等離子體發生裝置制造方法及圖紙

本發明專利技術公開了一種等離子體發生裝置。僅在與空氣接觸的部分產生等離子體而消除在不必要的部分中的放電并抑制臭氧的產生。所述等離子體發生裝置具備：圍繞流路R而形成的環形的低電介質層2；記載低電介質層2的同時，圍繞流路R而形成的第一電極3及第二電極4；在第一電極3及第二電極4、第一電極3或第二電極4之中的至少一個與低電介質層2之間，圍繞流路R而形成的環形的高電介質層。

【技術實現步驟摘要】
【專利摘要】本專利技術公開了一種等離子體發生裝置。僅在與空氣接觸的部分產生等離子體而消除在不必要的部分中的放電并抑制臭氧的產生。所述等離子體發生裝置具備：圍繞流路R而形成的環形的低電介質層2；記載低電介質層2的同時，圍繞流路R而形成的第一電極3及第二電極4；在第一電極3及第二電極4、第一電極3或第二電極4之中的至少一個與低電介質層2之間，圍繞流路R而形成的環形的高電介質層?！緦＠f明】等離子體發生裝置
本專利技術涉及一種等離子體發生裝置。
技術介紹
由于最近的特異反應性、哮喘、過敏性癥狀持有者的增加或新型流感的暴發性流行等中所能看到的感染性風險的增加等原因，使得對殺菌或除臭等生活環境的空氣質量控制的要求越來越高。此外，隨著生活變得富裕，保管食品的量增加或者吃剩的食品的保管機會在增加，從而以冰箱為代表的保管機器內的環境控制的重要性也變得越來越大。并且，在大氣中產生等離子體并利用其中生成的化學活性種來試圖殺菌或除臭的手段最近一直在增加。通過放電而在大氣中產生等離子體并利用其中生成的離子或自由基(以下，活性種)執行殺菌或除臭的技術可分類成以下2種形式。(I)使在大氣中浮游的細菌或病毒(以下，浮游細菌)，或惡臭物質(以下，惡臭)在裝置內的限定的容積內與活性種反應的，所謂的被動型等離子體發生裝置(例如，專利文獻O(2)將在等離子體發生部生成的活性種向比(I)容積更大的封閉空間(例如，客廳、衛生間、轎車的車內等)釋放后，通過大氣中的活性種和浮游細菌或惡臭之間發生碰撞而使其反應的，所謂的能動型等離子體發生裝置(例如，專利文獻2)但是在被動型等離子體發生裝置中，效果僅限于流入到該裝置的空氣流中所包含的浮游細菌或惡臭，而對于能動型等離子體發生裝置的情況，只能期待針對濃度低的浮游細菌、附著細菌、惡臭的效果。即，利用現有技術能實現的，僅限于“浮游細菌的殺菌和除臭”或“濃度低的浮游細菌、附著細菌的殺菌及附著惡臭的除臭”中之一。這里，如專利文獻3中所示，作為兼備上述的被動型及能動型的等離子體發生裝置，考慮到的是，使具有流體流通孔的2個導體基板對向的同時，在導體基板的對向面中的至少一個形成電介質膜，并在形成于2個基板之間的間隙發生等離子體放電。然而，由于在從流體流通孔相隔的間隙區域發生放電，因此具有滯留于該間隙的空氣中的氧氣被臭氧化而使臭氧的發生量變多的問題?，F有技術文獻專利文獻1.日本專利公開第2002 — 224211號公報2.日本專利公開第2003 - 79714號公報3.日本專利公開第2007 - 250284號公報
技術實現思路
技術問題本專利技術是為了解決如上所述技術問題而提供的，所期望解決的問題是僅在與空氣接觸的部分上產生等離子體而消除在不必要的部分上的放電并抑制臭氧的發生。技術方案根據本專利技術的等離子體發生裝置，其特征在于，具備:圍繞流路而形成的環形的低電介質層；夾設低電介質層的同時，圍繞流路而形成的第一電極及第二電極；在第一電極或第二電極中的至少一個與低電介質層之間，圍繞流路而形成的環形的高電介質層。據此，由于具有圍繞用于使空氣流通的流路而形成的環形的低電介質層，并構成為在低電介質層產生等離子體，因此可以僅在與流通空氣接觸的部分產生等離子體而抑制臭氧的產生。并且，由于在不必要的部分不產生等離子體，因此可提高電力效率。進而，可通過僅在與空氣流通的流路面對的部分上產生等離子體的構成，使空氣和等離子體有效地接觸，從而可提高除臭、分解及殺菌性能。作為具體實施的一方面，優選為，包含具有形成流路的流路形成孔的絕緣基板，并在流路形成孔的內側周圍面形成低電介質層及高電介質層。這樣，只要在流路形成孔的內側周圍面形成低電介質層及高電介質層，即可使等離子體發生裝置的構成變得簡單。并且，由于可以與絕緣基板的厚度無關地產生等離子體，因此可提高設計自由度。根據這種構成，如果對第一電極及第二電極施加電壓，則電場產生為使大部分電力線通過高電介質層而發生電場，并且在低電介質層使電力線朝流路的內側突出而集中電場，從而使等離子體的發生變得簡單。優選為，在絕緣基板的流路形成孔的一側的開口邊緣具有環形的第一電極，在絕緣基板的流路形成孔的另一側的開口邊緣具有環形的第二電極。這里，第一電極及第二電極的形狀優選為，從流路形成孔的開口邊緣到電極的半徑方向內側端的距離為I μ m至500μπι，導體槽的寬度為ΙΟμπι至5000μπι，并且電阻率為1Ω (每單位長度)以上。這樣，由于可以減小第一電極及第二電極的面積而使靜電容量變小，因此可減少對電極施加電壓的驅動電路的負荷。由此，既可以實現使絕緣基板大面積化而具有流路形成孔的構成，又能抑制電容量的增加。優選為，在形成于流路形成孔的幾乎整個內側周圍面的高電介質層，沿著周向形成凹槽而形成有低電介質層。這樣，例如可以僅通過在流路形成孔的內側周圍面形成高電介質層后形成凹槽的方式構成，從而使等離子體發生裝置的構成變得簡單。凹槽的剖面形狀可以是四邊形、梯形或半圓形。并且，為了在凹槽產生等離子體，高電介質層5、6的相對介電常數是10至1000，優選為10至100，高電介質層5、6的厚度是Iμ m至500 μ m,凹槽的深度是I μ m至500 μ m,凹槽的寬度是I μ m至500 μ m,優選為Iym至100 μ m，施加電壓是100V至5000V。并且，在高電介質層因凹槽而被分割的情況下，高電介質層的距離為I μ m至500 μ m,優選為I μ m至100 μ m。進而,在凹槽的剖面形狀為梯形或三角形的情況下，其開口角度是10至60度。在凹槽的剖面形狀為半圓形的情況下，其半徑為I μ m至500 μ m。在凹槽的內表面優選為形成凹凸。此時，將內表面的凹凸，優選的，設為RzlOym至100 μ m, SmlO μ m至100 μ m (以線粗糙度規定)。優選為，在形成于流路形成孔的幾乎整個內側周圍面的高電介質層，沿著周向形成凹槽，并在該凹槽設置低電介質材料而形成低電介質層。這里，為了在凹槽產生等離子體，高電介質層的相對介電常數優選為100至1000，低電介質層的相對介電常數優選為I至IOo優選為，第一電極和第二電極中的一個由具有形成流路的流路形成孔的導體基板構成，低電介質層、高電介質層、及第一電極和第二電極中的一個被設置為與導體基板的流路形成孔連通。并且，根據本專利技術的等離子體發生裝置，其特征在于，具備:由向一個方向延伸的低介電常數材料構成的支撐體；在沿著支撐體的延伸方向延伸的一對向面側沿著延伸方向形成的第一高電介質層；在沿著支撐體的延伸方向延伸的其他對向面側沿著延伸方向形成的第二高電介質層；形成于第一高電介質層與第二高電介質層之間的低電介質層；接觸第一高電介質層而形成的第一電極；接觸第二高電介質層而形成的第二電極。據此，由于在支撐體的外表面形成第一高電介質層及第二高電介質層，并在其之間形成低電介質層，因此可以僅在與外部空氣接觸的部分產生等離子體而抑制臭氧的產生。并且，由于在不必要的部分不產生等離子體，因此可提高電力效率。進而，可通過在與空氣接觸的部分產生等離子體的構成，使空氣和等離子體有效地接觸，從而可提高除臭、分解及殺菌性能。進而，可將等離子體發生裝置以線型實現，從而大幅減小壓力損失。優選為，具備在支撐體設有第本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種等離子體發生裝置，所述等離子體發生裝置，具備：圍繞流路而形成的環形的低電介質層；夾設所述低電介質層的同時，圍繞所述流路而形成的第一電極及第二電極；在所述第一電極或第二電極中的至少一個與所述低電介質層之間，圍繞所述流路而形成的環形的高電介質層。

【技術特征摘要】
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【專利技術屬性】
技術研發人員：弓削政郞，竹之下一利，山田幸香，宮本誠，
申請(專利權)人：三星電子株式會社，
類型：發明
國別省市：韓國;KR