，多層復(fù)合膜結(jié)構(gòu)由電極層與壓電層交替生長形成，且多層復(fù)合膜的第一...

本發(fā)明屬于聲學(xué)換能器領(lǐng)域，具體涉及一種壓電MEMS聲學(xué)器件；該器件包括：開縫基體、焊盤和保護(hù)層；焊盤設(shè)置在開縫基體上，保護(hù)層沉積在開縫基體上；開縫基體為單層開縫結(jié)構(gòu)或雙層開縫結(jié)構(gòu)；單層開縫結(jié)構(gòu)和雙層開縫結(jié)構(gòu)均包括襯底、絕緣層、硅基板、電...

本發(fā)明屬于傳感器領(lǐng)域，具體涉及一種無線鍵合壓電TOF傳感器制作方法，包括：在硅基片底部刻蝕一個(gè)圓形小孔；在具有圓形小孔的硅基片的正面刻蝕一個(gè)圓形空腔，且圓形空腔的圓心與圓形小孔的圓心同軸；采用硅?硅鍵合方式在圓形空腔后鍵合覆蓋一個(gè)硅片；...

本發(fā)明屬于電力電子控制領(lǐng)域，涉及一種并聯(lián)式脈沖功率解耦系統(tǒng)控制裝置及控制方法，包括：二階低通濾波器、采樣模塊、外環(huán)非線性ADRC控制器、內(nèi)環(huán)非線性ADRC控制器、電流前饋模塊、比較器以及雙電感雙向Buck/Boost變換器；各個(gè)器件依次...

本發(fā)明屬于流量傳感器技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種基于壓電微機(jī)械超聲換能器的流量傳感器，包括：雙通道流量傳感器和收發(fā)一體流量傳感器，所述雙通道流量傳感器和收發(fā)一體流量傳感器均測量管道中流體流量；所述雙通道流量傳感器由第一發(fā)射單元壓電微機(jī)械超聲換...

本發(fā)明涉及晶圓表面缺陷檢測技術(shù)，具體涉及一種晶圓表面缺陷檢測方法、裝置及計(jì)算機(jī)設(shè)備；所述方法包括獲取目標(biāo)圖像和參考圖像；提取所述目標(biāo)圖像的圖像特征；所述圖像特征包括灰度共生矩陣特征、直方圖統(tǒng)計(jì)特征、圖像互相關(guān)特征、傅里葉譜互相關(guān)特征、H...

本技術(shù)屬于封裝技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種應(yīng)用于晶圓級封裝的氣密封結(jié)構(gòu)，包括：蓋帽晶圓和功能晶圓，蓋帽晶圓設(shè)置有凸起結(jié)構(gòu)，該凸起結(jié)構(gòu)均勻分布在蓋帽晶圓底部的邊緣位置；功能晶圓設(shè)置有凹陷結(jié)構(gòu)，該凹陷結(jié)構(gòu)設(shè)置在功能晶圓上表面，且與蓋帽晶圓底部的凸...

本發(fā)明屬于MEMS壓阻式壓力傳感器技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及耐高溫MEMS壓阻式微壓敏感芯片結(jié)構(gòu)及其制備方法；所述結(jié)構(gòu)包括由下至上堆疊的基座層、SOI基片和金屬層；SOI基片包括襯底層、底硅層、埋氧層和器件層；襯底層包括支撐襯底和空氣腔；底硅層...

本發(fā)明涉及真空度傳感器測量技術(shù)，特別涉及一種基于雙分支網(wǎng)絡(luò)算法的真空度傳感器信號重構(gòu)方法，包括：獲取通過壓阻、皮拉尼、諧振獲取的真空度數(shù)據(jù)作為采集數(shù)據(jù)；構(gòu)建雙分支網(wǎng)絡(luò)，將采集數(shù)據(jù)輸入雙分支網(wǎng)絡(luò)，雙分支網(wǎng)絡(luò)輸出補(bǔ)償后的采集數(shù)據(jù)；雙分支網(wǎng)絡(luò)...

本發(fā)明涉及一種均勻集成鎢片的閃爍晶體陣列的制備方法，包括以下步驟：預(yù)先獲得一種定型模具，定型模具具有若干呈陣列排布的豎向的晶體條容置腔，晶體條容置腔上下兩端敞口；將定型模具放置在水平的底板上；將晶體條一一插入所有晶體條容置腔中，并采用粘...

本發(fā)明屬于傳感器領(lǐng)域，具體涉及一種SAW傳感器封裝結(jié)構(gòu)；所述SAW傳感器封裝結(jié)構(gòu)包括粘接器件單元的傳感器底座，以及覆蓋器件單元的固定環(huán)和壓環(huán)；還包括傳感器底座、固定環(huán)和壓環(huán)三者內(nèi)部形成的氣室；所述器件單元包括SAW傳感器、溫度傳感器和半...

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體封裝用管座及其制備方法，包括：裝置體和基體，其特征在于，所述基體和裝置體通過一體沖壓的方式一體成型；所述裝置體包括：臺座部以及自臺座部上表面突出的柱狀部；所述臺座部從上至下貫穿所述基體；所述臺座部的下表面和基體的下表...

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝用管座，包括：裝置體和基體；所述基體上設(shè)置有沉臺；所述裝置體的最下表面通過隔著所述沉臺的底部相對于所述基體的最下表面離開；所述裝置體和基體通過焊料而連接；所述沉臺的底部相對于所述基體最上表面的垂直距離大于基體最大...

本發(fā)明提供了一種大遺址防盜防破壞裝置，本發(fā)明涉及防盜技術(shù)領(lǐng)域，大遺址防盜防破壞裝置，包括圍墻一和圍墻二，圍墻一內(nèi)側(cè)包圍有古文化遺存埋藏地，圍墻二內(nèi)側(cè)包圍有勘探發(fā)掘區(qū)域；裝置包括地下挖掘監(jiān)控部件、地上空間區(qū)域監(jiān)控部件以及服務(wù)器，地下挖掘監(jiān)...