本發明專利技術提供一種無機中紅外非線性光學晶體材料，其化學式為Rb2CdBr2I2，上述材料的晶體空間群為Ama2，晶胞參數為a=11.764(8)?,b=12.025(8)?,c=8.446(6)?,α=β=γ=90°,Z=4。本發明專利技術還提供了上述晶體材料的制備方法，本發明專利技術制得的晶體材料具有以下特點：1.具有較強的能相位匹配的倍頻效應（SHG)，Kurtz粉末倍頻測試結果表明其粉末倍頻效應為磷酸二氫鉀（KDP)的4倍；2.激光損傷閾值達到190MW/cm2,是目前的商用的中紅外非線性光學晶體材AgGaS2的激光損傷閾值的6倍。3.化合物在可見光區和中紅外光區有很寬的透過范圍，完全透過波段為0.4-14微米；4.不含結晶水，對空氣穩定，且熱穩定性較好；5.可利用簡單的溶劑揮發法制備單晶材料。
【技術實現步驟摘要】
【技術保護點】
一種中紅外非線性光學晶體材料，其特征在于：化學式為Rb2CdBr2I2，晶體空間群為Ama2，晶胞參數為a?=?11.764(8)??、?b?=?12.025(8)??、?c?=?8.446(6)??、?α?=?β?=?γ?=?90?、?Z?=?4。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：吳奇，秦金貴，
申請(專利權)人：武漢大學，
類型：發明
國別省市：湖北;42
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