一種犧牲層釋放改良設備，涉及微機電系統制造技術，包括真空室、真空系統和制冷加熱區；在機箱頂面上方有真空室，機箱內腔與真空室連通；真空室與真空管道密封連通，真空管道另一端密封連通于真空系統；在機箱頂面開口中設有制冷加熱區，制冷加熱區位于機...

一種單層雙材料微懸臂梁熱隔離焦平面陣列的制作方法，包括：１．在單晶硅基片上雙面生長氮化硅薄膜；２．用加熱的氫氧化鉀溶液各向異性腐蝕氮化硅；３．在正面甩正性光刻膠；４．在背面甩正性光刻膠，光學光刻背面窗口圖形；５．各向異性刻蝕有光刻圖形面...

一種采用基于硅襯底突點制作及釋放犧牲層的方法，其工藝步驟如下：１．在〈１００〉硅基片上淀積氮化硅薄膜；２．表面淀積鉻薄膜，光刻，去鉻，刻蝕部分深度氮化硅薄膜，形成倒梯形窗口；３．表面淀積鉻薄膜，光刻，去鉻，刻蝕氮化硅薄膜，去膠；４．腐蝕...