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    中國工程物理研究院電子工程研究所專利技術

    中國工程物理研究院電子工程研究所共有954項專利

    • 本申請公開一種身份認證裝置及方法、安全系統,涉及信息安全領域。本申請所提供的身份認證裝置,包括激光器、存儲器、編碼器、單像素探測器,激光器照射編碼器形成編碼激勵光,不同編碼的激勵光照射在由隨機介質組成的身份鑰匙上形成不同的散斑,使用單像...
    • 本發明公開了一種火光遮擋下空中目標關鍵部位高精度跟蹤方法,所述方法利用火光遮擋下圖像的灰度值特性,對起火部位的灰度進行補償,然后結合濾波算法,對補償后的圖像進行匹配以實現跟蹤。本發明公開的火光遮擋下空中目標關鍵部位高精度跟蹤方法通過對視...
    • 本發明公開了一種電子器件注冊方法及系統,獲取電子器件的殼體上預設區域發出的光學信號,基于獲得的光學信號生成光學特征數據,光學特征數據描述電子器件的殼體上預設區域內的光學物理不可克隆函數特征,將獲得的光學特征數據作為電子器件的認證數據,對...
    • 本發明公開了一種基于次序物理沉積的壓電厚膜制備方法及工業級壓電厚膜,包括確定需制備的壓電厚膜的厚度;將壓電厚膜拆分為厚膜主體和頂電極,并確定厚膜主體的厚度和頂電極的厚度;采用磁控濺射沉積法在基底上制備厚膜主體;厚膜主體制備完成后,以厚膜...
    • 本發明公開了一種具有高生產效率的單體熱電池制備方法,該方法首先采用干法工藝制備熱電池的正極帶、電解質帶和負極帶,接著按順序將正極帶、電解質帶和負極帶依次按層疊片組合,然后采用壓力裝置將疊片組合元件進行壓實,得到大面積熱電池,最后進行沖壓...
    • 本發明提供了一種SiC PiN雙極性退化的篩選方法,該方法首先選擇正向導通特性正常的SiC PiN器件進行雙極性退化篩選試驗,并在試驗前確定合適大小的正向導通電流密度;之后在老練測試試驗中對SiC PiN器件的正向導通電壓變化趨勢進行實...
    • 本發明提供了基于熱電效應的半導體設備的動態熱管理方法及設備,主要利用基于熱電效應的熱電制冷器件主動控制半導體設備的熱斜率進行降溫,當半導體設備的當前熱斜率大于固定斜率閾值,啟動參數計算電路,進行優化計算,獲得熱電制冷器件的工作電流或工作...
    • 為解決現有的換能器背襯填充材料和填充方法不適用于壓電微機械超聲換能器而導致背腔填充不夠完全、不夠均勻或不夠可控的技術問題;本發明實施例提供一種壓電微機械超聲換能器背襯材料、制備方法及填充方法,包括:與PMUT器件阻抗相匹配的吸聲材料、固...
    • 本發明公開了一種二氧化硅傾斜臺面結構的制作方法及其應用,所述二氧化硅傾斜臺面結構的斜坡頂部與底部具有1~15
    • 本發明公開了帶位移放大齒的行波微執行器結構、制備方法及微型電機,涉及行波微執行器技術領域,其技術方案要點是:包括依次設置的PZT層、頂硅結構層以及多個定子齒;多個所述定子齒以圓周分布方式布置在頂硅結構層背向PZT層的側面,且相鄰的定子齒...
    • 本發明公開了一種基于電離輻照提升壓電材料性能的方法,射線輻照使壓電材料電離,以提高壓電材料的鐵電性能,在輻照之前先對壓電材料進行高真空鍍膜,能夠進一步提高壓電材料的鐵電性能。本發明通過特定劑量的輻照對壓電材料進行處理,實現大規模或者超大...
    • 本發明提供了一種強化塑封強度的引線框架及其應用和一種塑封方法,所述引線框架包括固定底板、端子以及管腳;端子分布在固定底板的不同邊緣或者中間,且與固定底板一體成型,并在底端向固定底板上表面方向彎折;管腳放置在固定底板不設置端子的一側,且與...
    • 本發明提供了一種SiC材料的極小角度傾斜刻蝕工藝方法,該方法首先利用光刻膠在高溫烘烤時的回流特性對前一層光刻膠圖形斜坡進行進一步的填充及平滑處理,以此獲得比常規光刻膠回流方法邊緣角度更緩的光刻膠掩膜圖形,之后利用該光刻膠掩膜圖形做掩膜并...
    • 本發明公開了一種可簡便集成的柔性薄膜熱電傳感器及其應用,該熱電傳感器包括:柔性絕緣襯底以及依次沉積在柔性絕緣襯底上的底部電極、P型熱電薄膜和N型熱電薄膜,且P型熱電薄膜、底部電極和N型熱電薄膜首尾相接,呈“蛇形”沉積在柔性絕緣襯底上。本...
    • 本發明公開了一種模擬溫度、濕度、氣氛、輻射共存環境的復合加載樣品臺,包括氣氛罐、溫度控制組件、鹽霧組件、傳感器組件、屏蔽鉛盒和控制組件,氣氛罐內部放置有待測樣品,氣氛罐置于輻射場所內;溫度控制組件、鹽霧組件設置在氣氛罐內;傳感器組件包括...
    • 本發明公開了一種低剖面寬帶圓極化天線子陣,該天線子陣采用多層結構的一體化設計方案,包括按從上到下依次設置的天線罩、上層介質板、中間介質板、正交饋電臂、底層介質板、反射板和射頻連接器,其中上層介質板上蝕刻輻射貼片,底層介質板上蝕刻微帶繞線...
    • 本發明公開了一種電離輻射場所交流電學性質的實時測試裝置及測試方法,包括PCB板、測試控制組件和鉛磚盒,PCB板設置在輻射場所內,且待測對象固定在PCB板上,PCB板上設置有接線端子和測試端子,接線端子與測試端子電連接,測試端子與待測對象...
    • 本發明公開了微馬達執行器驅動時絕對位置的動態檢測裝置及檢測方法,涉及馬達執行器技術領域,其技術方案要點是:上電極,由多個沿轉子圓周方向等間距布置的第一突起電極組成,且去掉第一突起電極以形成缺齒區域;下電極,由多個沿定子圓周方向的預設角度...
    • 本發明公開了一種微結構器件及內嵌結構的應用,微結構器件包括用于提供發射信號的驅動單元和用于接收信號的執行單元驅動單元和執行單元之間采用內嵌結構實現信號互聯,所述內嵌結構能夠實現信號非接觸傳輸,內嵌結構包括電容結構、電感結構或陣列結構。本...
    • 本發明公開了一種針對壓電微機械超聲換能器的全聚焦成像方法及裝置,該方法包括:獲取若干壓電微機械超聲換能器單元的回波信號組成的全矩陣回波數據;對所述全矩陣回波數據中的每個回波信號進行預處理,得到預處理后的全矩陣回波數據;根據所述預處理后的...
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