防止二次使用的防偽結構制造技術

本實用新型專利技術公開了一種防止二次使用的防偽結構，包括濕敏防偽層，及與濕敏防偽層粘接的基底層，基底層的表面設有預定區域的印刷涂層；印刷涂層與基底層粘接；濕敏防偽層從基底層上撕離時，印刷涂層保留于基底層。本實用新型專利技術在濕敏防偽層的底下再設有起防偽識別作用的印刷涂層，使得用戶在防偽過程中，要將濕敏防偽層撕下來，從而破壞濕敏防偽層與基底層的聯接，在撕下的過程中，濕敏防偽層被破壞之后，就不能再次被使用。（*該技術在2023年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】
【專利摘要】本技術公開了一種防止二次使用的防偽結構，包括濕敏防偽層，及與濕敏防偽層粘接的基底層，基底層的表面設有預定區域的印刷涂層；印刷涂層與基底層粘接；濕敏防偽層從基底層上撕離時，印刷涂層保留于基底層。本技術在濕敏防偽層的底下再設有起防偽識別作用的印刷涂層，使得用戶在防偽過程中，要將濕敏防偽層撕下來，從而破壞濕敏防偽層與基底層的聯接，在撕下的過程中，濕敏防偽層被破壞之后，就不能再次被使用?！緦＠f明】 防止二次使用的防偽結構
本技術涉及一種防偽結構，更具體地說是指一種防止二次使用的防偽結構。
技術介紹
目前，在防偽結構中，濕敏防偽結構具有獨特的效果，深受用戶的好評。然而，現有的濕敏防偽結構只采用了表面的識別方式，在用戶進行防偽識別過程中，不需要撕開濕敏防偽層，使得濕敏防偽層被完整地保留下來，在回收過程中，被不法分子重復利用，可以將其完整地從基底層上剝離出來，制造仿冒產品。因此，有必要設計出一種新的濕敏防偽結構。
技術實現思路
本技術的目的在于克服現有技術的缺陷，提供防止二次使用的防偽結構。為實現上述目的，本技術采用以下技術方案:防止二次使用的防偽結構，包括濕敏防偽層，及與濕敏防偽層粘接的基底層，所述基底層的表面設有預定區域的印刷涂層；所述的印刷涂層與基底層粘接；所述的濕敏防偽層從基底層上撕離時，所述的印刷涂層保留于基底層。其進一步技術方案為:所述的印刷涂層包括驗證碼區域；與驗證碼區域相對應的濕敏防偽層表面區域覆蓋有不透明的鐳射燙印層。其進一步技術方案為:所述濕敏防偽層表面還設有二維碼識別層；所述二維碼識別層與印刷涂層的位置相錯開。其進一步技術方案為:所述的驗證碼區域為條形碼區域和/或數字碼區域。其進一步技術方案為:所述的基底層與濕敏防偽層之間設有粘接層，所述的粘接層為鏤空形狀的結構或包括多個粘接條的結構。其進一步技術方案為:所述的粘接層的位置與印刷涂層的位置相錯開。本技術與現有技術相比的有益效果是:本技術在濕敏防偽層的底下再設有起防偽識別作用的印刷涂層，使得用戶在防偽過程中，要將濕敏防偽層撕下來，從而破壞濕敏防偽層與基底層的聯接，在撕下的過程中，濕敏防偽層被破壞之后，就不能再次被使用。本技術還進一步在濕敏防偽層的表面設有二維碼識別層，并使得二維碼識別層的識別信息與印刷涂層的識別信息相對應，因此，在用戶撕開濕敏防偽層之后，可以對二者的信息進行核對。本技術還可以進一步異形結構的粘接層，比如鏤空形狀的結構或包括多個粘接條的結構，使得濕敏防偽層在撕離的過程中，對基底層的表面和濕敏防偽層的表面形成不同形狀的破壞結構，使不法分子更不易復原濕敏防偽層與基底層的結構，更不易再次利用濕敏防偽層結構。下面結合附圖和具體實施例對本技術作進一步描述?！緦＠綀D】【附圖說明】圖1為本技術防止二次使用的防偽結構具體實施例一的平面示意圖；圖2為圖1所示實施例的側面示意圖；圖3為本技術防止二次使用的防偽結構具體實施例二的平面示意圖。附圖標記10 濕敏防偽層 20 基底層21 印刷涂層 211 驗證碼區域212 圖形區域 30 鐳射燙印層40 二維碼識別層60 粘接條【具體實施方式】為了更充分理解本技術的
技術實現思路
，下面結合具體實施例對本技術的技術方案進一步介紹和說明，但不局限于此。如圖1-2所示，本技術防止二次使用的防偽結構，包括濕敏防偽層10，及與濕敏防偽層10粘接的基底層20，基底層20的表面設有預定區域的印刷涂層21 ;印刷涂層21與基底層20粘接；濕敏防偽層10從基底層20上撕離時，印刷涂層21保留于基底層20 ;從而使得濕敏防偽層被撕離之后，能清楚地看到印刷涂層上的防偽信息。其中，印刷涂層21包括驗證碼區域211和圖形區域212 ;與驗證碼區域211相對應的濕敏防偽層10表面區域覆蓋有不透明的鐳射燙印層30 (其目的是為了濕水時，該區域不會顯示濕敏層底下的信息)。為起到更好的防偽作用，在濕敏防偽層10表面還設有二維碼識別層40 ;二維碼識別層40與印刷涂層21的位置相錯開，以防止濕水顯示時信息被重疊。本實施例中，驗證碼區域為數字碼區域。如圖3所示的實施例二中，基底層20與濕敏防偽層10之間設有粘接層，包括多個粘接條60的結構。粘接層的位置與印刷涂層的位置相錯開。以防止被撕離時，把印刷涂層上的信息撕壞或撕破。于其它實施例中，驗證碼區域也可以是條形碼區域。于其它實施例中，粘接層為鏤空字體形狀的結構。綜上所述，本技術在濕敏防偽層的底下再設有起防偽識別作用的印刷涂層，使得用戶在防偽過程中，要將濕敏防偽層撕下來，從而破壞濕敏防偽層與基底層的聯接，在撕下的過程中，濕敏防偽層被破壞之后，就不能再次被使用。本技術還進一步在濕敏防偽層的表面設有二維碼識別層，并使得二維碼識別層的識別信息與印刷涂層的識別信息相對應，因此，在用戶撕開濕敏防偽層之后，可以對二者的信息進行核對。本技術還可以進一步采用異形結構的粘接層，比如鏤空形狀的結構或包括多個粘接條的結構，使得濕敏防偽層在撕離的過程中，對基底層的表面和濕敏防偽層的表面形成不同形狀的破壞結構，使不法分子更不易復原濕敏防偽層與基底層的結構，更不易再次利用濕敏防偽層結構。上述僅以實施例來進一步說明本技術的
技術實現思路
，以便于讀者更容易理解，但不代表本技術的實施方式僅限于此，任何依本技術所做的技術延伸或再創造，均受本技術的保護。本技術的保護范圍以權利要求書為準。【權利要求】1.防止二次使用的防偽結構，其特征在于包括濕敏防偽層，及與濕敏防偽層粘接的基底層，所述基底層的表面設有預定區域的印刷涂層；所述的印刷涂層與基底層粘接；所述的濕敏防偽層從基底層上撕離時，所述的印刷涂層保留于基底層。2.根據權利要求1所述的防止二次使用的防偽結構，其特征在于所述的印刷涂層包括驗證碼區域；與驗證碼區域相對應的濕敏防偽層表面區域覆蓋有不透明的鐳射燙印層。3.根據權利要求2所述的防止二次使用的防偽結構，其特征在于所述濕敏防偽層表面還設有二維碼識別層；所述二維碼識別層與印刷涂層的位置相錯開。4.根據權利要求3所述的防止二次使用的防偽結構，其特征在于所述的驗證碼區域為條形碼區域和/或數字碼區域。5.根據權利要求1所述的防止二次使用的防偽結構，其特征在于所述的基底層與濕敏防偽層之間設有粘接層，所述的粘接層為鏤空形狀的結構或包括多個粘接條的結構。6.根據權利要求5所述的防止二次使用的防偽結構，其特征在于所述的粘接層的位置與印刷涂層的位置相錯開?！疚臋n編號】G09F3/02GK203573568SQ201320648974【公開日】2014年4月30日 申請日期:2013年10月18日 優先權日:2013年10月18日 【專利技術者】郭雪梨, 張亞玲, 利煥強, 毛小莉 申請人:深圳市華德防偽技術開發有限公司本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：郭雪梨，張亞玲，利煥強，毛小莉，
申請(專利權)人：深圳市華德防偽技術開發有限公司，
類型：實用新型
國別省市：