一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，結(jié)構(gòu)包括：基底，包括第一器件區(qū)；溝道層結(jié)構(gòu)，懸置于基底上方，溝道層結(jié)構(gòu)包括一層或多層間隔設(shè)置的溝道層；柵極結(jié)構(gòu)，位于基底上，柵極結(jié)構(gòu)橫跨溝道層結(jié)構(gòu)并環(huán)繞溝道層，其中，位于相鄰溝道層之間、以及溝道層與基底之間的...

一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：基底，基底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；溝道結(jié)構(gòu)，懸置于基底上，溝道結(jié)構(gòu)包括自下而上依次間隔設(shè)置的一個或多個溝道層；柵極結(jié)構(gòu)，橫跨溝道結(jié)構(gòu)并環(huán)繞溝道層，柵極結(jié)構(gòu)包括包圍溝道層的功函數(shù)層，位于溝道層與...

一種封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法，封裝結(jié)構(gòu)包括：基板，包括鍵合面；第一器件芯片，鍵合于基板的鍵合面上，并與基板電連接，第一器件芯片包括相背的第一芯片正面和第一芯片背面，第一芯片正面與鍵合面相對設(shè)置，第一器件芯片的器件通過第一芯片背面供電；第二器件...

一種封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法，封裝結(jié)構(gòu)包括：基板，包括鍵合面；第一器件芯片，鍵合于基板的鍵合面上，第一器件芯片包括相背的第一芯片正面和第一芯片背面，第一芯片背面與鍵合面相對并與基板電連接，以實現(xiàn)通過第一芯片背面對第一器件芯片的器件供電；第二器...

一種封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法，封裝結(jié)構(gòu)包括：基板，包括鍵合面；互連芯片，鍵合于基板的鍵合面上，互連芯片包括相背的第一芯片正面和第一芯片背面，第一芯片背面朝向基板并與基板電連接；器件芯片，鍵合于互連芯片上，器件芯片包括相背的第二芯片正面和第二芯...

一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，結(jié)構(gòu)包括：基底；自下而上依次堆疊的多層電極層，位于基底上，相鄰兩層電極層中，下層電極層被上層電極層覆蓋的側(cè)壁呈臺階狀；介質(zhì)層，位于相鄰兩層電極層之間。本發(fā)明有利于緩解由于下層電極層具有尖角而導(dǎo)致該處電場過大影...

一種封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法，封裝結(jié)構(gòu)包括：基板，包括鍵合面；互連芯片，鍵合于基板的鍵合面上，并與基板電連接；器件芯片，包括相背的第一面和第二面，第一面和第二面相互電連接，第一面鍵合于互連芯片上并與互連芯片電連接；基底層，鍵合于器件芯片的第二...

一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中結(jié)構(gòu)包括：基底，所述基底包括電容區(qū)、與電容區(qū)相鄰的電阻區(qū)；位于所述電容區(qū)上的電容結(jié)構(gòu)，所述電容結(jié)構(gòu)包括若干第一電極層、若干第二電極層和若干介電層，所述第二電極層位于相鄰兩層第一電極層之間，各介電層位于相鄰...

一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括襯底；第一鰭部和第二鰭部，位于襯底上且相互分立，第一鰭部和第二鰭部均包括溝道區(qū)，溝道區(qū)兩側(cè)的第一鰭部和第二鰭部均作為底部鰭部，且底部鰭部頂面低于溝道區(qū)的第一鰭部頂面和第二鰭部頂面，其中，底部鰭部...

一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及掩膜版版圖，結(jié)構(gòu)包括：基底，包括襯底、以及凸于襯底的多個溝道結(jié)構(gòu)，溝道結(jié)構(gòu)沿第一方向延伸且沿第二方向平行排布，第一方向垂直于第二方向；柵極結(jié)構(gòu)，位于襯底上且橫跨多個溝道結(jié)構(gòu)，柵極結(jié)構(gòu)沿第二方向延伸且沿第一方向平行排布；源...

一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供襯底；在所述襯底上形成復(fù)合結(jié)構(gòu)，所述復(fù)合結(jié)構(gòu)包括若干層重疊的復(fù)合層，各所述復(fù)合層包括第一犧牲層以及位于第一犧牲層表面的溝道層，所述復(fù)合結(jié)構(gòu)包括沿第一方向排布且相互分立的源漏區(qū)、以及位于源漏區(qū)之間的溝道...

一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，結(jié)構(gòu)包括：基底；疊層結(jié)構(gòu)，位于基底上，疊層結(jié)構(gòu)包括堆疊的溝道層和第一導(dǎo)電層，溝道層沿第一方向包括溝道區(qū)，第一導(dǎo)電層位于溝道區(qū)中、并沿第二方向延伸位于基底上，疊層結(jié)構(gòu)還包括位于第一導(dǎo)電層與溝道層之間的介質(zhì)層，第...

一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：形成基底以及位于基底表面的基層結(jié)構(gòu)，所述基層結(jié)構(gòu)內(nèi)具有若干溝槽；在所述各溝槽的側(cè)壁表面形成第一材料層，所述第一材料層的材料為二維材料，所述二維材料具有若干層沿第一方向排布的單原子層，所述第一方向垂直于溝槽...

一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，方法包括：提供基底，所述基底上形成有溝道疊層結(jié)構(gòu)，所述溝道疊層結(jié)構(gòu)包括一個或多個在縱向上依次堆疊設(shè)置的溝道疊層，所述溝道疊層包括犧牲層以及位于所述犧牲層上的溝道層，所述基底上形成有橫跨所述溝道疊層結(jié)構(gòu)的柵極結(jié)...

一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，方法包括：提供襯底；在所述襯底的頂部形成犧牲層；在所述襯底和犧牲層中形成溝槽；在所述溝槽的側(cè)壁和底部形成輔助層，所述輔助層的側(cè)壁與所述輔助層的底部相垂直；在所述溝槽的剩余空間中形成第一溝道層，所述第一溝道層覆蓋...

一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供基底，基底上形成有待刻蝕層，待刻蝕層上形成有核心層；在核心層中形成沿第一方向延伸且沿第二方向平行排列的第一溝槽；在核心層中形成沿第二方向延伸的第二溝槽，第二溝槽與第一溝槽相連通；在第一溝槽和第二溝槽側(cè)...

本申請涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種背面供電封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法、以及電子裝置，背面供電封裝結(jié)構(gòu)包括封裝基板，芯片，包括第一襯底層、第一器件層和第一布線層，第一器件層形成于第一襯底層的正面?zhèn)惹遗c第一布線層電性連接；背面供電結(jié)構(gòu)，形成于...

本申請涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種封裝結(jié)構(gòu)及其形成方法，封裝結(jié)構(gòu)包括互連器件，為減薄過的橋接芯片，具有相背的第一面和第二面；第一芯片，位于互連器件的第一面一側(cè)，第一芯片的投影面與互連器件的第一面部分重疊；第二芯片，位于互連器件的第一...

一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，結(jié)構(gòu)包括：第一柵極結(jié)構(gòu)、第一溝道層以及第一源漏極構(gòu)成下拉晶體管，第一柵極結(jié)構(gòu)、第二溝道層以及第二源漏極構(gòu)成上拉晶體管；柵極插塞，位于第一柵極結(jié)構(gòu)的頂部，且柵極插塞與第一柵極結(jié)構(gòu)電連接；介電層，位于基底頂部，且...

一種測試結(jié)構(gòu)及測試方法，方法包括：晶體管結(jié)構(gòu)，位于有源區(qū)中，包括位于基底頂部的柵極結(jié)構(gòu)，以及位于柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的基底中的源極和漏極；源極插塞，位于源極上且與源極電連接；漏極插塞，位于漏極上；金屬線，位于晶體管結(jié)構(gòu)的上方、且位于源極插塞和漏...