【技術實現步驟摘要】
本申請涉及功率變換器領域的箝位吸收電路及其阻抗調節方法。
技術介紹
功率變換器中的功率開關，例如晶體管，金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）等，在功率開關工作在高頻的導通/關斷過程中，電路中的電流變化率很大，并且流過感性元件，從而會產生超過功率開關的耐壓值的尖峰電壓。這種尖峰電壓作用于功率開關上，會將功率開關擊穿或損壞，這是功率變換器中普遍存在的問題。隨著功率變換器工作電流和工作頻率的提高，上述問題就變得更加嚴重。在功率變換器中采用箝位吸收電路可以降低作用在功率變換器中功率開關上的尖峰電壓，通常耐壓等級越小的功率開關的通態電阻也越小，因此，選用耐壓等級更小的功率開關可以降低功率開關的損耗和成本。然而，箝位吸收電路自身也會帶來額外的損耗。例如，圖1示例性示出了一種現有技術中低壓大電流場合比較常用的功率變換器二次側輸出的同步整流電路及其箝位吸收電路的電路圖。如圖1中所示，雙輸出繞組變壓器T1、作為功率開關的同步整流元件Q1和Q2、與Q1和Q2反向并聯的二極管、濾波電容C0、以及負載電阻R0構成了功率變換器二次側輸出的同步整流電路，其中雙輸出繞組變壓器T1繞組旁的黑點“·”指示繞組的同名端，濾波電容C0上的加號“+”表示功率變換器輸出的正極；箝位二極管D1和D2、箝位電容C1和C2、以及泄放電阻R1和R2分別構成了兩個RCD箝位吸收電路。當同步整流元件Q1和Q2在關斷時刻，雙輸出繞組變壓器T1的繞組...
【技術保護點】
一種箝位吸收電路，用以降低功率變換器的功率開關上的尖峰電壓值，包括：箝位開關；箝位電容，具有第一端和第二端，其第一端經由所述箝位開關電性耦接于所述功率開關，其第二端電性耦接于接地端；以及至少一阻抗調節電路，每一阻抗調節電路包括：開關元件，具有第一端、第二端和控制端，其第一端電性耦接于所述箝位電容的第一端，其第二端電性耦接于所述接地端；以及控制電路，接收所述功率變換器的檢測參數，并將所述檢測參數與一預設參數進行比較，輸出一控制信號至所述開關元件的控制端，以調節所述阻抗調節電路的阻抗值。
【技術特征摘要】
1.一種箝位吸收電路，用以降低功率變換器的功率開關上的尖峰電壓
值，包括：
箝位開關；
箝位電容，具有第一端和第二端，其第一端經由所述箝位開關電性
耦接于所述功率開關，其第二端電性耦接于接地端；以及
至少一阻抗調節電路，每一阻抗調節電路包括：
開關元件，具有第一端、第二端和控制端，其第一端電性耦接
于所述箝位電容的第一端，其第二端電性耦接于所述接地端；以及
控制電路，接收所述功率變換器的檢測參數，并將所述檢測參
數與一預設參數進行比較，輸出一控制信號至所述開關元件的控制端，
以調節所述阻抗調節電路的阻抗值。
2.根據權利要求1所述的箝位吸收電路，其中，所述阻抗調節電路
還包括一第一電阻，所述第一電阻的一端電性耦接于所述箝位電容的第
一端，其另一端電性耦接于所述開關元件的第一端。
3.根據權利要求1或2所述的箝位吸收電路，其中，所述阻抗調節
電路還包括一第二電阻，所述第二電阻的一端電性耦接于所述箝位電容
的第一端，其另一端電性耦接于所述開關元件的第二端。
4.根據權利要求1所述的箝位吸收電路，其中，所述開關元件的第
二端經由一第一電源電性耦接于所述接地端。
5.根據權利要求4所述的箝位吸收電路，其中，所述第一電源為所
述功率變換器的輸出電源。
6.根據權利要求1所述的箝位吸收電路，其中，所述開關元件的第
二端和所述箝位電容均經由一第二電源耦接于所述接地端。
7.根據權利要求6所述的箝位吸收電路，其中，所述第二電源為電
容。
8.根據權利要求1所述的箝位吸收電路，其中，所述檢測參數為一
工作頻率，所述預設參數為一參考頻率，當所述工作頻率大于所述參考
頻率時，減小所述阻抗調節電路的阻抗值；當所述工作頻率小于或等于
\t所述參考頻率時，增加所述阻抗調節電路的阻抗值。
9.根據權利要求1所述的箝位吸收電路，其中，所述檢測參數為一
工作電流，所述預設參數為一參考電流，當所述工作電流大于所述參考
電流時，減小所述阻抗調節電路的阻抗值；當所述工作電流小于或等于
所述參考電流時，增加所述阻抗調節電路的阻抗值。
10.根據權利要求1所述的箝位吸收電路，其中，所述控制電路包
括：
參考信號調節模塊，接收所述檢測參數，并將所述檢測參數與所述預設
參數進行比較，輸出至少一參考電壓；
信號處理模塊，具有一第一輸入端、一第二輸入端和一輸出端，其
第一輸入端連接于所述箝位電容的第一端，第二輸入端連接于所述參考
信號調節模塊的輸出端，其輸出端電性耦接于所述開關元件的控制端，
輸出與所述參考電壓相對應的所述控...
【專利技術屬性】
技術研發人員：孫麗萍，言超，葉益青，
申請(專利權)人：臺達電子工業股份有限公司，
類型：發明
國別省市：臺灣;71
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