一種擴展低頻和高頻帶寬的LTE天線制造技術

本實用新型專利技術公開了一種擴展低頻和高頻帶寬的LTE天線，該天線包括第一、第二、第三和第四常規天線（1、2、3、7）構成的第一線路和接地饋腳的第一、第二和第三寄生單元天線（4、5、6）構成的第二線路。所述的第一線路總體為不規則的“T”型，所述的第二線路總體為矩形；所述第一和第二線路之間設有一定的間距。所述第一、第二和第三寄生單元天線（4、5和6）與所述第一、第二、第三和第四常規天線（1、2、3和7）耦合出低頻與高頻兩個寄生駐波，其中低頻諧振頻率在824MHz~960MHz之間，高頻諧振頻率在1710MHz~2.4GMHz之間，增加了低頻和高頻天線帶寬，提升了天線輻射性能。（*該技術在2023年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】
【專利摘要】本技術公開了一種擴展低頻和高頻帶寬的LTE天線，該天線包括第一、第二、第三和第四常規天線（1、2、3、7）構成的第一線路和接地饋腳的第一、第二和第三寄生單元天線（4、5、6）構成的第二線路。所述的第一線路總體為不規則的“T”型，所述的第二線路總體為矩形；所述第一和第二線路之間設有一定的間距。所述第一、第二和第三寄生單元天線（4、5和6）與所述第一、第二、第三和第四常規天線（1、2、3和7）耦合出低頻與高頻兩個寄生駐波，其中低頻諧振頻率在824MHz~960MHz之間，高頻諧振頻率在1710MHz~2.4GMHz之間，增加了低頻和高頻天線帶寬，提升了天線輻射性能。【專利說明】一種擴展低頻和高頻帶寬的LTE天線
本技術涉及移動通訊終端天線領域，尤其是涉及一種擴展低頻和高頻帶寬的LTE天線。
技術介紹
隨著科技的發展，伴著時代的潮流，手機形式也向著超薄的趨勢發展，加上金屬機身的設計，現在留給天線的環境越來越惡劣；手機天線更是向著多頻段發展，特別是LTE頻段的天線，拓展天線帶寬成為整個天線行業一直研究的課題。寄生單元的出現有效的解決了 3G頻段天線的設計，目前的寄生單元基本上都是寄生在高頻頻段，且一個寄生單元只寄生一個駐波。雙寄生單元天線要比一般PIFA天線和monopole天線的高低頻帶寬更寬,適合做多頻段天線使用，當遇到天線環境比較差，低頻頻段帶寬不足時，就可以充分利用一個寄生單元寄生低頻和高頻兩個駐波的優勢來提高天線的性能。此技術天線的設計采用了雙寄生單元天線，因此可以應用在超薄手機以及前殼金屬設計的手機上面。
技術實現思路
本技術的目的在于克服現有技術的不足，提供一種性能優良，帶寬較寬且適用于多頻段設計的移動終端LTE天線。本技術為解決其技術問題而采取的技術方案是:一種擴展低頻和高頻帶寬的LTE天線，包括第一、第二、第三和第四常規天線，構成天線的第一線路，還包括接地饋腳的第一、第二和第三寄生單元天線，構成天線的第二線路，其中:所述的第一線路總體為不規則的“T”型，“T”型橫邊左側構成平行布置的第一和第四常規天線，所述第一和第四常規天線在“T”型橫邊右端相連；“T”型的縱邊構成平行的第二和第三常規天線，所述第二和第三常規天線在其上端與第一常規天線相連；所述的第二線路總體為矩形，其中矩形的右邊構成與第三常規天線平行布置的第一寄生單元天線，矩形的底邊構成第三寄生單元天線，所述第一和第二寄生單元天線通過矩形的上邊相連，第二寄生單元天線在矩形內從矩形的上邊延伸，并與第三寄生單元天線平行布置；所述第一和第二線路之間設有一定的間距。作為以上技術方案的進一步改進，所述第一、第二和第三寄生單元天線與所述第一、第二、第三和第四常規天線耦合出低頻與高頻兩個寄生駐波，其中低頻諧振頻率在824MHz"960MHz之間，高頻諧振頻率在1710MHz?2.4GMHz之間。本技術的有益效果在于:相比于常規天線有效的拓展了高頻以及低頻的帶寬，覆蓋天線頻段包括GSM850/900/DCS1800/PCS1900/ TDSCDMA Band A /Band F 和 LTE Band I /Band 3 /Band7 /Band 17 FDD。相比于同類天線，本技術采用了雙寄生單元天線設計，結構簡單，易于實現。【專利附圖】【附圖說明】結合附圖，通過下文的述詳細說明，可更清楚地理解本技術的上述及其他特征和優點，其中:圖1為所述天線實施例線路結構示意圖；圖2為所述天線和不應用該寄生單元的天線駐波對比圖。【具體實施方式】本技術提供一種擴展低頻和高頻帶寬的LTE天線，為使本技術的目的、技術方案及效果更加清楚、明確，以下參照附圖并舉實例對本技術進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施案例僅僅用以解釋本技術，并不用于限定本技術。參見圖1，在本技術的優選實施例中，第一、第二、第三和第四常規天線1、2、3和7，構成天線的第一線路，還包括接地饋腳的第一、第二和第三寄生單元天線4、5和6，構成天線的第二線路，其中:所述的第一線路總體為不規則的“T”型，“T”型橫邊左側構成平行布置的第一和第四常規天線1、7，所述第一和第四常規天線1、7在“T”型橫邊右端相連；“T”型的縱邊構成平行的第二和第三常規天線2、3，所述第二和第三常規天線2、3在其上端與第一常規天線I相連；所述的第二線路總體為矩形，其中矩形的右邊構成與第三常規天線3平行布置的第一寄生單元天線4，矩形的底邊構成第三寄生單元天線6，所述第一和第二寄生單元天線4、6通過矩形的上邊相連，第二寄生單元天線5在矩形內從矩形的上邊延伸，并與第三寄生單元天線6平行布置；所述第一和第二線路之間設有一定的間距。圖1所述第二、第三和第四常規天線2，3，7會諧振出低頻，所產生的諧振頻率如圖2中Pl至Ρ2所示，在824MHz?880MHz之間；圖1所述第一、第三寄生單元天線4，6會寄生出低頻，寄生諧振頻率如圖2中P2至P3所示，在880MHz、60MHz之間；圖1所述第二、第三和第一常規天線2，3，I會諧振出高頻，諧振頻率如圖2中P4至P7所示，在1710MHz?2GMHz之間；圖1所述第一、第二寄生單元天線4，5會寄生出高頻，寄生諧振頻率如圖2中P7至P9所示，在2GMHz?2.4GMHz之間；由此可以得出本技術低頻諧振頻率在圖2中Pl到P3的824MHz?960MHz之間，高頻諧振頻率在圖2中P4至P9的1710MHz?2.4GMHz之間，從圖2可以看出相比于常規天線所述的天線有效的拓展了高低頻的帶寬。應當理解的是，本技術的應用不限于上述的舉例，對本領域普通技術人員來說，可以根據上述說明加以改進或變換，所有這些改進和變換都應屬于本技術所附權利要求的保護范圍。【權利要求】1.一種擴展低頻和高頻帶寬的LTE天線，其特征在于，包括第一、第二、第三和第四常規天線(1、2、3和7)，構成天線的第一線路，還包括接地饋腳的第一、第二和第三寄生單元天線(4、5和6)，構成天線的第二線路，其中: 所述的第一線路總體為不規則的“T”型，“T”型橫邊左側構成平行布置的第一和第四常規天線(1、7)，所述第一和第四常規天線(1、7)在“T”型橫邊右端相連；“T”型的縱邊構成平行的第二和第三常規天線(2、3)，所述第二和第三常規天線(2、3)在其上端與第一常規天線(I)相連； 所述的第二線路總體為矩形，其中矩形的右邊構成與第三常規天線(3)平行布置的第一寄生單元天線(4)，矩形的底邊構成第三寄生單元天線(6)，所述第一和第二寄生單元天線(4、6)通過矩形的上邊相連，第二寄生單元天線(5)在矩形內從矩形的上邊延伸，并與第三寄生單元天線(6)平行布置； 所述第一和第二線路之間設有一定的間距。2.根據權利要求1所述的擴展低頻和高頻帶寬的LTE天線，其特征在于，所述第一、第二和第三寄生單元天線(4、5和6)與所述第一、第二、第三和第四常規天線(1、2、3和7)耦合出低頻與高頻兩個寄生駐波，其中低頻諧振頻率在824ΜΗζ、60ΜΗζ之間，高頻諧振頻率在 1710MHz?2.4GMHz 之間。【文檔編號】H01Q21/28GK203617432SQ20本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種擴展低頻和高頻帶寬的LTE天線，其特征在于，包括第一、第二、第三和第四常規天線（1、2、3和7），構成天線的第一線路，還包括接地饋腳的第一、第二和第三寄生單元天線（4、5和6），構成天線的第二線路，其中：所述的第一線路總體為不規則的“T”型，“T”型橫邊左側構成平行布置的第一和第四常規天線（1、7），所述第一和第四常規天線（1、7）在“T”型橫邊右端相連；“T”型的縱邊構成平行的第二和第三常規天線（2、3），所述第二和第三常規天線（2、3）在其上端與第一常規天線（1）相連；所述的第二線路總體為矩形，其中矩形的右邊構成與第三常規天線（3）平行布置的第一寄生單元天線（4），矩形的底邊構成第三寄生單元天線（6），所述第一和第二寄生單元天線（4、6）通過矩形的上邊相連，第二寄生單元天線（5）在矩形內從矩形的上邊延伸，并與第三寄生單元天線（6）平行布置；所述第一和第二線路之間設有一定的間距。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：俸德安，蔣劍虹，劉文超，
申請(專利權)人：深圳市維力谷無線技術有限公司，
類型：實用新型
國別省市：