中心波長6557nm的醫(yī)用紅外氣體檢測(cè)分析濾光片制造技術(shù)

本實(shí)用新型專利技術(shù)所設(shè)計(jì)的一種測(cè)試精度高、能極大提高信噪比的中心波長6557nm的醫(yī)用紅外氣體檢測(cè)分析濾光片，包括以Si為原材料的基板，以Ge、SiO為第一鍍膜層和以Ge、ZnS為第二鍍膜層，且所述基板位于第一鍍膜層和第二鍍膜層之間，該中心波長6557nm的醫(yī)用紅外氣體檢測(cè)分析濾光片，其中心波長6557±50nm，其在醫(yī)用紅外氣體檢測(cè)分析過程中，可大大的提高信噪比，提高測(cè)試精準(zhǔn)度。該濾光片的峰值透過率Tp≥80％、帶寬=170±20nm，400～11000nm（除通帶外），Tavg<0.5%。（*該技術(shù)在2023年保護(hù)過期，可自由使用*）

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【專利摘要】本技術(shù)所設(shè)計(jì)的一種測(cè)試精度高、能極大提高信噪比的中心波長6557nm的醫(yī)用紅外氣體檢測(cè)分析濾光片，包括以Si為原材料的基板，以Ge、SiO為第一鍍膜層和以Ge、ZnS為第二鍍膜層，且所述基板位于第一鍍膜層和第二鍍膜層之間，該中心波長6557nm的醫(yī)用紅外氣體檢測(cè)分析濾光片，其中心波長6557±50nm，其在醫(yī)用紅外氣體檢測(cè)分析過程中，可大大的提高信噪比，提高測(cè)試精準(zhǔn)度。該濾光片的峰值透過率Tp≥80％、帶寬=170±20nm，400～11000nm（除通帶外），Tavg&lt;0.5%。【專利說明】中心波長6557nm的醫(yī)用紅外氣體檢測(cè)分析濾光片
本技術(shù)涉及醫(yī)用紅外氣體檢測(cè)濾光片，尤其是一種中心波長6557nm的醫(yī)用紅外氣體檢測(cè)分析濾光片。
技術(shù)介紹
紅外濾光片過濾、截止可見光同時(shí)允許通過紅外線。紅外線的波長很容易地穿透任何的物體，也就是紅外線在經(jīng)過物體時(shí)不會(huì)發(fā)生折射。利用紅外線的這個(gè)特性，只讓長波長的紅外線通過，濾除短波長的紫外線和可見光。應(yīng)用于很多領(lǐng)域，目前對(duì)于醫(yī)用紅外氣體檢測(cè)分析過程中所使用的濾光片存在的問題是透過率和截止區(qū)的信噪比不高，不能滿足高精度的測(cè)量要求。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)的目的是為了解決上述技術(shù)的不足而提供一種測(cè)試精度高、能極大提高信噪比的中心波長6557nm的醫(yī)用紅外氣體檢測(cè)分析濾光片。為了達(dá)到上述目的，本技術(shù)所設(shè)計(jì)的中心波長6557nm的醫(yī)用紅外氣體檢測(cè)分析濾光片，包括以Si為原材料的基板，以Ge、SiO為第一鍍膜層和以Ge、ZnS為第二鍍膜層，且所述基板位于第一鍍膜層和第二鍍膜層之間，所述第一鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有:81nm厚度的Ge層、553nm厚度的SiO層、207nm厚度的Ge層、180nm厚度的SiO層、398nm厚度的Ge層、728nm厚度的SiO層、78nm厚度的Ge層、332nm厚度的SiO層、219nm厚度的Ge層、319nm厚度 的SiO層、132nm厚度的Ge層、535nm厚度的SiO層、123nm厚度的Ge層、33Inm厚度的SiO層、306nm厚度的Ge層、488nm厚度的SiO層、76nm厚度的Ge層、373nm厚度的SiO層、336nm厚度的Ge層、398nm厚度的SiO層、168nm厚度的Ge層、766nm厚度的SiO層、297nm厚度的Ge層、744nm厚度的SiO層、254nm厚度的Ge層、277nm厚度的SiO層、352nm厚度的Ge層、709nm厚度的SiO層、348nm厚度的Ge層、360nm厚度的SiO層、126nm厚度的Ge層和200nm厚度的SiO層；所述第二鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有:395nm厚度的Ge層、763nm厚度的ZnS層、395nm厚度的Ge層、305 Inm厚度的ZnS層、395nm厚度的Ge層、763nm厚度的ZnS層、395nm厚度的Ge層、763nm厚度的ZnS層、395nm厚度的Ge層、763nm厚度的ZnS層、395nm厚度的Ge層、1525nm厚度的ZnS層、395nm厚度的Ge層、719nm厚度的ZnS層、349nm厚度的Ge層和348nm厚度的ZnS層。上述各材料對(duì)應(yīng)的厚度，其允許在公差范圍內(nèi)變化，其變化的范圍屬于本專利保護(hù)的范圍，為等同關(guān)系。通常厚度的公差在IOnm左右。本技術(shù)所得到的中心波長6557nm的醫(yī)用紅外氣體檢測(cè)分析濾光片，其中心波長6557±50nm，其在醫(yī)用紅外氣體檢測(cè)分析過程中，可大大的提高信噪比，提高測(cè)試精準(zhǔn)度。該濾光片的峰值透過率Tp≥80%、帶寬=170±20nm，400~IlOOOnm (除通帶外)，Tavg<0.5%。【專利附圖】【附圖說明】圖1是實(shí)施例整體結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是實(shí)施例提供的紅外光譜透過率實(shí)測(cè)曲線圖。【具體實(shí)施方式】下面通過實(shí)施例結(jié)合附圖對(duì)本技術(shù)作進(jìn)一步的描述。實(shí)施例1:如圖1、圖2所示，本實(shí)施例描述的中心波長6557nm的醫(yī)用紅外氣體檢測(cè)分析濾光片，包括以Si為原材料的基板2，以Ge、SiO為第一鍍膜層I和以Ge、ZnS為第二鍍膜層3，且所述基板2位于第一鍍膜層I和第二鍍膜層3之間，所述第一鍍膜層I由內(nèi)向外依次排列包含有:81nm厚度的Ge層、553nm厚度的SiO層、207nm厚度的Ge層、180nm厚度的SiO層、398nm厚度的Ge層、728nm厚度的SiO層、78nm厚度的Ge層、332nm厚度的SiO層、219nm厚度的Ge層、319nm厚度的SiO層、132nm厚度的Ge層、535nm厚度的SiO層、123nm厚度的Ge層、331nm厚度的SiO層、306nm厚度的Ge層、488nm厚度的SiO層、76nm厚度的Ge層、373nm厚度的SiO層、336nm厚度的Ge層、398nm厚度的SiO層、168nm厚度的Ge層、766nm厚度的SiO層、297nm厚度的Ge層、IAAxm厚度的SiO層、254nm厚度的Ge層、277nm厚度的SiO層、352nm厚度的Ge層、709nm厚度的SiO層、348nm厚度的Ge層、360nm厚度的SiO層、126nm厚度的Ge層和200nm厚度的SiO層；所述第二鍍膜層3由內(nèi)向外依次排列包含有:395nm厚度的Ge層、763nm厚度的ZnS層、395nm厚度的Ge層、305 Inm厚度的ZnS層、395nm厚度的Ge層、763nm厚度的ZnS層、395nm厚度的Ge層、763nm厚度的ZnS層、395nm厚度的Ge層、763nm厚度的ZnS層、395nm厚度的Ge層、1525nm厚度的ZnS層、395nm厚度的Ge層、719nm厚度的ZnS層、349nm厚度的Ge層和348nm厚度的ZnS層。【權(quán)利要求】1.一種中心波長6557nm的醫(yī)用紅外氣體檢測(cè)分析濾光片，包括以Si為原材料的基板，以Ge、SiO為第一鍍膜層和以Ge、ZnS為第二鍍膜層，且所述基板位于第一鍍膜層和第二鍍膜層之間，其特征是:所述第一鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有:81nm厚度的Ge層、553nm厚度的SiO層、207nm厚度的Ge層、180nm厚度的SiO層、398nm厚度的Ge層、728nm厚度的SiO層、78nm厚度的Ge層、332nm厚度的SiO層、219nm厚度的Ge層、319nm厚度的SiO層、132nm厚度的Ge層、535nm厚度的SiO層、123nm厚度的Ge層、331nm厚度的SiO層、306nm厚度的Ge層、488nm厚度的SiO層、76nm厚度的Ge層、373nm厚度的SiO層、336nm厚度的Ge層、398nm厚度的SiO層、168nm厚度的Ge層、766nm厚度的SiO層、297nm厚度的Ge層、744nm厚度的SiO層、254nm厚度的Ge層、277nm厚度的SiO層、352nm厚度的Ge層、709nm厚度的SiO層、348nm厚度的Ge層、360nm厚度的SiO層、126nm厚度的Ge層和200nm厚度的SiO層；所述第二鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有:395nm厚度的Ge層、763nm厚度的ZnS層、395nm厚度的Ge層、3051nm厚度的ZnS層、395nm厚度的Ge層、763nm厚度的ZnS層、395nm厚度的Ge層、763nm厚度的本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：王繼平，呂晶，余初旺，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：杭州麥樂克電子科技有限公司，
類型：實(shí)用新型
國別省市：