一種碲化鎘的制備方法技術

本發明專利技術公開了一種碲化鎘的制備方法，其順次包括以下步驟：取合格的碲粉和鎘粉按摩爾比為1：1的比例進行均質混合；將均質后的混合原料裝入石墨舟中，然后將石墨舟置于合成爐中進行第一次合成；取出第一次合成后石墨內的物料，破碎；破碎后的物料裝入石墨，置于合成爐中進行第二次合成；過篩和球磨；所述第一次合成和第二次合成是在氮氣和氫氣的保護下多段升溫、降溫。本發明專利技術先將碲粉末和鎘粉末進行均質處理，使兩種原料充分混合均勻，同時還能夠克服鎘粉末易被氧化的缺陷，使兩種原料能夠在較低的溫度下進行初步合成，同時提高了合成產品的純度及原料的利用率；分兩次合成能夠使得原料進行充分的反應最終提高了產品的純度及產率。

【技術實現步驟摘要】
【專利摘要】本專利技術公開了，其順次包括以下步驟：取合格的碲粉和鎘粉按摩爾比為1：1的比例進行均質混合；將均質后的混合原料裝入石墨舟中，然后將石墨舟置于合成爐中進行第一次合成；取出第一次合成后石墨內的物料，破碎；破碎后的物料裝入石墨，置于合成爐中進行第二次合成；過篩和球磨；所述第一次合成和第二次合成是在氮氣和氫氣的保護下多段升溫、降溫。本專利技術先將碲粉末和鎘粉末進行均質處理，使兩種原料充分混合均勻，同時還能夠克服鎘粉末易被氧化的缺陷，使兩種原料能夠在較低的溫度下進行初步合成，同時提高了合成產品的純度及原料的利用率；分兩次合成能夠使得原料進行充分的反應最終提高了產品的純度及產率。【專利說明】
本專利技術涉及半導體材料
，具體涉及。
技術介紹
碲化鎘是由鎘與碲合成的一種半導體化合物，為棕黑色晶體粉末，不溶于水和酸，能被硝酸分解，其密度為6.20，熔點為1041°C，禁帶寬度為1.46eV,是理想的光電轉換材料。目前，碲化鎘的合成方法有多種多樣，較早的碲化鎘的合成方法是將熱棒插入磅和鎘的混合粉末中，加熱到500°C，而生成。該方法采用熱棒加熱的方式，溫度不夠均勻，反應不夠充分。【專利技術者】梁文正 申請人:張家港綠能新材料科技有限公司

【技術保護點】
一種碲化鎘的制備方法，其特征在于順次包括以下步驟：1）取合格的碲粉和鎘粉按摩爾比為1：1的比例進行均質混合；2）將均質后的混合原料裝入石墨舟中，然后將石墨舟置于合成爐中進行第一次合成；3）取出第一次合成后石墨內的物料，破碎；4）步驟3）破碎后的物料裝入石墨，置于合成爐中進行第二次合成；5）過篩和球磨；所述第一次合成是先通入氮氣趕走合成爐內的空氣，然后緩慢加熱合成爐至180～200℃，保溫3～4小時；快速升溫至350～400℃,而后停止通入氮氣，開始通入氫氣；快速升溫至850～900℃,保溫1～1.5小時；溫度降至50℃后停止通入氫氣，出爐；所述第二次合成是先通入氮氣趕走合成爐內的空氣，然后快速升溫至350～400℃,而后停止通入氮氣，開始通入氫氣；快速升溫至850～900℃,保溫12～15小時；溫度降至50℃后停止通入氫氣，出爐。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：梁文正，
申請(專利權)人：張家港綠能新材料科技有限公司，
類型：發明
國別省市：