【技術實現步驟摘要】
【專利摘要】本專利技術涉及硅單晶晶體生長。近些年出現很多使用連續直拉法拉制硅單晶的嘗試,而連續拉制過程中對張晶爐內的硅進行充成為工藝實現的最大瓶頸。本專利技術提供。將西門子還原爐產出的硅棒通過自動進給機構從坩堝上方浸入熔融硅使得硅棒熔化。當拉制單晶使得坩堝中的熔融硅被消耗時,自動進給機構將硅棒向下進給從而對坩堝中的熔融硅液的消耗實現補充。【專利說明】
:本專利技術涉及晶體生長領域
技術介紹
:近些年出現很多使用連續直拉法拉制硅單晶的嘗試,而連續拉制過程中對長晶爐坩堝內的熔融硅進行連續補充成為工藝實現的最大瓶頸。本專利技術提供,將西門子法多晶硅棒連續進給至坩堝中熔融,從而對坩堝中的熔融硅液的消耗實現補充。
技術實現思路
:本方法將未經破碎的西門子法制作的多晶硅棒作為原料,通過自動進給機構從坩堝上方浸入熔融硅使得硅棒熔化。當生長單晶時坩堝中的熔融硅凝固在單晶棒上離開熔融硅液面,導致熔融硅被消耗。此時自動進給機構將適量熔融硅液面以上硅棒向下進給至坩堝熔融硅液中, 該部分的固態硅隨之熔化進入坩堝的熔融硅液。使用自控技術可以使得單晶生長導致的熔融硅的消耗同硅棒的進給實現平衡,從而使熔融硅的液位保持穩定即實現了所謂連續直拉法的連續加料。【專利附圖】【附圖說明】:I 甘堝2熔融硅3硅單晶4西門子還原爐產出的棒狀多晶硅【具體實施方式】:傳統的直拉單晶爐,對坩堝上方按如圖所示布置作改造。從西門子還原爐上取下的未經破碎的(4)西門子還原爐產出的棒狀多晶硅作為原料,通過自動進給機構從上方加入(I)坩堝。(4)西門子還原爐產出的棒狀多晶硅的底部少許接觸(2)熔融硅,(4) ...
【技術保護點】
一種使用西門子硅棒作原料拉硅單晶的方法權利要求為利用如圖所示的西門子法多晶硅棒連續進給至坩堝中熔融,從而對坩堝中的熔融硅液的消耗實現連續補充拉制硅單晶的方法。對硅棒的進給方向進行變更,比如將硅棒同水平形成非90度的銳角進入以減少硅棒重力的影響均不構成對本專利技術的合理回避。都屬于本專利的權利要求范圍。為對硅棒的進給增加傳感器,圖形采集裝置,伺服機構,自控系統等,或者為控制硅棒熔融速度增加加熱或者冷卻裝置均視作本專利技術的具體實施方案。不構成對本專利技術的合理回避,屬于本專利的權利要求范圍。
【技術特征摘要】