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    一種超精密電阻器制造技術

    技術編號:10111975 閱讀:247 留言:0更新日期:2014-06-02 13:10
    本實用新型專利技術提供了一種超精密電阻器,所述超精密電阻器包括圓柱形的基體、兩個電極帽、導線和電阻膜;其特征在于,所述電阻膜包覆在所述基體的外表面,所述兩個電極帽分別套設在所述基體的兩端并與所述電阻膜電接觸,所述兩個電極帽的外側分別連接有導線,所述電阻膜的表面開設有溝槽,所述溝槽的寬度為15μm~20μm。本實用新型專利技術的超精密電阻器的精度可達±0.2%、±0.1%和±0.05%的級別,大幅提高了電阻器的精度,解決了傳統薄膜式電阻無法滿足某些特殊需要的問題,而且生產工藝簡便快捷,使超精密電阻器的應用更為廣泛。(*該技術在2023年保護過期,可自由使用*)

    【技術實現步驟摘要】
    【專利摘要】本技術提供了一種超精密電阻器,所述超精密電阻器包括圓柱形的基體、兩個電極帽、導線和電阻膜;其特征在于,所述電阻膜包覆在所述基體的外表面,所述兩個電極帽分別套設在所述基體的兩端并與所述電阻膜電接觸,所述兩個電極帽的外側分別連接有導線,所述電阻膜的表面開設有溝槽,所述溝槽的寬度為15μm~20μm。本技術的超精密電阻器的精度可達±0.2%、±0.1%和±0.05%的級別,大幅提高了電阻器的精度,解決了傳統薄膜式電阻無法滿足某些特殊需要的問題,而且生產工藝簡便快捷,使超精密電阻器的應用更為廣泛。【專利說明】—種超精密電阻器
    本技術涉及電子產品
    ,具體地說,涉及一種超精密電阻器。
    技術介紹
    電阻器是電氣設備、電子產品中最常用的電子元件,電阻器的作用主要就是阻礙電流流過,應用于限流、分流、降壓、分壓、負載與電容配合作濾波器及阻匹配等。對于1Ω(歐姆)以上阻值的電阻,與標識阻值相比±1%以內阻值誤差的電阻可稱為精密電阻;對于1Ω以下阻值的電阻,一般能達到士 5%精密度之內,就算做精密電阻范疇了,因為阻值基數很小,就算是5%的誤差,實際的阻值誤差已經很小了。傳統的此類精密電阻一般為薄膜電阻,使用此材質的電阻才能滿足生產工藝要求,但其工藝復雜,技術要求較高,而且薄膜電阻在某些場合和產品上無法使用,限制了超精密電阻的應用。
    技術實現思路
    針對上述現有技術中的不足,本技術的目的在于提供一種超精密電阻器,以克服現有技術的缺陷。為了達到上述目的,本技術提供了 一種超精密電阻器,所述超精密電阻器包括基體、兩個電極帽和電阻膜,所述電阻膜包覆在所述基體的外表面,所述兩個電極帽分別套設在所述基體的兩端并與所述電阻膜電接觸,所述兩個電極帽的外側分別連接有導線,所述電阻膜的表面開設有溝槽,所述溝槽的寬度為15 μ m?20 μ m。優選地,所述溝槽在所述電阻膜的表面呈螺旋狀分布,最好,相鄰所述溝槽之間的間距相等。此外,所述溝槽的邊緣整齊,所述溝槽的底部干凈。因此,本技術的超精密電阻器的精度可達±0.2%、±0.1%和±0.05%的級別,大幅提高了電阻器的精度,解決了傳統薄膜式電阻無法滿足某些特殊需要的問題,而且生產工藝簡便快捷,使超精密電阻器的應用更為廣泛。【專利附圖】【附圖說明】圖1是本技術的超精密電阻器的結構示意圖。附圖標記說明如下:基體1、兩個電極帽2、導線3和電阻膜4。【具體實施方式】為了使審查員能夠進一步了解本專利技術的結構、特征及其他目的,現結合所附較佳實施例附以附圖詳細說明如下,本附圖所說明的實施例僅用于說明本專利技術的技術方案,并非限定本專利技術。請參閱圖1,圖1是本技術的超精密電阻器的結構示意圖。如圖1所示,本技術的超精密電阻器包括基體1、電阻膜4和兩個電極帽2,這里的電阻膜I的材質可以是金屬膜或者其他適合材質。電阻膜4包覆在基體I的外表面,電阻膜4的材質可以是金屬膜或者其他適合材質。兩電極帽2分別套設在基體I的兩端并與電阻膜4電接觸,電極帽2的外側分別連接有導線3,電阻膜4的表面開設有溝槽10,且溝槽10的寬度為15 μ m?20 μ m。這樣,本技術的超精密電阻器電阻器的精度可達±0.2%、±0.1%以及±0.05%的級別。特別地,所述溝槽在所述電阻膜的表面呈螺旋狀分布,最好,相鄰所述溝槽之間的間距相等,而且所述溝槽的邊緣整齊,所述溝槽的底部干凈。因此,本技術的超精密電阻器的精度可達±0.2%、±0.1%和±0.05%的級別,大幅提高了電阻器的精度,解決了傳統薄膜式電阻無法滿足某些特殊需要的問題,而且生產工藝簡便快捷,使超精密電阻器的應用更為廣泛。需要聲明的是,上述
    技術實現思路
    及【具體實施方式】意在證明本專利技術所提供技術方案的實際應用,不應解釋為對本專利技術保護范圍的限定。本領域技術人員在本專利技術的精神和原理內,當可作各種修改、等同替換或改進。本專利技術的保護范圍以所附權利要求書為準。【權利要求】1.一種超精密電阻器,所述超精密電阻器包括圓柱形的基體(I)、兩個電極帽(2)、導線(3)和電阻膜(4);其特征在于,電阻膜(4)包覆在基體(I)的外表面,兩個電極帽(2)分別套設在基體(I)的兩端并與電阻膜(4)電接觸,兩個電極帽(2)的外側分別連接有導線(3),電阻膜(4)的表面開設有溝槽(10),溝槽(10)的寬度為15μπι?20μπι。2.根據權利要求1所述的超精密電阻器,其特征在于,溝槽(10)在電阻膜(4)的表面上呈螺旋狀分布。3.根據權利要求2所述的超精密電阻器,其特征在于,相鄰溝槽(10)之間的間距相等。4.根據權利要求3所述的超精密電阻器,其特征在于,溝槽(10)的邊緣整齊,溝槽(10)的底部干凈。5.根據權利要求1?4任一所述的超精密電阻器,其特征在于,所述超精密電阻器的精度為 ±0.05% ?±0.2%。【文檔編號】H01C7/00GK203617054SQ201320663816【公開日】2014年5月28日 申請日期:2013年10月25日 優先權日:2013年10月25日 【專利技術者】陳英 申請人:東莞市晴遠電子有限公司本文檔來自技高網
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    【技術保護點】
    一種超精密電阻器,所述超精密電阻器包括圓柱形的基體(1)、兩個電極帽(2)、導線(3)和電阻膜(4);其特征在于,電阻膜(4)包覆在基體(1)的外表面,兩個電極帽(2)分別套設在基體(1)的兩端并與電阻膜(4)電接觸,兩個電極帽(2)的外側分別連接有導線(3),電阻膜(4)的表面開設有溝槽(10),溝槽(10)的寬度為15μm~20μm。

    【技術特征摘要】

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:陳英
    申請(專利權)人:東莞市晴遠電子有限公司
    類型:實用新型
    國別省市:

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