本發(fā)明提出了一種甚長波紅外探測器及其背面增透薄膜制備方法，該制備方法，包括：基于鍍膜設(shè)備，將待鍍碲鎘汞探測器和陪片放置在夾具上；以硫化鋅和氟化鐿為薄膜材料，利用鍍膜設(shè)備進(jìn)行工藝設(shè)定，通過設(shè)定工藝制備多層交替結(jié)構(gòu)的背增透薄膜；對陪片進(jìn)行光...

本申請?zhí)岢隽艘环N快速反射鏡光軸驗(yàn)證裝置，涉及光機(jī)裝調(diào)技術(shù)領(lǐng)域，該裝置包括裝置包括：設(shè)置于高低溫箱外的艙外測量組件和設(shè)置于高低溫箱內(nèi)的艙內(nèi)試驗(yàn)組件；艙外測量組件包括升降臺，升降臺上可調(diào)節(jié)地設(shè)置有第一自準(zhǔn)直儀和第二自準(zhǔn)直儀；艙內(nèi)試驗(yàn)組件包括...

本發(fā)明提出了一種超大成像動態(tài)紅外焦平面、讀出電路及讀出電路制備方法，該制備方法包括：將焦平面陣列均分為多個像元塊；根據(jù)焦平面成像動態(tài)范圍需求及成像需求，確定像元塊中各像元的子積分時間；配置像元的像素級積分電路；配置時序控制電路，用于控制...

本發(fā)明提出了一種雙波段光斑采集及識別裝置，包括：靶箱殼體，主控制板，采光鏡頭，靶面板；主控制板設(shè)置于靶箱殼體的內(nèi)部，處于居中位置；采光鏡頭，設(shè)置于主控制板的中心位置；靶面板，設(shè)置于靶箱殼體的正面位置，與采光鏡頭位置對應(yīng)。本發(fā)明的通過內(nèi)部...

本申請涉及薄膜材料外延生長領(lǐng)域，尤其涉及一種用于提升液相外延薄膜質(zhì)量的石墨舟及方法，該石墨舟包括底托、滑條、母液槽和滑動上蓋，其中，所述底托，為包圍結(jié)構(gòu)，用于支撐所述滑條、所述母液槽和所述滑動上蓋；所述滑條，位于所述底托內(nèi)，用于裝載襯底...

本申請公開了一種晶體生長爐及晶體裝爐方法。晶體生長爐包括：卡箍機(jī)構(gòu)可拆卸地設(shè)置于裝有晶體的坩堝的放肩部位，晶體生長爐具有至少兩個工作狀態(tài)，在第一工作狀態(tài)下，滑輪裝置可拆卸地設(shè)置于爐體頂部爐口對應(yīng)的接口，滑輪裝置與卡箍機(jī)構(gòu)之間通過繩索連接...

本申請?zhí)岢隽艘环N高功率窄線寬光纖激光器，包括：窄線寬激光種子源，窄線寬激光種子源光纖連接有預(yù)放大系統(tǒng)，預(yù)放大系統(tǒng)光纖連接有主放大系統(tǒng)；預(yù)放大系統(tǒng)包括保偏預(yù)放大器，保偏預(yù)放大器連接有保偏環(huán)形器；預(yù)放大系統(tǒng)輸出端的光纖熔接區(qū)域集成有第一保偏...

本申請公開了一種寬溫度范圍電光Q開關(guān)動態(tài)消光比測試方法及裝置，涉及光學(xué)測量與檢測技術(shù)，包括：試驗(yàn)箱，提供溫度環(huán)境；待測電光晶體設(shè)置在起偏器和檢偏器之間，耦合鏡輸出至所述試驗(yàn)箱外部的功率計；所述待測電光晶體，通過導(dǎo)線連接至所述試驗(yàn)箱外部的...

本發(fā)明提出了一種深臺面結(jié)構(gòu)側(cè)壁光滑成型的厚膠光刻方法，包括誒下步驟：使用旋涂設(shè)備在芯片表面涂覆一層均勻致密的正性光刻膠；前烘：將涂覆好光刻膠的芯片放置在第一溫度環(huán)境下進(jìn)行烘烤；將前烘后的芯片放置在接觸式光刻機(jī)樣品臺上并放置好掩膜版，調(diào)節(jié)...

本申請公開了一種微型旋轉(zhuǎn)整體式斯特林制冷機(jī)，包括：曲軸箱、壓縮活塞組件、推移活塞組件和電機(jī)部件，電機(jī)部件包括電機(jī)定子組件、轉(zhuǎn)子彈簧組件和轉(zhuǎn)子保護(hù)套；壓縮活塞組件、推移活塞組件和轉(zhuǎn)子彈簧組件均設(shè)置于曲軸箱內(nèi)，電機(jī)定子組件設(shè)置于曲軸箱的上方...

本申請涉及光纖通信技術(shù)領(lǐng)域，公開一種高功率光纖激光器中TMI效應(yīng)計算方法及裝置。方法包括：獲取待測光纖彎曲狀態(tài)下的模場分布，并將待分析光纖在彎曲狀態(tài)下模場分布作為基底進(jìn)一步求得熱負(fù)載下的模場分布，利用該模場分布計算TMI耦合系數(shù)及閾值。...

本申請公開了一種中中雙色紅外光電探測器半導(dǎo)體器件及制備方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)，包括：S10，建立仿真模型，通過性能測試實(shí)驗(yàn)獲取器件各層參數(shù)與器件性能關(guān)系趨勢；S20，基于關(guān)系趨勢，確定器件各層參數(shù)范圍；S30，依次生長襯底層；第一n型層，...

本發(fā)明提出了一種紅外探測器杜瓦窗座部件焊接工裝及焊接方法，該工裝包括：高導(dǎo)熱性的底座和設(shè)置于底座并與其一體連接的多個凸臺，凸臺形狀配置為與杜瓦窗座內(nèi)部空腔的形狀相適應(yīng)，底座上設(shè)置有用于限位杜瓦窗座的限位槽，使用時，杜瓦窗座套設(shè)于凸臺上，...

本申請公開了一種紅外材料CV器件結(jié)構(gòu)及制備方法，涉及紅外探測器技術(shù)，包括順次設(shè)置的基板、接觸電極層、銦柱、柵電極層、鈍化層、紅外材料層和地電極層，其中：所述基板、所述接觸電極層和所述銦柱作為正極引出結(jié)構(gòu)，地電極層作為負(fù)極引出結(jié)構(gòu)。本申請...

本發(fā)明提出了一種紅外探測器芯片多溫區(qū)應(yīng)力變形綜合測試裝置及測試方法，該裝置包括：測試腔室，測試腔室通過真空抽氣系統(tǒng)可選擇地形成真空測試環(huán)境；測試腔室內(nèi)設(shè)置有液氮杜瓦容器、五軸運(yùn)動控制平臺、X射線發(fā)生器、X射線檢測器和激光測距儀；液氮杜瓦...

本發(fā)明提出了一種復(fù)合被動三維成像方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)，該方法包括：基于相機(jī)的輸入圖像提取偏振子圖并合成全光圖像；計算全部像素的第二表面法線；同時通過單目深度估計網(wǎng)絡(luò)獲得初始絕對深度圖，通過場景語義分割網(wǎng)絡(luò)提取感興趣目標(biāo)區(qū)域并獲得其對應(yīng)...

本申請涉及材料退火領(lǐng)域，尤其涉及一種碲鎘汞閉管退火裝置。該裝置包括滑軌模塊和托車模塊，其中，滑軌模塊，主體結(jié)構(gòu)為類長方體框架，類長方體框架的頂部設(shè)置有滑軌凹槽，用于承接至少一個托車模塊，其中，至少一個托車模塊分別獨(dú)立設(shè)置于滑軌模塊上；托...

本發(fā)明提出了一種可重構(gòu)TDI線列紅外焦平面讀出電路裝置，包括：紅外線列型讀出電路；在紅外線列型讀出電路的TDI信號傳輸路徑上的設(shè)置有控制模塊，用于實(shí)現(xiàn)多種規(guī)格的TDI傳輸陣列組合。本發(fā)明提供的可重構(gòu)TDI線列紅外焦平面讀出電路裝置，基于...

本發(fā)明提出了一種全光纖脈沖激光器，包括：種子源模塊、放大模塊；種子源模塊包括：種子源，驅(qū)動電路板，第一隔離器，波分復(fù)用器，模場適配器；放大模塊包括：第一放大級、第二放大級、第三放大級以及主放大級。本發(fā)明中，可調(diào)諧種子源模塊可支持激光器系...

本發(fā)明提出了一種超大面陣紅外焦平面探測器讀出電路修復(fù)方法，包括：對于芯片進(jìn)行導(dǎo)通測試，篩選故障芯片；基于故障芯片表面建立直角坐標(biāo)系，通過OBIRCH測試儀在芯片表面確定讀出電路的故障點(diǎn)及其XY坐標(biāo)區(qū)域；通過OBIRCH測試儀的激光對故障...