本申請涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，公開一種差分開關(guān)電容放大器，包括：兩個開關(guān)電容放大單元，輸入端分別連接相位相反的兩個輸入信號；平衡?不平衡轉(zhuǎn)換器，與兩個開關(guān)電容放大單元的輸出端連接，用于將開關(guān)電容放大單元輸出的差分信號轉(zhuǎn)換為單端信號；其中，...

本發(fā)明公開了一種功率器件及其制備方法，功率器件包括：半導(dǎo)體本體包括相對設(shè)置的第一表面和第二表面，半導(dǎo)體本體還包括基區(qū)和第一區(qū)域，第一區(qū)域的導(dǎo)電類型和基區(qū)的導(dǎo)電類型相反；第一表面設(shè)置有至少一個柵極溝槽組，柵極溝槽組包括至少兩個柵極溝槽；每...

本發(fā)明公開了一種應(yīng)用行為控制方法、資源受限設(shè)備、服務(wù)器及介質(zhì)，包括：通過操作系統(tǒng)，檢測到業(yè)務(wù)應(yīng)用關(guān)聯(lián)的應(yīng)用行為后，將應(yīng)用行為通過系統(tǒng)接口傳遞至控制應(yīng)用；通過控制應(yīng)用，查詢應(yīng)用行為記錄表中與應(yīng)用行為對應(yīng)的記錄表項，并將記錄表項中的應(yīng)用行為...

本發(fā)明公開了一種存儲空間管理方法、裝置、電子設(shè)備和存儲介質(zhì)，涉及芯片技術(shù)領(lǐng)域，該方法包括：根據(jù)擴(kuò)展存儲請求為第一應(yīng)用的第一存儲塊分配擴(kuò)展存儲頁；通過邏輯映射表配置擴(kuò)展存儲頁的物理地址與邏輯地址的映射關(guān)系，以使擴(kuò)展存儲頁與第一存儲塊中的原...

本申請涉及芯片功能安全技術(shù)領(lǐng)域，公開一種用于芯片故障的安全管理系統(tǒng)、方法、裝置及微控制器，包括：報警模塊，用于在芯片發(fā)生故障時，發(fā)送報警信號；安全管理模塊，與報警模塊相連接，用于接收報警信號并對芯片故障進(jìn)行處理；中央處理器CPU，與安全...

本申請涉及集成電路設(shè)計技術(shù)領(lǐng)域，公開一種頻率比較器電路和頻率比較器，其中，頻率比較器電路包括：濾波器電路，被配置為將第一頻率信號和第二頻率信號轉(zhuǎn)換為第一電壓信號和第二電壓信號；減法器電路，與濾波器電路連接，被配置為對第一電壓信號和第二電...

本申請涉及嵌入式系統(tǒng)技術(shù)領(lǐng)域，公開一種用于控制應(yīng)用程序流程的方法及裝置、電子設(shè)備，其中，方法包括：在接收到外部設(shè)備發(fā)送的訪問存儲命令的情況下，解析訪問存儲命令，獲得待訪問存儲區(qū)域和待訪問操作；其中，待訪問存儲區(qū)域包括待訪問存儲名稱或待訪...

本申請涉及晶圓制造技術(shù)領(lǐng)域，公開一種晶圓結(jié)構(gòu)和芯片。晶圓結(jié)構(gòu)包括：晶圓本體，晶圓本體包括切割道和晶粒，切割道位于相鄰的兩個晶粒之間；其中，晶粒包括功能晶粒和測試晶粒，測試晶粒用于晶圓結(jié)構(gòu)的工藝測試；其中，測試晶粒包括：測試晶粒主體和多個...

本發(fā)明實施例公開了一種基于頁面映射及輪換的事務(wù)處理方法、裝置、芯片及介質(zhì)。該方法包括：根據(jù)預(yù)設(shè)頁面映射范圍，確定頁面?zhèn)浞輩^(qū)域，向芯片發(fā)送建立頁面映射管理表指令；其中，頁面映射管理表中包括物理頁的物理地址與邏輯地址的映射關(guān)系；在進(jìn)行物理頁...

本發(fā)明公開了一種旋變信號穩(wěn)定性判斷電路、旋轉(zhuǎn)變壓器電路系統(tǒng)及車輛。該旋變信號穩(wěn)定性判斷電路包括：正弦信號處理支路、余弦信號處理支路，加法器電路、低通濾波器電路和比較器電路；其中，正弦信號處理支路和余弦信號處理支路分別與加法器電路相連，加...

本申請涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，公開一種復(fù)位控制裝置，包括：復(fù)位源分組模塊，用于將輸入的所有復(fù)位源分配給各個復(fù)位組，并將每個復(fù)位組的所有復(fù)位源進(jìn)行邏輯組合，以輸出模塊復(fù)位信號；復(fù)位選擇模塊，與復(fù)位源分組模塊連接，用于從復(fù)位源分組模塊輸出的多...

本發(fā)明公開了一種內(nèi)存重構(gòu)系統(tǒng)和方法。其中，系統(tǒng)包括：目標(biāo)芯片和標(biāo)定工具；目標(biāo)芯片中設(shè)置有內(nèi)存、數(shù)據(jù)編碼系統(tǒng)以及數(shù)據(jù)發(fā)送模塊，標(biāo)定工具中設(shè)置有內(nèi)存、數(shù)據(jù)解碼系統(tǒng)以及數(shù)據(jù)接收模塊；數(shù)據(jù)編碼系統(tǒng)包括內(nèi)核寫操作接口、過濾模塊、壓縮模塊、封裝模塊...

本發(fā)明公開了一種芯片諧振電容的測試方法，該方法包括：獲取RC電路中測試電阻的電阻值和測試電容的電容值在不同的預(yù)設(shè)值時測試電容充電至預(yù)設(shè)電壓的第一時間；在RC電路的輸出端接入預(yù)設(shè)電容后，獲取測試電阻的電阻值和測試電容的電容值在不同的預(yù)設(shè)值...

本申請涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，公開一種電流調(diào)節(jié)二極管及其制備方法、應(yīng)用電路，其中，電流調(diào)節(jié)二極管包括：N+襯底，包括第一表面和第二表面；第一N?外延層，設(shè)置于N+襯底的第一表面；第二N?外延層，設(shè)置于第一N?外延層表面，在第二N?外延層...

本發(fā)明公開了一種SRAM保護(hù)電路、方法及芯片。其中，SRAM保護(hù)電路包括：MBIST控制電路、DFLASH、ECC生成電路、故障地址記錄電路、MUX選通電路以及或門，還包括：ECC檢測電路、MBIST結(jié)果電路、Remap電路以及故障地址...

本申請涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，公開一種溝槽柵超結(jié)金氧半場效晶體管及其制造方法、半導(dǎo)體器件。其中，溝槽柵超結(jié)金氧半場效晶體管包括：外延層；柱狀摻雜區(qū)，間隔位于外延層內(nèi)且從外延層的上表面向下延伸入外延層，柱狀摻雜區(qū)的導(dǎo)電類型與外延層不同；溝...

本發(fā)明實施例公開了一種LDO電路和電源管理電路，該LDO電路包括驅(qū)動模塊、電荷泵、分壓模塊和功率器件，功率器件的第一端接入輸入電壓，功率器件的第二端連接分壓模塊的第一端，分壓模塊的第二端接地，功率器件的第二端作為LDO電路的輸出端為后級...

本發(fā)明公開了一種旋轉(zhuǎn)變壓器電路系統(tǒng)的相移檢測方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)，該方法包括：將對目標(biāo)混頻信號的采樣結(jié)果與參考信號值比較，生成混頻PWM信號；捕獲混頻PWM信號的各邊沿時間戳，組成與目標(biāo)混頻信號對應(yīng)的第一過零時間點序列；捕獲正弦PWM...

本申請涉及安全芯片軟件開發(fā)技術(shù)領(lǐng)域，公開一種密碼使用及訪問方法、密碼管理裝置和安全芯片，其中，安全芯片包括相互連接的密碼訪問模塊和密碼使用模塊，密碼使用方法應(yīng)用于密碼使用模塊，包括：獲取密碼訪問模塊發(fā)送的用戶標(biāo)識符、密碼標(biāo)識符和密碼地址...

本發(fā)明公開了一種高壓回路控制系統(tǒng)、高壓回路控制方法、電路板及車輛。該系統(tǒng)包括：高壓回路主正主負(fù)繼電器、第一驅(qū)動芯片、第二驅(qū)動芯片、PMIC和MCU；MCU的四個GPIO端口分別與第一驅(qū)動芯片和第二驅(qū)動芯片的兩個驅(qū)動輸入端口；第一驅(qū)動芯片...