本發明提供一種能夠擴大在上部電極側生成的等離子體的形成區域而提高處理速度的等離子體處理裝置及其控制方法。本發明的一個方式的等離子體處理裝置具有真空腔室、支承基板用的工作臺、對置電極、諧振電路。上述工作臺配置在上述真空腔室的內部，與供給第...

本發明提供在放電管中生成的等離子體中能夠抑制有助于前體生成的特性的降低的蝕刻方法。蝕刻方法包括：在具備由無機氧化物構成的內表面的放電管(24A)中生成包含氫和氮的反應等離子體，將反應等離子體供給至連接有放電管(24A)的蝕刻腔室(11)...

本發明提供一種鎢靶及其制造方法，抑制作為顆粒的產生原因的孔隙的生成，并高精度地控制其尺寸和分布。一種鎢靶，由鎢粉末的燒結體形成，其中，相對密度為99％以上，在0.15mm<supgt;2</supgt;的觀察區域中，大小為0...

本發明提供一種能夠在維持光學特性的狀態下調整膜應力的硅膜的成膜方法。在真空室(1)內配置硅材質的靶(3)和成膜對象物(Sw)。向真空氣氛的真空室內導入濺射氣體，給靶施加電力，通過濺射法在成膜對象物的表面形成硅膜(Sf)。此時，硅膜的成膜...

本發明的電子束式蒸鍍單元具有：坩堝(2)，其具備多個蒸鍍材料(Em)的收納凹部(21)；電子束生成源(3)；電子束的成形偏轉機構(4)；以及坩堝蓋(5)；能夠容易地實施蒸鍍材料(Em)的填充操作和對坩堝(2)的維護操作。還具備：可動部，...

濺射靶，其由包含由銦、鎂和錫組成的式In<subgt;X</subgt;Mg<subgt;Y</subgt;Sn<subgt;Z</subgt;的氧化物的氧化物燒結體構成，上述式的X為0.32以上且0...

本發明涉及以更換燈絲的可操作性好的質譜儀作為對從試驗體導入的氣體成分進行分析的質譜儀。其具備封套，所述封套具有沿X軸方向延伸的主管部，以及從主管部分支并沿與X軸方向正交的Z軸方向一方延伸的分支管部。分支管部通過切換閥與試驗體連接。在主管...

本發明提供一種真空蒸鍍方法，能夠盡量抑制蒸鍍舟皿上產生的局部變形的進行，延長蒸鍍舟皿的使用壽命。包含蒸發工序，其使用蒸鍍舟皿(3)，以與限定收納部的舟皿主體的底板抵接的方式從其上方供給線狀的蒸鍍材料，通過在兩電極安裝板部間通電而加熱舟皿...

本發明提供一種真空處理裝置用的蒸發源，其即使在以較快的蒸鍍速率進行蒸鍍時，也能盡量抑制蒸鍍舟皿的變形，使用壽命長。具備：蒸鍍舟皿(3)，其具有舟皿主體(31)和分別從該舟皿主體兩端伸出的電極安裝板部(33)，所述舟皿主體具有蒸鍍材料(E...

本發明提供一種能夠抑制局部過熱而使壽命延長的真空處理裝置用的蒸發源。具備蒸鍍舟皿，其具有：舟皿主體(31)，其具有蒸鍍材料(Em)的收納部(31a)；立板部(32)，其從舟皿主體的一個方向兩端分別向上方立起；以及蒸鍍舟皿，其從兩立板部的...

本發明提供一種真空蒸鍍裝置，其即使在交換移動及掃描移動時的移動速度快也能夠盡量抑制蒸鍍物質的液面的搖晃，使基板面內的薄膜厚度分布均一性良好且生產性良好地成膜。配置在真空室內、用于使蒸鍍物質氣化或升華并對被處理基板進行蒸鍍的真空蒸鍍裝置用...

本發明的濺射裝置具備朝向具有基板表面的被成膜基板排出濺射粒子的陰極單元。陰極單元具有靶、磁鐵單元、磁鐵單元掃描部和陽極電位設定機構。所述陽極電位設定機構與陽極連接，并且將所述陽極相對于所述陰極單元設定為規定的電位，以免電子入射到所述陽極。

提供一種能抑制蝕刻速度降低的蝕刻裝置及蝕刻方法。蝕刻裝置(10)構成為通過向基板具備的含硅膜供給含氟氣體和等離子體而蝕刻含硅膜。蝕刻裝置(10)具備：照射微波的放電管(24A)；和向放電管(24A)供給混合氣體的混合氣體供給部(21)。...

本發明提供一種能夠保護電動機不會過熱，并且實現真空排氣性能的提高的真空泵及其控制方法。本發明的一個方式的真空泵具有：容積式的泵主體、電動機、以及控制部。所述泵主體具有泵轉子。所述電動機使所述泵轉子旋轉。所述控制部在負載轉矩為第一規定轉矩...

本發明的濺射裝置具備朝向具有基板表面的被成膜基板排出濺射粒子的陰極單元。陰極單元具有靶、磁鐵單元、磁鐵單元掃描部和磁力線傾斜機構。磁鐵單元具有磁鐵。磁力線傾斜機構使在一個擺動端由磁鐵形成的磁力線朝向另一個擺動端傾斜。

本發明提供一種制造效率優異的結晶化積層結構體的制造方法。本發明的特征在于包括：積層結構體形成步驟，于包括室溫的小于100℃的溫度下實施，且將積層結構體7形成于對結晶化時的Sb<subgt;2</subgt;Te<sub...

本發明提供一種不損害從靶效率良好地帶走熱量的功能且能可靠地防止背板和磁鐵單元之間的干擾的磁控濺射裝置用的陰極單元。本發明的磁控濺射裝置(SM)用的陰極單元(CU)，具有：背板(4)，其接合在以面向真空室(1)內的姿態設置的靶(3)的濺射...

本發明的濺射裝置具備朝向具有基板表面的被成膜基板排出濺射粒子的陰極單元。陰極單元具有靶、磁鐵單元和磁鐵單元掃描部。在位于擺動區域的輪廓邊附近的端部產生的磁力密度和在所述擺動區域的中央部產生的磁力密度被均勻化。

本發明提供一種能夠在應力差盡可能小的狀態下形成高熔點金屬膜，適用于使用筒狀靶的情況的成膜方法。在配置于真空處理室(1a)內的基板(Sw)的與各靶(5)相對的面上形成高熔點金屬膜的本發明的成膜方法，將基板的兩個外緣部分別相對的起點靶(5a...

本發明的一個方式的真空處理裝置具有真空腔室、支承體以及表面處理單元。所述支承體具有基底部和表面層。所述基底部配置在所述真空腔室內，由導電體構成。所述表面層由電介質構成，覆蓋所述基底部的表面。所述表面層具有對作為處理對象的基材進行靜電吸附...