本發明提供一種簽核系統的管理方法、簽核系統、可讀存儲介質及服務器，所述管理方法包括：開啟設置在所述簽核系統中用以實現互操作性的代理協議，接收用于與不同客戶端連接的連接參數，引入針對不同客戶端的應用程序編程接口包，以使應用所述簽核系統的服...

本發明提供一種低壓差線性穩壓電路、電壓調整率補償單元及方法，包括藉由基準參考電壓產生模塊產生參考電壓；藉由溫度感應模塊檢測溫度；當環境溫度超過設定溫度時，溫度感應模塊對基準參考電壓產生模塊產生的參考電壓進行補償，進而控制功率管調整輸出電...

本實用新型公開了一種濺射腔室及物理氣相沉積設備，屬于半導體制造技術領域，包括腔室壁，其內部固定有一蓋環；基座，用于承載晶圓，基座設置于蓋環的下方；圓筒狀的托舉裝置，圍繞基座設置，托舉裝置的內壁上設置一環形的臺階；基座具有相對伸出于托舉裝...

本發明提供一種集成肖特基結的功率器件結構及其制造方法，包括：N型外延層，其具有表面形成氧化層的第一溝槽、第二溝槽及第三溝槽，所述第一溝槽底部形成有肖特基結，所述第二溝槽中有與所述肖特基結相連的肖特基金屬層；絕緣材料及柵介質層；互連的多晶...

本發明提供一種肖特基器件結構及其制造方法，包括：N型外延層，其形成有多個第一溝槽以及位于第一溝槽外圍區域的第二溝槽；氧化層及多晶硅，形成于第一溝槽及第二溝槽內；第三溝槽，去除第一溝槽內的部分多晶硅及氧化層而成；金屬硅化物，形成于第三溝槽...

本發明提供一種溝槽型MOS器件結構及其制造方法，所述器件結構從下到上依次包括多晶硅層；氮化硅層；從下到上依次包括襯底、第一外延層和第二外延層的襯底結構；柵介質層；第一介質層；金屬電極引出端；其中，第二外延層內設有深溝槽，其下部從外向內依...

本發明提供一種溝槽型MOS器件及其制造方法，其中，所述溝槽型MOS器件至少包括：第一導電類型重摻雜襯底及其上的第一導電類型輕摻雜外延層；間隔形成于所述第一導電類型輕摻雜外延層上部的多個第一導電類型源區及多個溝槽；形成于所述溝槽內的柵氧化...

本實用新型提供一種用于IGBT模塊高溫反偏試驗的接線板，所述接線板至少包括：接線板主體、第一定位裝置、第二定位裝置、電源接線柱；所述接線板主體中埋設有線路，所述接線板主體通過所述第一定位裝置固定在加熱裝置中；多個所述IGBT模塊通過第二...

本發明提供一種基于硅壓阻式的壓力傳感器封裝結構，該結構包括：基座、引腳針、基座蓋、硅壓阻式壓力傳感器芯片、基板以及保護介質；其中，在基座內設有一腔體；基板固定于腔體底部；硅壓阻式壓力傳感器芯片固定于基板上，并通過導電性錫球與基板電性連接...

本實用新型提供一種TEOS爐管機臺，所述TEOS爐管機臺包括反應腔室；安裝于所述反應腔室下方、且與所述反應腔室貫通的轉換器出口；及安裝于所述轉換器出口內的第一保護件。通過本實用新型提供的TEOS爐管機臺，解決了現有TEOS爐管機臺存在清...

本實用新型提供了一種超結器件，其中包括于一半導體襯底上依次生成多個非摻雜外延層；在形成每一非摻雜外延層后，在當前的所述非摻雜外延層上依次注入一層N型雜質，以及于對應所述硅襯底的P型區域注入一P型雜質；通過一退火工藝對所有非摻雜外延層中的...

本發明提供一種屏蔽柵溝槽MOSFET的制備方法，包括以下步驟：1）提供半導體襯底，在半導體襯底表面形成外延層；2）在外延層內形成溝槽，并在溝槽側壁形成屏蔽氧化層；3）在形成有屏蔽氧化層的溝槽底部形成屏蔽多晶硅層；4）在溝槽內形成屏蔽材料...

本實用新型提供一種提升傳送手臂腔中傳感器識別率的裝置，所述裝置至少包括：反射鏡、激光發射器、激光接收器以及光照系統；所述反射鏡位于所述傳送手臂腔的底部，所述反射鏡表面沉積有副產物；所述激光發射器和激光接收器分別設置在所述反射鏡上方的兩側...

本發明提供一種帶有自對準接觸孔的溝槽型器件的制造方法，屬于溝槽型器件技術領域，包括：制備復合結構；采用一第二光刻版為掩膜，形成源極；去除所述第二氧化層形成多晶硅栓塞；對所述凹槽底部的體區進行離子注入并退火以形成體區歐姆接觸；沉積第四氧化...

本發明提供一種屏蔽柵溝槽MOSFET制造方法，包括：采用化學機械拋光使外延層上方的屏蔽多晶硅和屏蔽氧化層減至目標厚度；沉積氮化硅層覆蓋屏蔽多晶硅和屏蔽氧化層，對氮化硅層進行刻蝕以形成對應深溝槽的窗口并去除上述窗口中的上述氮化硅層；以氮化...

本發明提供一種缺陷檢測機臺與SMIF的自鎖系統及自鎖方法，包括：SMIF、生產操作系統及缺陷檢測機臺；生產操作系統適于存儲待檢測晶圓的數據信息；缺陷檢測機臺適于對待檢測晶圓進行缺陷檢測，并記錄檢測完畢的晶圓的數據信息；SMIF與生產操作...

本發明涉及半導體制造技術領域，尤其涉及一種可控硅器件及其制備方法，通過采用深溝槽刻蝕和外延等方法，可以縮小器件面積、提高器件一致性和成品率。且由于采用現代常規工藝模塊技術，使得可控硅器件可以和集成電路芯片及其它功率器件(如功率MOSFE...

本發明涉及一種準靜態動態移位寄存器及紅外焦平面陣列讀出電路。本發明包括：第一MOS管，于一第一時鐘信號控制下導通一輸入端信號至一第一參考節點端；第二MOS管，可控制地連接于電源電壓端和第一參考節點端，其控制端連接一第二參考節點端；第三M...

本實用新型公開了一種測試夾具，屬于測試設備技術領域，適用于測試紅外熱成像探測器，測試夾具包括一定位板，定位板上設置有兩個第一凹槽，并且每個第一凹槽的底部設置有多個第二凹槽，每個第一凹槽用于容納紅外熱成像探測器的一個引腳；測試夾具還包括一...

本實用新型公開了一種真空泵N+1系統裝置，包括：若干爐管設備；若干真空泵，每一真空泵分別與一爐管設備相連接，每一真空泵和一爐管設備之間設有一單向閥；若干預警裝置，每一真空泵設置有一預警裝置；一真空備泵，若干爐管設備均與真空備泵相連接，真...