本發明實施例公開了一種同步整流的控制系統及電源系統，應用于電子信息處理技術領域，一種同步整流的控制系統包括了控制模塊、第一側時序控制模塊和第二側時序控制模塊，可以對應用于雙向開關電源的同步整流系統中的開關管進行時序控制，且當處于同步整流...

本發明公開了一種具有共柵限流結構的共源共柵級聯型開關器件，其包括柵極端、源極端、漏極端、低壓增強型場效應管、高壓耗盡型場效應管以及限流結構。該限流結構包括多個共柵的限流耗盡型場效應管和限流電阻。該限流耗盡型場效應管在開關器件開啟時，可通...

本發明實施例公開了一種共源共柵級聯器件，應用于半導體制造技術領域。在共源共柵級聯器件中，將低壓增強型場效應管的源極和柵極分別作為級聯器件的源極端和柵極端，而將高壓增強型場效應管的漏極作為級聯器件的漏極端，這樣可以在低壓增強型場效應管上集...

本發明實施例公開了一種具有近柵場板的半導體器件的制作方法及半導體器件，應用于電子器件技術領域。在制作具有近柵場板的半導體器件的過程中，將半導體器件中的第二層場板與源極、漏極的形成集中到同一步驟中，使得形成的源極、漏極和第二層場板在同一層...

本發明公開了一種具有分壓限流結構的共源共柵級聯型開關器件，其包括柵極端、源極端、漏極端、低壓增強型場效應管、高壓耗盡型場效應管以及限流結構。該限流結構包括多個限流耗盡型場效應管和限流電阻，該限流耗盡型場效應管在開關器件開啟時，限流耗盡型...

本發明提供一種具有歐姆金屬隔離層的半導體器件及其制作方法。制作方法包括步驟：提供一氮化鎵襯底，并沉積第一介質層；沉積擴散阻擋層；制備歐姆接觸孔；沉積歐姆金屬層，并對所述歐姆金屬層進行退火處理；沉積氮化鈦金屬層；制備歐姆電極；沉積介質疊層...

本發明公開了一種氮化鎵半導體功率器件及其制作方法，該制作方法包括如下步驟：a、提供一襯底，在襯底上生長鈍化層；b、制備歐姆金屬層；c、制備介質疊層；d、形成第一柵極場板區域；f、形成柵極區域；g、制備第一柵極場板、第二柵極場板及柵極；h...

本發明提供一種具有多層場板的半導體功率器件及其制作方法。制作方法包括：提供一氮化鎵襯底，沉積第一介質層；制作歐姆接觸孔；制作歐姆電極；沉積第二介質層；制作一級場板；依次沉積下層介質層和上層介質層；制作上級場板區域、下級場板區域；制作下級...

本發明實施例公開了一種具有等電位電極結構的半導體器件及其制作方法，應用于電子器件技術領域。半導體器件主要是在外延結構的有源區外圍設置隔離區，并在設置有源區的電極時，將有源區最上端和最下端的源極設置為相等電位的電極，且相鄰的源極為不等電位...

本技術提供一種底層芯片及對應的半導體功率器件疊芯結構，底層芯片用于功率半導體芯片的緊湊封裝產品。疊芯結構中，底層芯片上表面的源極金屬需要電氣連接到頂層芯片下表面的漏極金屬；底層芯片的上表面設置有源極連接金屬區和漏極連接金屬區；底層芯片的...

本發明實施例公開了一種具有場板的半導體器件的制作方法及半導體器件，應用于電子器件技術領域。在制作半導體器件的過程中，將半導體器件中的第一層場板與源極、漏極的形成集中到同一步驟中，使得形成的源極、漏極和第一層場板在同一層上，這樣可以簡化半...

本發明實施例公開了一種具有環狀電極結構的半導體器件及其制作方法，應用于電子器件技術領域。半導體器件主要是在外延結構的有源區外圍設置隔離區，并在有源區用柵極將源極包圍起來，相鄰電極組的源極為不同電位的電極，最上端和最下端的電極組中的源極也...

本技術公開了一種HEMT器件，該器件包括：氮化鎵外延片；第一介質層，位于氮化鎵外延片的一側；源極和漏極，貫穿第一介質層與氮化鎵外延片接觸；刻蝕阻擋層，位于第一介質層遠離氮化鎵外延片的一側，刻蝕阻擋層覆蓋第一介質層、源極和漏極；第二介質層...

本技術提供一種混合型超快恢復MOS管封裝結構，其包括低壓MOS管芯片、高壓MOS管芯片、二極管芯片。低壓MOS管芯片包括低壓MOS管襯底、源極、柵極、漏極以及連通裝置，高壓MOS管芯片包括源極、柵極以及漏極；低壓MOS管襯底設置于低壓M...

本發明實施例公開了一種具有條狀電極結構的半導體器件及其制作方法，應用于電子器件技術領域。半導體器件主要是在外延結構的有源區外圍設置隔離區，有源區內設置有條狀電極，相鄰的源極為不同電位的第一源極和第二源極，并在相鄰的第一源極和第二源極之間...

本申請實施例提供了一種半導體器件制作方法及半導體器件；本申請實施例在制作半導體器件時，在制作電介質層之后，可以在該電介質層上通過光刻形成多種寬度的光刻窗口，然后，通過干法刻蝕，在光刻窗口處形成深度不等的凹槽結構，再然后，通過對該電介質層...

本技術公開了一種半導體功率器件，包括層疊設置的襯底、緩沖層、溝道層、勢壘層、鈍化層及介質疊層，在介質疊層兩側設有源極和漏極，源極和漏極分別穿過介質疊層且與勢壘層歐姆接觸，在源極和漏極之間的介質疊層內設有柵極和與柵極連接的柵極場板，柵極的...

本技術公開了一種導通速度和關斷速度差異化的單管開關器件，該單管開關器件包括柵極端、源極端、漏極端、高壓場效應管以及速度差異化單元；柵極端用于接收驅動器的電壓信號，源極端和漏極端用于構成外部負載的開關通道；速度差異化單元設置在單管開關器件...

本技術公開了一種導通速度可控的開關器件，該開關器件包括柵極端、源極端、漏極端、速控端以及速度控制單元，柵極端用于接收驅動器的電壓信號；源極端和漏極端用于構成外部負載的開關通道，源極端和漏極端之間設置有至少一個半導體溝道；速度控制單元包括...

本技術公開了一種銅片夾扣封裝結構，包括：基底的第一表面包括第一焊點區域，其區域包括第一凹槽；第一芯片遠離基底的第二表面包括第二焊點區域，其區域設置有第一頂層金屬和第一PI層；第一PI層包括第二凹槽，第二凹槽貫穿第一PI層暴露第一頂層金屬...